0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

研究人员生产出长度小于100纳米的柔性原子薄型晶体管

NR8O_村田中 来源:cnBeta 作者:cnBeta 2021-06-23 18:17 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

世界各地的科学家们多年来一直在进行柔性电子学的研究。柔性电子学的目标是创造出能够移动和弯曲而不会断裂的设备,这可能被证明对可穿戴电子设备特别有用。斯坦福大学的研究人员现在已经开发出一种制造技术,能够生产长度小于100纳米的柔性原子薄型晶体管

100纳米比以前的技术所允许的值要小几倍。该项目研究人员将他们的进展称为"柔性电子学"。柔性电子设备的前景包括可弯曲、可塑形,以及保持能源效率。柔性电路可用于可穿戴设备或植入人体以满足健康相关需求。

柔性电路也有望对小型物联网设备非常有用。该团队必须克服的一个主要工程挑战是在不使用对柔性塑料基材来说太高热量的情况下形成薄而灵活的电子。在以前的生产方法中,柔性材料在生产过程中需要融化和分解。

该项目的研究人员开发了一种技术,从不灵活的基本基材开始分步进行。器件建立在一块涂有玻璃的固体硅板上,在那里,二维半导体二硫化钼的原子级薄膜被铺在纳米图案的金电极上。由于该步骤是使用传统的硅衬底进行的,纳米级晶体管可以使用现有的先进图案技术进行图案制作。

该团队可以实现在塑料衬底上不可能实现的分辨率。化学气相沉积法可以将二硫化钼的薄膜一次生长一层原子,得到的薄膜有三个原子厚。这个过程需要温度达到1500华氏度以上才能发挥作用,而之前的柔性基材需要680华氏度左右的温度,但在更高的温度下会分解。

该团队完成了额外的制造步骤,最终得到的柔性晶体管的性能比用以前的方法生产的任何晶体管都要高几倍。该团队认为,整个电路可以建立并转移到柔性材料上,但后续层的复杂情况使转移后的额外步骤成为必要。总的来说,整个结构有5微米厚,包括柔性聚酰胺,大约比人的头发薄5倍。

责任编辑:haq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电路
    +关注

    关注

    173

    文章

    6063

    浏览量

    177445
  • 半导体
    +关注

    关注

    336

    文章

    29977

    浏览量

    257999
  • 晶体管
    +关注

    关注

    78

    文章

    10245

    浏览量

    146216

原文标题:斯坦福大学生产出长度小于100纳米的柔性原子薄型晶体管

文章出处:【微信号:村田中文技术社区,微信公众号:村田中文技术社区】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    ‌基于NSS1001CL低压饱和压降晶体管的技术解析与应用设计

    安森美NSS100xCL通用低VCE(sat)晶体管是高性能双极结晶体管,设计用于汽车和其他要求苛刻的应用。安森美NSS100xCL
    的头像 发表于 11-25 11:26 245次阅读

    多值电场电压选择晶体管结构

    多值电场电压选择晶体管结构 为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路,实际上是对电压的一种选择,而传统二进制逻辑门电路通
    发表于 09-15 15:31

    晶体管架构的演变过程

    芯片制程从微米级进入2纳米时代,晶体管架构经历了从 Planar FET 到 MBCFET的四次关键演变。这不仅仅是形状的变化,更是一次次对物理极限的挑战。从平面晶体管到MBCFET,每一次架构演进到底解决了哪些物理瓶颈呢?
    的头像 发表于 07-08 16:28 1875次阅读
    <b class='flag-5'>晶体管</b>架构的演变过程

    下一代高速芯片晶体管解制造问题解决了!

    工艺的持续发展提供了新的方向。 根据imec的一篇最新论文,imec的研究人员引入了一种名为“外壁叉片”(outer wall forksheet)的新型晶体管布局,预计该布局将从A10代(1纳米
    发表于 06-20 10:40

    2SC5200音频配对功率PNP晶体管

    深圳市三佛科技有限公司供应2SC5200音频配对功率PNP晶体管,原装现货 2SC5200是一款PNP晶体管,2SA1943的补充
    发表于 06-05 10:24

    无结场效应晶体管详解

    当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成:双极结晶体管(BJT)包含两个背靠背的PN 结,MOSFET也是如此。结场效应晶体管(JFET) 垂直于沟道方向有一个 PN
    的头像 发表于 05-16 17:32 966次阅读
    无结场效应<b class='flag-5'>晶体管</b>详解

    多值电场电压选择晶体管#微电子

    晶体管
    jf_67773122
    发布于 :2025年04月17日 01:40:24

    多值电场电压选择晶体管结构

    为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路,实际上是对电压的一种选择,而传统二进制逻辑门电路通常比较复杂,有没有一种简单且有效的器件实现
    发表于 04-16 16:42 2次下载

    多值电场电压选择晶体管结构

    多值电场电压选择晶体管结构 为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路,实际上是对电压的一种选择,而传统二进制逻辑门电路通
    发表于 04-15 10:24

    晶体管电路设计(下)

    晶体管,FET和IC,FET放大电路的工作原理,源极接地放大电路的设计,源极跟随器电路设计,FET低频功率放大器的设计与制作,栅极接地放大电路的设计,电流反馈OP放大器的设计与制作,进晶体管
    发表于 04-14 17:24

    晶体管电路设计(下) [日 铃木雅臣]

    本书主要介绍了晶体管,FET和Ic,FET放大电路的工作原理,源极接地放大电路的设计,源极跟随电路的设计,FET低频功率放大器的设计和制作,栅极接地放大电路的设计,电流反馈行op放大器的设计与制作
    发表于 03-07 13:55

    微型晶体管高分辨率X射线成像

    的前提下展现微小晶体管的特征。 研究人员使用混合光学成像技术和其他方法来缩小潜在的问题区域;然后, 研究人员用扫描电子显微镜对芯片的部分表面进行成像;最后对芯片切片,用透射电子显微镜(TEM)进一步成像。发现缺陷后,回头来修改其
    的头像 发表于 01-16 11:10 772次阅读
    微型<b class='flag-5'>晶体管</b>高分辨率X射线成像

    日本开发出用于垂直晶体管的8英寸氮化镓单晶晶圆

    工艺的横向晶体管相比,采用氮化镓单晶构建垂直晶体管可提供更高密度的功率器件,可用于 200mm 和 300mm 晶圆。然而,制造尺寸大于4英寸的GaN单晶晶圆一直都面临困难。 大阪大学和丰田合成的研究人员制造了一种 200mm
    的头像 发表于 01-09 18:18 1285次阅读

    光速电场多值晶体管的结构

    光速电场多值晶体管的结构
    的头像 发表于 12-27 08:08 742次阅读
    光速电场<b class='flag-5'>型</b>多值<b class='flag-5'>晶体管</b>的结构

    纳米管的结构与特性解析 碳纳米管在能源储存中的应用

    构成的二维材料)卷曲而成的圆柱形结构。碳纳米管的直径通常在几纳米到几十纳米之间,长度可以达到微米级别。 2. 碳原子排列 碳
    的头像 发表于 12-12 09:09 5578次阅读