运用FinFET技术　14nm设计开跑

　　虽然开发先进微缩制程的成本与技术难度愈来愈高，但站在半导体制程前端的大厂们仍继续在这条道路上努力着。Cadence日前宣布，配备运用IBM的FinFET制程技术而设计实现之ARM Cortex-M0处理器的14奈米测试晶片已投入试产。

　　14奈米生态系统与晶片是ARM、Cadence与IBM合作在14奈米以上的先进制程开发系统晶片（SoCs）之多年期协议的重大里程碑。运用FinFET技术的14奈米设计SoC实现了大幅减少耗电的承诺。这个晶片之所以开发，是为了要验证14奈米设计专属基础IP的建构基块。除了ARM处理器、SRAM记忆体区块之外，还包含了其他区块，为以FinFET为基础的ARM Artisan实体IP的基础IP开发工作提供不可或缺的特性资料。

　　在14奈米的设计上，多数的挑战来自于FinFET技术，ARM设计工程师们运用建立在IBM的绝缘层上覆矽（silicon-on-insulator，SOI）技术之上的14奈米FinFET技术的ARM Cortex-M0处理器，提供最佳的效能/功耗组合。采用周延的14奈米双重曝光与FinFET支援方法，搭配使用Cadence技术的工程人员来设计FinFET 3D电晶体晶片。

　　“这次14奈米测试晶片试产是我们在SOI上运用内建的电介质隔离功能，而在FinFET取得的重大进展。”IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton表示：“事实上，Cadence与ARM在设计解决方案上协同作业，将这个以IBM的FinFET技术为基础的测试晶片投入试产。我们仍将继续合作，在14奈米以上兑现全空乏型（fully depleted） SOI FinFET装置的卓越功耗、效能与变异性控制的承诺。”

　　为了成功试产，工程师们必须要有14奈米与FinFET规则台（rule decks）以及更佳的时序分析的支援。这个晶片是运用Cadence Encounter Digital Implementation （EDI）系统而设计实现的，具备运用Cadence Virtuoso工具而设计的ARM 8-track 14奈米FinFET标准单元库。

　　EDI系统提供按照以FinFET为基础的14奈米DRC规则执行设计实现所需的先进数位功能，并纳入全新GigaOpt最佳化技术，享受FinFET技术所提供的功耗与效能优势。此外，这个解决方案也运用通过生产验正的双重曝光更正设计实现功能。Encounter Power System、Encounter Timing System与Cadence QRC Extraction提供支援14奈米FinFET结构的14nm时序与电源signoff功能。