薄膜太阳能电池需要什么材料？首先是制备薄膜电池沉积所用的气体
硅烷(SiH4)
硅烷(B2H6)
磷烷(PH3)
还有就是沉积基: TCO 导电玻璃
背电极,一般都是铝.
别的就是
2009-10-31 10:57:54
1046 外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲，外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。外延工艺广泛用于半导体制造，如集成电路工业的外延硅片。MOS 晶体管
2023-02-13 14:35:4710448 光电子应用正在推动砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场进入一个新时代！在GaAs射频市场获得成功之后，GaAs光电子正成为一颗冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
导电橡胶板是将玻璃镀银、铝镀银、银等导电颗粒均匀分布在硅橡胶中，通过压力使导电颗粒接触，达到良好的导电性能。在军事和商业上都有应用。
2019-10-28 09:12:05
导电胶条是将玻璃纤维镀银、铝镀银、铜镀银、银、石墨镀镍、镍镀银、低密度银、高密度银、纯镍、碳黑等等微细导电颗粒，均匀分布在硅橡胶中，通过压力使导电颗粒接触而达到良好导电性能的方法制成。
2019-10-25 09:11:07
具有导电功能的薄膜。导电薄膜的荷电载流子在输运过程中受到表面和界面的散射，当薄膜的厚度可与电子的自由程相比拟时，在表面和界面的影响将变得显著，这个现象称为薄膜的尺寸效应。
2019-11-06 09:11:49
闸极,区域图样,隋后玻璃基板经光阻剥离洗净,再以薄膜区电浆辅助化学相沉积机台形成用作主动区域,经过一系列的协作.
2020-04-03 09:01:06
正确地进行显示观察孔的屏蔽设计是至关重要的。 二、透光屏蔽材料大致分为以下三类： （1）薄膜类： 金属镀膜玻璃：金属镀膜玻璃是采用真空溅射等工艺在普通或钢化玻璃表面形成致密导电膜而制成的，具有透光率
2014-09-12 17:32:17
`薄膜压力传感器厂家-我们的传感器品牌是WIKON,国产的，下图是我们传感器在压力触控笔上的应用`
2019-05-04 17:57:54
低电阻，低温条件下固化的导电性涂料印刷而成。因此，整个薄膜开关的组成，具有一定的柔软性，不仅适合于平面体上使用，还能与曲面体配合。柔性薄膜开关引出线与开关体的本身是一体的，在制作群体开关的联机时，将其
2015-01-07 13:46:11
薄膜开关，一般就是一个很薄的、弹性很好的白钢片，与下面的极板（电路板铜箔或其它金属片）之间隔了一层绝缘薄膜，按下薄膜开关，白钢片向下变形，与下面的极板接触导电，手离开后，白钢片反弹回来，电路断开。
2019-10-17 09:01:11
的，如Q值、ESR，绝缘电阻的变化以及电容值在整个指定的容差范围内的变化。尽管在许多应用场合中，这些参数变化并不会产生负面影响，目前在薄膜元件生产领域的技术突破为，设计人员提供了生产高频微波元件的一种替代
2019-07-10 07:52:18
ITO薄膜在可见光之范围内，镀膜之透光率与导电镀率约成反比之关系；例如，当镀膜面电阻率在10Ω/sq以下时，可见光透光率可达80%,但若透光率欲达到90%以上，则面电阻必须提高至100Ω/sq以上。
2019-11-06 09:01:36
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻。MC ATAU系列的外形尺寸为0402和0603，可在+ 155 ℃高温下工
2014-08-08 14:15:16
胶、底部填充胶、TUFFY胶、LCM密封胶、UV胶、各向异性导电胶、太阳能电池导电浆料等九大系列光电胶粘剂具有最高的产品性价比，公司在全球拥有近百家世界五百强客户。最近，UNINWELL国际与上海常祥
2008-12-05 15:25:06
胶、底部填充胶、TUFFY胶、LCM密封胶、UV胶、各向异性导电胶、太阳能电池导电浆料等九大系列光电胶粘剂具有最高的产品性价比，公司在全球拥有近百家世界五百强客户。最近，UNINWELL国际与上海常祥
2008-12-05 15:21:40
/index.html 摘要：在 GaAs 传感梁表面的适当位置通过空气桥技术形成薄膜，它们本身固定在端部的刚性框架上，如图 1 所示。当外部加速度施加到加速度计时，地震块将发生位移由于惯性力。地震质量的这种运动
2021-07-07 10:22:15
(HVPE)、 氨热生长、和液相外延 (LPE)。 块状晶体生长后，晶体经历晶圆加工，包括切割、研磨、机械抛光和化学机械抛光 (CMP)。机械加工产生的表面具有密集的划痕和损坏网络。然而，要通过同质外延在
2021-07-07 10:26:01
