据国外媒体报道,MIT 的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的 4 倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗原子将与硅层结合起来,拉紧材料迫使最上层材料结构比它们的原始结构更加紧凑。听起来有点像我们用藤条改变植物的生长形状一样。
紧凑的结构导致锗材料之间的洞孔更加紧密,晶体管的速度达到当今大部分实验设计的2倍,市场上晶体管速度的 4 倍。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
晶体管
+关注
关注
78文章
10482浏览量
148995 -
锗晶体管
+关注
关注
0文章
1浏览量
5625
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
Onsemi双PNP偏置电阻晶体管:设计与性能剖析
Onsemi双PNP偏置电阻晶体管:设计与性能剖析 在电子设计领域,晶体管是不可或缺的基础元件。Onsemi推出的MUN5131DW1和NSBA123EDXV6双PNP偏置电阻晶体管,为电路设计带来
双PNP偏置电阻晶体管:设计与应用解析
双PNP偏置电阻晶体管:设计与应用解析 在电子电路设计中,晶体管是不可或缺的基础元件。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)推出的双PNP偏置电阻晶体管系列,包括MUN5135DW1
Onsemi数字晶体管系列:高效设计的理想之选
Onsemi数字晶体管系列:高效设计的理想之选 在电子设计领域,选择合适的晶体管对于电路的性能和成本控制至关重要。Onsemi推出的MUN2132、MMUN2132L、MUN5132
安森美双NPN偏置电阻晶体管:设计与应用解析
安森美双NPN偏置电阻晶体管:设计与应用解析 在电子设计领域,晶体管是不可或缺的基础元件。安森美(onsemi)推出的双NPN偏置电阻晶体管系列,如MUN5214DW1、NSBC114YDXV6
Onsemi双NPN偏置电阻晶体管:设计与应用解析
Onsemi双NPN偏置电阻晶体管:设计与应用解析 在电子电路设计中,晶体管是不可或缺的基础元件。Onsemi推出的MUN5235DW1、NSBC123JDXV6和NSBC123JDP6这一系列双
onsemi互补偏置电阻晶体管:设计与应用解析
onsemi互补偏置电阻晶体管:设计与应用解析 在电子电路设计中,晶体管是不可或缺的基础元件。onsemi推出的互补偏置电阻晶体管系列,如MUN5335DW1、NSBC123JPDXV6
安森美双NPN偏置电阻晶体管:设计与应用指南
安森美双NPN偏置电阻晶体管:设计与应用指南 在电子设计领域,合理选择晶体管对于优化电路性能、降低成本和节省电路板空间至关重要。安森美(onsemi)的双NPN偏置电阻晶体管系列,如
MUN5136数字晶体管技术解析与应用指南
onsemi MUN5136数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这些数字晶体管包含一个晶体管和一个单片偏置网络,单片偏置网络由两个电阻器组成,一个是串联基极电阻器,另一个是基极-发射极
电压选择晶体管应用电路第二期
电压选择晶体管应用电路第二期
以前发表过关于电压选择晶体管的结构和原理的文章,这一期我将介绍一下电压选择晶体管的用法。如图所示:
当输入电压Vin等于电压选择晶体管QS的栅极控制电压时
发表于 11-17 07:42
0.45-6.0 GHz 低噪声晶体管 skyworksinc
电子发烧友网为你提供()0.45-6.0 GHz 低噪声晶体管相关产品参数、数据手册,更有0.45-6.0 GHz 低噪声晶体管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,0.45-6.0
发表于 09-18 18:33
多值电场型电压选择晶体管结构
多值电场型电压选择晶体管结构
为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场型电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路,实际上是对电压的一种选择,而传统二进制逻辑门电路通常比较复杂
发表于 09-15 15:31
晶体管光耦的工作原理
晶体管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一种将发光器件和光敏器件组合在一起的半导体器件,用于实现电路之间的电气隔离,同时传递信号或功率。晶体管光耦的工作原理基于光电效应和半导体
下一代高速芯片晶体管解制造问题解决了!
工艺的持续发展提供了新的方向。
根据imec的一篇最新论文,imec的研究人员引入了一种名为“外壁叉片”(outer wall forksheet)的新型晶体管布局,预计该布局将从A10代(1纳米
发表于 06-20 10:40
新型锗晶体管面世,速度是当今晶体管的4倍
评论