为什么在早期的晶体研究中，人们就对晶体中的缺陷予以重视呢？首先是因为发现晶体内部没有缺陷简直是绝无仅有的。
2022-12-02 20:48:11
4133 以前，芯片提供商想办法通过晶体管和工艺技术来降低功耗。虽然晶体管是产生功耗的主要原因，但并非唯一因素，而且通过晶体管来降低功耗作用是有限的。
2011-08-18 08:50:551100 。 8050晶体管及其等效的8550晶体管设计用于低功耗推挽放大器应用中的互补晶体管对。通常，8050晶体管是2瓦放大器，最大集电极-发射极电流为1.5安培，最大集电极-发射极电压为25伏。 基本晶体管
2023-02-16 18:22:30
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
？5. 连续脉冲？单脉冲？6. 平均功耗是否在周围温度的额定功率以下？功率计算的积分公式使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种
2019-04-15 06:20:06
）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带
2010-08-12 13:59:33
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
晶体管技术方案面临了哪些瓶颈？
2021-05-26 06:57:13
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
；频率特性和通频带。难点：静态工作点调整。[理论内容]一、电路工作原理及基本关系式1、工作原理晶体管放大器中广泛应用如图1所示的电路，称之为阻容耦合共射极放大器。它采用的是分压式电流负反馈偏置电路
2009-03-20 10:02:58
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
题库来源：特种作业模考题库小程序1.晶体管特性图示仪的功耗限制电阻相当于晶体管放大电路的( )电阻。 BA.基极B.集电极C.限流D.降压2.集成运放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
的设计，运算放大电路的设计与制作。下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识。1．1 学习晶体管电路
2009-11-20 09:41:18
IC一般不能超出ICM。(3) 集电极最大允许功耗PCMPCM是指晶体管参数变化不超出规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用晶体管时，实际功耗不允许超过PCM，通常还应留有较大余量，因为功耗过大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。双极晶体管（图中以NPN为例）由PN结组成，通过在基极流过电流，而在集电极
2018-11-28 14:29:28
相对于晶体管的主要评估项目的特征。 对于各项目的评估是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。 双极晶体管
2020-06-09 07:34:33
对于晶体管放大电路，比如常用的共射放大电路，一般基极会有两个分压电阻，用来控制给基极一个合适的电平，保证晶体管的基极能导通，这两个分压电阻的阻值一般选用的都是K欧姆级别的阻值，原因是什么？ 理论依据是？谢谢！
2020-06-08 17:23:20
晶体管开关能力的方法。在这样的大功率电路中，存在的主要问题是布线。很高的开关速度能在很短的连接线上产生相当高的干扰电压。简单和优化的基极驱动造就的高性能今日的基极驱动电路不仅驱动功率晶体管，还保护功率
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
/2N5551、S8050/S8550等型号。选用时应根据应用电路具体要求而定。 后级功率放大电路中使用的互补推挽对管，应选用大电流、大功率、低噪声晶体管，其耗散功率为100~200W，集电极最大电流为
2012-01-28 11:27:38
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶体管 &
2010-08-12 13:57:39
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
低功耗设计中，晶体管控制电路会对电路产生一定的影响。无论是NPN还是PNP，晶体管的PN结都会有漏电流。当I/O控制基极电压时，为了稳定基极电压，一般在NPN开关电路的基极上加一个下拉电阻。在PNP开关电路的设计中，基极增加了一个下拉电阻。上拉和下拉电阻根据控制芯片、晶体管和电路电压进行选择。
2023-02-15 18:13:01
产生的噪声更少。它比其他晶体管小，可以像其他晶体管一样用于集成电路。X. 如何识别PNP晶体管PNP晶体管通常通过其结构来识别。在比较NPN和PNP晶体管的结构时，我们看到了各种差异。识别PNP晶体管
2023-02-03 09:44:48
，而且在高温条件下的工作也表现良好，可以说是具有极大优势的开关元件。这张图是各晶体管标准化的导通电阻和耐压图表。从图中可以看出，理论上SiC-DMOS的耐压能力更高，可制作低导通电阻的晶体管。目前
2018-11-30 11:35:30
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
先说声对不起。，这些天导师那边一堆事。时间不够。终于找到点时间便说下我的新发现。好了不说废话了，接着上次的说。我在机智云开发者界面中添加了一个设备。为了方便我今天又加了一个用宠物屋做模板的一个
2015-10-19 22:12:27
放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识
2017-07-25 15:29:55
由BTI带来的功耗降低是比较显着的。 在实际芯片测试中，使用5年后泄漏电流大约降低11%。实际的电子系统功耗降低能否达到期望的程度还不知道，但至少晶体管老化与功耗降低的关联理论上是说得通的。这是
2017-06-15 11:41:33
现在苹果的a12晶体管的数量都到100亿了，晶体管数量也不比x86低了，为什么还能还能保持低功耗，同样用arm cpu的路由器功率却越來越大？
2018-11-02 09:55:21
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000个电子，而单个电子晶体管仅包含一个或几个电子，因此将大大降低功耗并提高集成电路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人员发现了库仑阻塞现象。当施加电压时，如果量子点中
2023-02-03 09:36:05
的模拟揭示了为何ITO不能在氮化镓晶体管中形成良好的欧姆接触。模拟结果表明，ITO和在AlGaN和GaN界面的二维电子气之间存在着一个高能势垒（见图3（a））。这个势垒阻碍电子在氧化铟锡和氮化镓三角阱
2020-11-27 16:30:52
