Intel正实现从14nm向10nm的过渡
Intel正在各个领域实现从14nm向10nm的过渡：轻薄本上代还是14/10nm混合，现在已经完全是10nm；游戏本、服务器马上就都会首次尝鲜10nm；桌面则要等到明年底的12代最终实现交接。
游戏本上的下一代就是Tiger Lake-H，和轻薄本的Tiger Lake-U一样划归到11代酷睿序列，预计最快明年一季度内发布，最迟4月份。
现在，我们在华硕新款TUF Gaming ZenBook游戏本中看到了Tiger Lake-H家族中的“i7-11370H”，没有给出具体规格，不过之前GeekBench 5数据库中就曾发现它，检测为4核心8线程，基准频率3.3GHz，最高加速4.8GHz，集成5MB二级缓存、12MB三级缓存。
猜测它的热设计功耗为35W。
不过，i7-11370H这个命名确实不合常理：i7 H系列编号一直都是8xx、7xx序列，比如i7-10875H、i7-10750H，而传统上3xx序列序列都是属于i3，比如i3-10300H。
根据此前消息，Tiger Lake-H系列会拥有10nm工艺、Willow Cove CPU架构、Xe GPU架构，原生支持PCIe 4.0、雷电4、Wi-Fi 6，分为35W、45W两种版本，前者最多4核心8线程、32单元，后者最多8核心16线程、96单元。
隔壁的锐龙5000H系列也是风雨欲来，下个月就有望登场，基于全新的Zen3架构，而且顶级型号锐龙9 5900HX会首次开放超频。
责任编辑:pj
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
intel
+关注
关注
19文章
3506浏览量
190570 -
服务器
+关注
关注
13文章
10094浏览量
90883 -
数据库
+关注
关注
7文章
3993浏览量
67736
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
国产芯片真的 “稳” 了？这家企业的 14nm 制程，已经悄悄渗透到这些行业…
最近扒了扒国产芯片的进展，发现中芯国际（官网链接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已经不是 “实验室技术” 了 —— 从消费电子的中端处理器，到汽车电子
发表于 11-25 21:03
银月光655nm VCSEL+460nm LED二合一光源，赋能生发设备新升级
深圳市银月光科技推出655nm VCSEL+460nm LED二合一光源，融合高效光束与杀菌抑炎功能，助力高端生发设备，提升产品竞争力。
从14nm到3nm：AI ASIC算力、能效双突破
电子发烧友网报道（文/李弯弯）2025年，全球AI芯片市场正迎来一场结构性变革。在英伟达GPU占据主导地位的大格局下，ASIC（专用集成电路）凭借针对AI任务的定制化设计，成为推动算力革命的新动力
台积电2nm良率超 90%！苹果等巨头抢单
当行业还在热议3nm工艺量产进展时，台积电已经悄悄把2nm技术推到了关键门槛！据《经济日报》报道，台积电2nm芯片良品率已突破 90%，实现重大技术飞跃！
Intel-Altera FPGA：通信行业的加速引擎，开启高速互联新时代
、机器人等高增长领域。性能突破：如Agilex系列集成PCIe Gen5、CXL技术，提供高带宽、低延迟的互联能力。能效优化：通过先进制程（如10nm SuperFin）和架构创新，降低功耗并提升集成度
发表于 04-25 10:19
广明源172nm晶圆光清洗方案概述
在半导体制造中，清洗工艺贯穿于光刻、刻蚀、沉积等关键流程，并在单晶硅片制备阶段发挥着重要作用。随着技术的发展，芯片制程已推进至28nm、14nm乃至更先进节点。
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
较为激进的技术路线，以挽回局面。
4 月 18 日消息，据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率，这高于
发表于 04-18 10:52
超窄带低波数拉曼滤光片的新升级（from 350nm to 3000nm）
超窄带陷波滤光片（Bragg Notch Filter，简称BNF）和带通滤光片（Bragg Bandpass Filter,简称BPF）是目前实现超低波数拉曼光谱(通常50cm-1以下才称为超低波数拉曼)测量常用的方法。设计波长覆盖350-3000nm波段，超低波数拉曼
突破14nm工艺壁垒：天准科技发布TB2000晶圆缺陷检测装备
TB2000已正式通过厂内验证，将于SEMICON 2025展会天准展台（T0-117）现场正式发布。 这标志着公司半导体检测装备已具备14nm及以下先进制程的规模化量产检测能力。这是继TB1500突破40nm节点后，天准在高端检测装备国产化进程中的又一里程碑。 核心技术
请问DLP650LNIR用于800nm，35fs，1KHZ的损伤阈值是多少?
您好！请问DLP650LNIR用于800nm，35fs，1KHZ的损伤阈值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量级的功率密度?
发表于 02-26 06:16
要设计CH气体检测设备应用的激光源波长为3370nm，请问DMD微镜的反射波长是多少？
请问：我现在要设计CH气体检测设备应用的激光源波长为3370nm，请问贵司的DMD微镜的反射波长是多少？我们的要求能满足吗？
发表于 02-24 08:08
DLP9500UV在355nm纳秒激光器应用的损伤阈值是多少？
DLP9500UV在355nm纳秒激光器应用的损伤阈值是多少，480mW/cm²能否使用，有没有在355nm下的客户应用案例？
这个是激光器的参数：355nm，脉宽5ns，单脉冲能量60uJ，照射面积0.37cm^2，
发表于 02-20 08:42
台积电加大亚利桑那州厂投资，筹备量产3nm/2nm芯片
据最新消息，台积电正计划加大对美国亚利桑那州工厂的投资力度，旨在推广“美国制造”理念并扩展其生产计划。据悉，此次投资将着重于扩大生产线规模，为未来的3nm和2nm等先进工艺做准备。
消息称台积电3nm、5nm和CoWoS工艺涨价，即日起效！
）计划从2025年1月起对3nm、5nm先进制程和CoWoS封装工艺进行价格调整。 先进制程2025年喊涨，最高涨幅20% 其中，对3nm、5nm等先进制程技术订单涨价，涨幅在3%到8
工商网监
评论