，非常需要寻找可能更适合器件制造的其他蚀刻剂。2. 蚀刻率研究在我们的研究中，我们使用通过低压金属有机化学气相沉积在半绝缘、Cr 掺杂、取向的 GaAs 衬底上生长的 InGaP 层。AsH3、PH3
2021-07-09 10:23:37
℃下退火1 h并随炉冷却至室温，之后酸洗去除基板表面的铜氧化层．其中荧光玻璃可通过控制薄膜厚度来调节发光性能．然后，将p型和n型热电粒子按照次序摆入放置在热端上的模具中，并对准陶瓷基板上涂覆有
2023-02-22 15:56:12
导电银浆AS6080P，可以极大的提高生产效率。7）豪华车星空顶制作。以星空全景玻璃为例，在全景玻璃天窗上印刷很多小图形，推荐善仁新材的低温导电银浆AS6087；小图形要和透明覆盖层上的线路粘结导通，推荐善仁新材的低温固化导电银胶AS6080H。
2022-04-15 15:38:13
我想了解关于LED关于外延片生长的结构，谢谢
2013-12-11 12:50:27
改变，从而影响锡须的生长速度。本文讨论在电子设备工程联合委员会（JEDEC）推荐的三个测试条件下进行的测试。在一定程度上，这些测试代表一些常见的实地应用条件。在测试结果的基础上研制减轻锡须生长的技术
2015-03-13 13:36:02
MOLECULAR BEAM EPITAXY: PRINCIPLES AND APPLICATIONS个人觉得不错，拿出来分享。
2014-07-28 17:16:42
是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，典型代表是Si气相外延和GaAs以及固溶体气相外延。Si气相外延是以高纯氢气作为输运和还原气体，在
2018-09-03 09:31:49
`将多壁碳纳米管（MWNT）作为导电填充物混入高分子材料SBS中，产生的导电高分子复合材料具有独特的导电性。实验验证掺杂MWNT浓度约为1wt%的SBS材料具有良好的渗流特性，在外力作用下SBS薄膜
2011-03-08 13:13:50
领导的存储器研究小组提出了一种通过增强功能层薄膜中的局域电场来控制导电细丝的生长位置和方向的方法。通过控制导电细丝的生长过程，从本质上减小导电细丝生长的随机性，从而减小ReRAM器件转变参数离散性
2010-12-29 15:13:32
的图形，包括开关的联机及其引出线均采用低电阻，低温条件下固化的导电性涂料印刷而成。因此，整个薄膜开关的组成，具有一定的柔软性，不仅适合于平面体上使用，还能与曲面体配合。柔性薄膜开关引出线与开关体的本身
2012-07-27 09:46:32
的，所以在植物生长时不需要喷洒农药就可以避免植物受到害虫的侵害。这种玻璃和无土栽培技术相结合，我们可以让长期远离陆地的飞行人员吃上新鲜的绿色蔬菜，这种技术更可以应用在舰艇上和沙漠中。我国LED转光生态玻璃已经获得了国家9项专利认证。这种技术只有少数国家才有，我国便是其中一个。黑龙江建材网
2013-06-06 14:22:54
什么是方块电阻 方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单位为
2020-06-19 16:40:37
的外延生长生产，条形(电极)以微米级可控的光刻法制作。【激光二极管的芯片结构】法布里-珀罗型LD:一种最简单的激光二极管的结构。外延生长:薄膜结晶生长技术的一种，在原有晶片上进行生长，使之以电路板结晶面一致的结晶排列生长。光刻法:一种将涂敷了感光性物质的表面曝光，利用曝光部分和未曝光部分生成图案的技术。
2019-07-04 04:20:44
辐射到另一面时受到抑制或衰减。 电磁屏蔽薄膜主要是靠具有导电性能的材料(Ag，ITO氧化铟锡等)制成的薄膜，可以镀在玻璃上，或是在其它的基板上，如塑料薄膜上，材料主要性能指标是:透光率，和屏蔽效能，即有
2016-07-13 13:56:14
外延生长法(LPE)外延生长法(epitaxial growth)能生长出和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜。在双极型集成电路中，为了将衬底和器件区域隔离(电绝缘)，在P型衬底上外延生长N型单晶硅层
2019-08-16 11:09:49
由于透明导电薄膜具有优异的光电性能，因而被广泛地应用于各种光电器件中。
2019-09-27 09:01:18
透明导电膜玻璃是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜而形成的组件。对于薄膜太阳能电池来说，由于中间半导体层几乎没有横向导电性能，因此必须使用透明导电膜玻璃有效收集
2019-10-29 09:00:52
采用真空热蒸发法在石英玻璃基片上制备了具有特殊微柱状结构的碘化铯闪烁薄膜。运用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和荧光光谱仪分别对碘化铯薄膜的形貌、结构及发光性能等进
