中微推出电感耦合等离子体刻蚀设备用于批量生产存储芯片和逻辑芯片前道工序

中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中微”)正式发布了第一代电感耦合等离子体刻蚀设备Primo nanova®，用于大批量生产存储芯片和逻辑芯片的前道工序。该设备采用了中微具有自主知识产权的电感耦合等离子体刻蚀技术和许多创新的功能，以帮助客户达到芯片制造工艺的关键指标，例如关键尺寸(CD)刻蚀的精准度、均匀性和重复性等。其创新的设计包括：完全对称的反应腔，超高的分子泵抽速;独特的低电容耦合线圈设计和多区细分温控静电吸盘(ESC)。凭借这些特性和其他独特功能，该设备将为7纳米、5纳米及更先进的半导体器件刻蚀应用提供比其他同类设备更好的工艺加工能力，和更低的生产成本。

中微 Primo nanova®刻蚀机已获得多家客户订单，设备产品已陆续付运。中微首台Primo nanova®设备已在客户生产线上正常运行，良率稳定。目前公司正在和更多客户合作，进行刻蚀评估。在中微提供了一系列电容耦合等离子体刻蚀设备之后，这一电感耦合等离子体刻蚀新设备大大增强了中微的刻蚀产品线，能涵盖大多数芯片前段的刻蚀应用。

当今芯片制造所采用的新材料、新的器件结构、双重模板以至四重模板工艺和其他新的技术正在推动器件尺度的不断缩小，这使得芯片的制造越来越复杂。中微开发Primo nanova® 时，充分考虑了在这种苛刻的加工环境中，如何使刻蚀达到在晶圆片内更好的刻蚀均匀性和实时的控制能力、为芯片制造提供更宽的工艺窗口，以达到客户日益提高的技术要求，并实现较低的制造成本。

“Primo nanova®采用了当下最先进的等离子体刻蚀技术，为前沿客户提供更具创新、更灵活的解决方案。”中微副总裁兼等离子体刻蚀产品部总经理倪图强博士说道，“该设备不仅能够用于多种导体刻蚀工艺，比如浅沟槽隔离刻蚀(STI)、多晶硅栅极刻蚀;同时可用于介质刻蚀，如间隙壁刻蚀(Spacer Etch)、掩模刻蚀(Mask Etch)、回刻蚀(Etch Back)等，具有业界领先的生产率和卓越的晶圆内加工性能。这项基于电感耦合等离子体的刻蚀技术既可以用于刻蚀垂直深孔，也可以用于刻蚀浅锥形轮廓。此外，由于这个设备占地面积小、减少了耗材的使用，有相当大的成本优势。我们非常高兴看到客户已经从该设备投入生产中获益。”

中微第一代电感耦合等离子体刻蚀设备Primo nanova®

Primo nanova®的关键技术特点和竞争优势

Primo nanova®以独特的四方形主机、可配置六个刻蚀反应腔和两个除胶反应腔，它具有独特的技术创新和极高的生产效率。这些技术创新点包括：

Ø 具有自主知识产权的低电容耦合线圈设计，能够对离子浓度和离子能量实现有效的独立控制，这对更高的选择性和软刻蚀至关重要;

Ø 采用了完全对称的反应腔设计、多区细分温控静电吸盘和动态晶圆边缘耦合控制，从而带来更好的均匀性。这种设计克服了一直以来在量产中难以解决的晶圆边缘刻蚀的不均匀性问题;

Ø 与同类设备相比具有超高的分子泵抽速，以实现更宽的工艺窗口和更精确的形貌控制;

Ø 具有自主创新的等离子体增强型PVD特种材料的涂层、反应腔内壁温度的精确控制和对反应腔内表面状态的良好控制，可实现更高的工艺稳定性并减少微粒。

倪图强博士进一步指出：“从客户的反馈证实， Primo nanova®提供了我们预期达到的晶圆加工能力和生产率，以及具有竞争优势的生产成本。它也是一款多功能的设备，使用最少的配置调整就可以变换适用于多种加工工艺。”