国内半导体制造商中芯国际(SMIC)于8月8日宣布,已开始使用FinFET工艺生产半导体芯片,并计划在2019年底前将其市场化。
这是该公司2019年第二季度财务报告中公布的内容,其联合首席执行官赵海军博士和梁孟松博士表示,“FinFET的研发工作继续加速。”该公司的14纳米工艺目前正处于风险生产阶段,预计将在年底前实现盈利。
此外,该公司还开始与12nm工艺的客户合作,提供了第一代FinFET技术的增强版本。并抓住5G / IoT /汽车和其他行业趋势的机会实现突破。
据SMIC称,14nm FinFET制造技术已在内部开发,与平面28nm工艺制造设备相比,预计将显着提高晶体管密度和性能,并降低功耗。
在2019年初,该公司宣布在今年上半年开始生产14nm,预计将略微落后于原始路线图。
该公司在其第一季度收益报告中宣布,为FinFET工艺生产而建造的Southern FinFET Fab已经完成,12nm工艺的开发正处于客户的指导阶段。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
中芯国际
+关注
关注
27文章
1453浏览量
68122 -
5G
+关注
关注
1368文章
49219浏览量
640151 -
IOT
+关注
关注
190文章
4425浏览量
209665
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
技术报告 | Gate 和 Fin Space Variation 对应力调制及 FinFET 性能的影响
技术报告·文末下载报告名称《Gate和FinSpaceVariation对应力调制及FinFET性能的影响》关键词FinFET;7nm技术;TCAD;多晶硅间距(PolyPitch);鳍间距
双芯驱动,突破不止!度亘新一代980nm泵浦激光器重磅问世
度亘核芯通过技术攻关与工艺优化,突破了多项核心关键技术,成功研发出用于EDFA的980nm高功率双芯半导体激光泵浦源,关键性能指标优于国际同
芯源EEPROM产品的优势
CP测试采用华虹128 通道同测技术
04取得嵌入式非挥发性内存解决方案厂商Cypress 90nm SONOS工艺技术 License 授权
05多种小型化的封装类型等行业中,其中 WLCSP封装面积仅为 665umx67
发表于 11-28 06:43
国产芯片真的 “稳” 了?这家企业的 14nm 制程,已经悄悄渗透到这些行业…
最近扒了扒国产芯片的进展,发现中芯国际(官网链接:https://www.smics.com)的 14nm FinFET 制程已经不是 “实
发表于 11-25 21:03
武汉芯源小容量存储芯片EEPROM产品的特点
和读取,适用于需要长期保存关键数据的设备。
多种存储容量:武汉芯源半导体的EEPROM产品提供多种存储容量选择,从2KB到512KB不等,以满足不同应用的需求。
先进的工艺:采用华虹95nm
发表于 11-21 07:10
【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+半导体芯片产业的前沿技术
的解决漏电流问题,在源极和漏极之间的电流路径的沟道中控制平面的数量被增加到3个,以抑制漏电流。
GAA:结构中有4个控制平面,与FinFET相比,漏电流问题进一步减小,在先进的逻辑半导体中
发表于 09-15 14:50
自主可控:度亘核芯成功推出全国产化830nm单模光纤耦合模块
的拥有830nm单模系列产品全流程设计与制造能力的企业!基于度亘核芯在芯片设计领域深厚的技术积淀与高端IDM制造工艺,实现了功率≥300mW
创飞芯40nm HV工艺OTP IP完成上架
珠海创飞芯科技有限公司实现新突破!我司基于40HV(40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process)工艺制程的一次性可编程存储IP核已在国内两家头部
中芯国际 7 纳米工艺突破:代工龙头的技术跃迁与拓能半导体的封装革命
流转。这家全球第三大晶圆代工厂,正以每月 3 万片的产能推进 7 纳米工艺客户验证,标志着中国大陆在先进制程领域的实质性突破。 技术突围的底层逻辑 中芯国际的 7 纳米
芯动科技独家推出28nm/22nm LPDDR5/4 IP
面对近来全球大厂陆续停产LPDDR4/4X以及DDR4内存颗粒所带来的巨大供应短缺,芯动科技凭借行业首屈一指的内存接口开发能力,服务客户痛点,率先在全球多个主流28nm和22nm工艺节
度亘核芯单模808nm半导体泵浦源填补国内空白,全球领先
度亘核芯基于自主开发的高功率、高效率、高可靠性的单模808nm半导体激光芯片,推出国际领先的高性能蝶形光纤耦合模块,率先在国内实现产业化突破,填补了
创飞芯130nm EEPROM IP通过客户产品级考核
国内领先的一站式存储NVM IP供应商创飞芯在非易失性存储技术领域取得的一项重要成果 —— 基于130nm标准工艺平台开发,为客户定制开发的
中芯国际在国内推出首个14nm FinFET工艺风险产品
评论