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法国研究人员开发出新型智能晶体管
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2023-11-07 15:42:571079
1079有什么方法可以提高晶体管的开关速度呢？
在其内部移动的时间越短，从而提高开关速度。因此，随着技术的进步，晶体管的尺寸不断缩小。例如，从70纳米（nm）缩小到现在的7纳米。 2. 新材料：研究人员一直在研究新材料，以替代传统的硅材料，从而提高晶体管的开关速度。例如，
2024-01-12 11:18:222182
2182基于量子干涉技术的单分子晶体管问世
随着晶体管变得越来越小，以便在更小的占地面积内容纳更多的计算能力。一个由英国、加拿大和意大利研究人员组成的团队开发了一种利用量子效应的单分子晶体管，利用量子干涉来控制电子流。
2024-04-08 11:40:411430
1430研究人员开发出高性能p型非晶氧化物半导体
和 107 的开/关电流比，与早期 n 型氧化物薄膜晶体管的关键电气属性非常相似。此外，薄膜晶体管在长时间偏置应力下表现出显著的稳定性以及大面积薄膜的均匀性。 图源：浦项工科大学 研究人员合作开发了碲硒复合氧化物半导体材料。他们成功创造了高性能和高稳定性的p型薄膜晶体管（
2024-04-30 14:58:391203
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日本开发出用于垂直晶体管的8英寸氮化镓单晶晶圆
工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建垂直晶体管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圆。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN单晶晶圆一直都面临困难。 大阪大学和丰田合成的研究人员制造了一种 200mm 的多点籽晶 （MPS） 衬底，并成功地在衬底上生长出对角线长度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358
1358下一代3D晶体管技术突破，半导体行业迎新曙光！
新的晶体管技术。加州大学圣巴巴拉分校的研究人员在这一领域迈出了重要一步，他们利用二维（2D）半导体技术，成功研发出新型三维（3D）晶体管，为半导体技术的发展开启了新的篇
2025-03-20 15:30:451073
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东京大学开发氧化铟(InGaOx)新型晶体管，延续摩尔定律提供新思路
据报道，东京大学的研究团队近日成功开发出一种基于掺镓氧化铟(InGaOx)晶体材料的新型晶体管。这一创新在微电子技术领域引起了广泛关注，标志着微电子器件性能提升的重要突破。该研究团队的环绕式金属
2025-07-02 09:52:45833
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