兆易创新积极布局DRAM领域 将实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破

3月26日晚间，兆易创新发布2019年年度财报，公司实现营业收入32.03亿元，比2018年同期增长42.62%；归属于上市公司股东的净利润6.07亿元，比2018年同期增长49.85%。

兆易创新表示，营业收入大幅增加，主要是因为报告期内市场需求增加，公司不断拓展新客户、新市场，导入新产品，优化调整产品结构，2019年存储芯片销售增加约7.17亿元人民币；微控制器2019年收入较2018年收入增加约3，920万元人民币；本年纳入合并报表范围的上海思立微电子科技有限公司合并期间即2019年6-12月的收入贡献2.03亿元人民币。

2019年，兆易创新依据业务经营情况调整公司组织架构，组建完成了存储+MCU+传感器为核心的三大事业部架构，现有的业务布局分为存储、MCU和传感器三大方向。

在存储方面，2019年度，兆易创新Flash持续开发新产品和技术升级，其中，在NOR Flash产品方面，兆易创新针对不同领域的推出了多款新产品；而NAND Flash产品上，兆易创新高可靠性的38nm SLC Nand制程产品已稳定量产，并持续推进24nm制程产品进程，完善中小容量NANDFlash产品系列；MCU产品方面，兆易创新不仅推出了多款新产品，同时也在积极推进“MCU百货商店”战略计划，陆续推出无线MCU、电源管理芯片等全新产品系列。

与此同时，兆易创新积极推进与思立微的整合，实现优势互补。2019年5月，思立微产权过户手续及相关工商变更登记完成，标志着公司收购思立微100%股权的重大资产重组项目正式完成。在光学指纹传感器方面，积极优化透镜式光学指纹产品，并推出LCD屏下光学指纹、超小封装透镜式光学指纹产品、超薄光学指纹产品、大面积TFT光学指纹产品，成为全行业唯一一家拥有指纹全部品类的公司。司。在MEMS超声指纹传感器研发方面，兆易创新也取得了阶段性进展。

此外，兆易创新也在积极布局DRAM领域。

2019年9月，兆易创新发布非公开发行股票预案，拟募集资金总额不超过人民币43.24亿元，用于DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金。项目开发目标为研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。此研发项目的成功实施，将实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破，也有助于公司战略拓展业务领域。

值得注意的是，持续推进合肥12英寸晶圆存储器研发项目合作。2019年4月26日，公司与合肥产投、合肥长鑫集成电路有限责任公司签署《可转股债权投资协议》，约定以可转股债权方式对项目投资3亿元，并继续研究商讨后续合作方案。业务方面，公司将与合肥长鑫发挥优势互补，探讨在DRAM产品销售、代工、以及工程端的多种合作模式。

兆易创新表示，2019年公司供应链进一步优化结构，加深与中芯国际、上海华力微电子、联华电子等国际一流大厂的合作范围与合作深度，同时与台积电的合作进展顺利。截至2019年年底兆易创新闪存芯片累计出货超过100亿颗，MCU产品累计出货超过3亿颗，其中2019年度闪存芯片及MCU出货约30亿颗。
责任编辑：wv