2010-03-05 15:53:12
28 壁厚测试仪 壁厚测试仪是一种用于检测玻璃瓶壁厚的专用设备，对于瓶罐容器，如安瓿瓶、西林瓶、输液瓶、啤酒瓶和塑料瓶等，厚度测量同样至关重要。在食品和化妆品行业，包装容器如啤酒瓶和塑料瓶的厚度
2023-09-19 14:21:54
玻璃瓶壁厚测量仪 玻璃瓶在我们的日常生活和工业生产中有着广泛的应用。从食品包装到化学试剂，再到医疗用品，玻璃瓶在其中都扮演着重要角色。为了确保玻璃瓶的品质和安全性，对其壁厚的精确测量显得
2023-09-19 14:28:48
玻璃瓶壁厚测试仪 瓶罐容器大家庭涵盖了玻璃瓶、安瓿瓶、西林瓶、输液瓶、啤酒瓶、塑料瓶、瓶胚等成员。谈到玻璃瓶，我们不得不重点谈谈在轻量化过程中，壁厚指标这一重要的物理性检测项目。生产线
2023-09-19 15:02:04
钠钙玻璃热冲击强度测试仪 玻璃瓶热冲击试验仪是一种专门用于测试玻璃瓶在瞬间高温和低温环境下的热冲击性能的设备。它能够模拟实际使用中可能出现的各种热冲击情况，例如冷热温度的交替、室外和室内
2023-09-27 15:51:22
抗生素玻璃瓶壁厚测量仪 在医药行业中，玻璃瓶作为常用的包装容器，其质量与安全性倍受关注。而药用玻璃瓶测厚仪，则是确保瓶壁厚度均匀性、一致性的关键检测工具。 壁厚测厚仪的基本原理
2023-09-28 13:25:56
在材料科学和工业生产中，薄膜的热缩性能是非常重要的指标之一。薄膜在受热或受冷时，会发生尺寸的变化，这种现象称为热收缩。热缩现象可能会影响薄膜的性能，如机械强度、阻隔性能和密封性能等。因此，准确评估
2023-10-24 16:44:30
一、引言薄膜热缩性能试验仪是一种专门用于测试薄膜热收缩性能的实验设备，广泛应用于包装、材料科学等领域。本文将详细介绍薄膜热缩性能试验仪的工作原理、特点以及应用场景。二、工作原理薄膜热缩性能试验仪主要
2023-10-30 16:46:15
TVP玻璃容器热冲击试验仪TVP玻璃容器热冲击试验仪专业适用于玻璃容器在短时间内经受一定温度冲击的能力的测定 选用进口优质不锈钢板和精密机械加工工艺制造，具有耐高温，耐腐蚀的特点。采用微机
2023-12-18 15:14:02
LED 外延片--衬底材料衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技
2010-12-21 16:39:290 ITO导电玻璃基础知识
ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡
2008-10-25 16:00:113456 
硅单晶(或多晶)薄膜的沉积
硅（Si）单晶薄膜是利用气相外延(VPE)技术，在一块单晶Si 衬底上沿其原来的结晶轴方向，生长一层导电类型
2009-03-09 13:23:416889 利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移
2011-04-14 13:29:3429 天威薄膜公司自主研制的聚合物背板太阳能电池组件（单片1.1×1.3米）的轻量化技术可保证硅薄膜组件在满足IEC标准要求的前提下，将重量降至9.79kg/m2，成为目前世界上重量最轻的玻璃基
2012-05-02 13:40:01850 美国加利福尼亚大学伯克利分校（University of California， Berkeley）教授Eli Yablonovitch与美国Alta Devices公司组成的开发团队，开发出了转换效率为28.3％的单耦合型薄膜GaAs太阳能电池。
2012-05-16 09:49:553260 ITO膜层的主要成份是氧化铟锡。在厚度只有几千埃的情况下，氧化铟透过率高，氧化锡导电能力强，液晶显示器所用的ITO玻璃正是一种具有高透过率的导电玻璃。由于ITO具有很强的吸水性，所以会吸收空气中的水份和二氧化碳并产生化学反应而变质，俗称“霉变”，因此在存放时要防潮。
2013-01-28 11:05:433093 来自美国普渡大学的研究团队研发出了一种全新的可导电玻璃状透明聚合物薄膜材料，该材料易于大规模制造，成本低于氧化铟锡薄膜导电材料，导电性优于普通聚合物。
2018-06-15 11:44:005592 按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶
2018-11-19 08:00:0024 导电膜是具有导电功能的薄膜。 导电薄膜的荷电载流子在输运过程中受到表面和界面的散射，当薄膜的厚度可与电子的自由程相比拟时，在表面和界面的影响将变得显著，这个现象称为薄膜的尺寸效应。它等效于载流子的自由程减小，因此与同样材料的块体相比，薄膜的电导率较小。
2019-06-04 15:24:5914849 ITO导电薄膜是一种广泛应用于手机、平板、智能穿戴等移动通讯领域的触摸屏的生产的高技术产品。
