我国研发出新型垂直纳米环栅晶体管 国产2nm芯片有望

近日，中科院对外宣布，中国科学家研发出了新型垂直纳米环栅晶体管，这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺的主要技术候选。这意味着此项技术成熟后，国产2nm芯片有望成功“破冰”，意义重大。

目前最为先进的芯片制造技术为7nm+Euv工艺制程，比较出名的就是华为的麒麟990 5G芯片，内置了超过100亿个晶体管。麒麟990首次将将5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，技术上的确实现了巨大突破，也是国产芯片里程碑式的意义。

而继华为之后，中科院研发出了2nm及以下工艺所需要的新型晶体管——叠层垂直纳米环栅晶体管。据悉，早在2016年官方就开始针对此类技术开展相关研究，历经重重困难，中科院斩获全球第一，研发出世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管。

同时这一专利还获得了多项发明专利授权，中科院的这项研究成果意义很大，这种新型垂直纳米环栅晶体管被视为2nm及以下工艺的主要技术候选，可能对国产芯片制造有巨大推动作用。如今在美国企业的逼迫下，国产企业推进自主可控已成为主流意识，市场空间将被进一步打开。相信在5年的时间内，在技术方面将实现全面突破。切断对于华为的技术提供，这将是中国整体研发芯片的一个里程碑式转折，中国将不再过于依赖美国所提供的相关芯片及其技术。

责任编辑：wv