2020-01-25 17:28:004604 通信、数据中心、激光、红外、精密光学、镜头及模组、机器视觉、光电传感等版块。其中，专业的外延片生产厂商-西安唐晶量子科技有限公司（以下简称“唐晶量子”）连续3年参展，本次带来其主打的两款高端GaAs外延片产品VCSEL和HBT。
2020-09-15 10:11:053517 虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H－SiC衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 ）和外延。 薄膜混合集成电路需要用的基片有多种，一般用得最多的是玻璃基片，其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片，有时也用蓝宝石和单晶硅基片。 薄膜工艺中包括了蒸发、溅射、化学气相淀积等。特点为电阻、电容数值控制较精确。 在薄膜电路
2021-12-22 16:41:067760 ，这种腐蚀与玻璃中氧化锡层的分层有关，这是由于氧化锡与玻璃界面附近的钠积累以及水分从边缘进入PV模块引起的。通过改变氧化锡的生长条件或通过使用氧化锌作为透明的导电性氧化物电极，可以显著降低薄膜光伏组件中的这种腐蚀。
2022-01-17 13:27:47589 
引言 外延片或所谓的外延片是一种通过外延生长生产的材料，商业上可用于许多不同的电子应用。外延晶片可以由单一材料(单晶晶片)和/或多种材料(异质晶片)制成。可用作衬底的“外延”晶片的选择有限，例如
2022-01-19 11:12:221185 
高效薄膜太阳能电池需要具有高吸收、低缺陷、透明导电的吸收层 氧化物(TCO)薄膜，透过率超过80%，导电率高。 此外，光可以通过玻璃捕获并送至光吸收层以提高效率。 本文研究了玻璃表面形貌的形式利用
2022-03-08 11:52:411214 
我们已经使用“种子层概念”在薄膜太阳能电池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，该概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(种子层)的外延增厚。由于玻璃衬底，所有工艺步骤都被限制在大约600℃的温度
2022-04-13 15:24:371392 
摘要 在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效
2022-06-20 15:27:24973 
通过图形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生长，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生长外延层。这个过程称为选择性外延生长(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 二维半导体薄膜在任意表面的异质外延技术 上海超级计算中心用户北京大学陈基研究员与合作者提出了一种在不同晶体对称性、不同晶格常数和三维架构基底上异质外延生长半导体2H-MoTe2薄膜的通用合成技术
2022-10-19 20:20:571531 
固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入加工时，硅片的硅原子受到高能注入离子的轰击
2022-11-09 09:33:5210252 取决于银粉的含量和颗粒形态、树脂种类及固化条件。选用密度小且呈片状银粉，适当提高固化温度，延长固化时间能提高电导率。 2.导电银浆由银或氧化银粉、玻璃料及树脂等调制而成，有高温银浆、中温银浆、银钯浆料及铂银浆料等多种，可涂敷或印刷，附
2022-11-17 20:42:322180 碳纳米管具有优异的导电、导热性能，碳纳米管导电薄膜具有通电加热快速升温、断电快速将的特点。红外和远红外辐射，发热效率高，传热快，重复稳定性好，性能稳定，是非常好的加热导热材料之一。
2022-11-21 10:01:141788 源漏选择性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作为硬掩模遮蔽层，利用刻蚀气体抑制遮蔽层上的外延生长，仅在曝露出硅的源漏极区域实现外延生长。
2022-11-29 16:05:151708 作者通过退火和浓盐酸处理去除制备出的MWCNT薄膜的不导电的无定形碳和金属氧化物，从而有效的提升了薄膜的导电性。然后为了MXCNT拥有更致密的结构和更高的结晶度，作者采用CSA进行了进一步处理。
2023-01-31 09:43:48684 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:353012 通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法（MOCVD）生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252103 迄今为止， 石墨烯的制备方法主要有机械剥离法、液相剥离法、碳化硅外延法、化学气相沉积法 （Chemical vapor deposition，CVD）等。其中， CVD法制备的石墨烯薄膜，尤其是在铜等金属衬底上生长的石墨烯薄膜，具有质量高和可控性好的优点，越发受到科学界和产业界的关注。
2023-02-22 11:28:291120 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092828 
由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断研究，并不断尝试利用不同的外延生长方法在Si
2023-06-10 09:43:44682 HVPE（氢化物气相外延法）与上述两种方法的区别还是在于镓源，此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源，NH3为氮源，在衬底上以1000 ℃左右的温度生长出GaN晶体。
2023-06-11 11:11:32277 SiC薄膜生长方法有多种，其中化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是生长用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
薄膜开关的导电浆料由导电载体、胶粘剂、溶剂、助剂四部分组成
2023-03-29 17:12:13488 
导电薄膜指的是具有导电性质的薄膜材料，它可以使得电信号在平面上传递，同时还具有透光性和柔韧性。导电薄膜广泛应用于触摸屏、电池、显示器等电子产品中，是现代科技发展的重要组成部分。 01 导电薄膜
2023-06-30 15:38:36959 液相外延是碲镉汞（MCT）薄膜生长领域最成熟的一种方法，被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43:341002 
原位拉曼系统实时监测半导体薄膜生长全过程前言原位拉曼系统可以实时监测半导体薄膜生长全过程，利用共聚焦拉曼光谱的“In-Situ”方式，在石英炉中原位观察半导体薄膜生长过程，并且通过监控不同的生长因素
2023-08-14 10:02:34465 
针对测量ITO导电薄膜的应用场景，CP200台阶仪能够快速定位到测量标志位；轻松实现一键多点位测量；能直观测量数值变化趋势。
2023-06-27 10:49:44715 
薄膜和多层中的应力会降低性能，甚至导致技术应用中的故障，通过诸如破裂、弯曲或分层的机制。然而，在某些情况下，应力是理想的，因为它可以用来提高涂层的特定性能，例如导电性，热稳定性，机械强度或磁性。由于这个原因，评估和控制薄膜和涂层的应力状态具有技术重要性。
2023-09-28 10:04:13197 
外延片指的是在村底上生长出的半导体薄膜,薄膜主要由P型、量子阱、N型三个部分构成。
2023-10-20 17:43:520 HVPE主要是利用生长过程中的化学反应，如歧化反应、化学还原反应以及热分解反应等实现外延晶体薄膜的制备，具有生长温度高、源炉通气量大、生长速率大的特点，一般用来制备厚膜以及自支撑衬底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:081220 
电子发烧友网站提供《太阳能光伏玻璃及其薄膜的开发与应用(四).pdf》资料免费下载
2023-11-03 09:12:300 电子发烧友网站提供《太阳能光伏玻璃及其薄膜的开发与应用（一）.pdf》资料免费下载
2023-11-03 09:18:030 通过有效控制AlN薄膜与Si衬底之间的界面反应，利用脉冲激光沉积（PLD）在Si衬底上生长高质量的AlN外延薄膜。英思特对PLD生长的AlN/Si异质界面的表面形貌、晶体质量和界面性能进行了系统研究。
2023-11-23 15:14:40232 
外延工艺的介绍，单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。
2023-11-30 18:18:16878 
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607 
只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢？
2024-02-23 11:43:59304 
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