年代和 1960 年代，它也被称为超级阿尔法对。Darlington认识到这种设计对发射极-跟随电路的诸多优势，并为这一概念申请了专利。 达林顿晶体管通常具有低功耗、高增益的特性，使其对输入电流
2023-02-16 18:19:11
鳍式场效应晶体管优势 更好地控制通道 抑制短通道效应 更低的静态漏电流 更快的开关速度 更高的漏极电流（每个封装的驱动电流更大） 更低的开关电压 低功耗 鳍式场效应晶体管缺点 难以
2023-02-24 15:25:29
在现实生活中，冗余服务器问题一直都很让人纠结。有时我们甚至想过要用4台exchange2010实现CAS和MAILBOX全冗余，真是绞尽脑汁啊！现在你可以轻松了。偶的新发现就是新型的19英寸
2012-07-10 16:36:11
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
用双晶体管实现低噪声化的测量用高速前置放大器
2019-10-31 09:02:08
`在电子元器件行业，场效应晶体管一直被誉为开关电路的“神器”，那是因为场效应晶体管具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成等优点，所以在开关电路中迅速走红， 可是一提起场效应晶体管在电路中的有何特别
2019-04-16 11:22:48
仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2021-05-24 06:27:18
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
率根据区域不同而不同。1-1. 热限制区域在该区域，SOA线具有45º 的倾斜度（功率固定线）。在该区域，下降率是0.8%/ºC。1-2. 2次下降区域晶体管存在热失控引起的2次下降区域。在2次下降
2019-05-05 09:27:01
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
Iomax大。∴ Iomax≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))数字晶体管的型号说明IO和IC的区别IC: 能够通过晶体管的电流的最大理论值IO: 能够作为数字
2019-04-09 21:49:36
≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))数字晶体管的型号说明IO和IC的区别IC: 能够通过晶体管的电流的最大理论值IO: 能够作为数字晶体管使用的电流的最大值解说
2019-04-22 05:39:52
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
更短的死区时间，较低的磁化电流导致较低的反向传导损耗。在状态3下，当驱动信号VGSL为高电平时，晶体管的ZVS实现，并且没有开关导通损耗。在状态4时，晶体管以从漏极到源极的正向电流导通。在此状态下存在
2023-02-27 09:37:29
。在数字设备中，肯定会使用大规模集成电路，所以不会采用电子管。 通过以上的内容可以看到，电子管与晶体管在结构与工作方式上都存在着较大的区别，这就导致了两者在应用范围上的不同，显然适应性更加广泛的晶体管将逐渐取代传统电子管是必然的发展方向，但在某些特定的设计或者场合中仍需使用电子管。
2016-01-26 16:52:08
，在这种情况下采用基于氮化镓（GaN）晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似，GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制，单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率，并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
;span]除了使用多栅结构提高器件的栅控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一种减小集成电路功耗的方法是降低晶体管的工作电压Vdd。传统的MOSFET等比例缩小原则假设阈值电压也能等比例
2018-10-19 11:08:33
彩电自动搜台露存的新发现 作者： 王记锁 春节刚过，亲戚一台康佳T5429E型彩电
2006-04-17 22:26:011090 晶体管分类
按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体
2009-11-05 10:48:534989 PNP晶体管,PNP晶体管是什么意思
PNP晶体管是另一种类型晶体管.它的结构如图1所示。
2010-03-05 11:18:056814 双极晶体管,双极晶体管是什么意思
双极晶体管
双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器
2010-03-05 11:48:466586 电力晶体管(GTR),电力晶体管(GTR)是什么意思
电力晶体
电力晶体管管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶体管,CMOS晶体管是什么意思
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大
2010-03-05 17:34:108979 科学家新发现:碳纳米管产生大电流(新型发电方式)
麻省理工学院科学家发现一种新发电方式，利用碳纳米管产生出大电流，可为超小型设备提供电能，而且纳米管产生
2010-03-15 08:44:171404 场效应管,晶体管,场效应管和晶体管的区别
场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中
2010-03-31 10:06:221113 新发现半导体薄膜材料可产生光伏效应
劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员发现一种新的方法，可克服传统固态
2010-04-20 09:14:091323 在本周于旧金山召开的英特尔开发者大会(IDF)中，英特尔将再揭示其采用三栅极(tri-gate)3D晶体管技术的22nm元件细节，并进一步说明超轻薄笔电(Ultrabook)的超薄、超低功耗设计概念。
2011-09-16 09:23:431145 韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质，新型晶体管克服了由传统半导体材料制成的晶体管面临的很多问
2011-11-03 09:34:59959 《晶体管精华集锦》技术专题主要介绍了晶体管新品资讯、晶体管原理、晶体管手册、晶体管电路图、晶体管电路设计、晶体管应用（主要含晶体管收音机、晶体管测试仪）以及常见的晶体管（如：场效应晶体管,mos晶体管,绝缘栅双极晶体管等）。本专题内容丰富、包罗万象，希望对各位有所帮助！
2012-08-03 09:12:48
在电费占运营成本 (OPEX) 很大一部分，而运营成本则占总成本约70%的情况下，降低功耗对运营商来说已刻不容缓。以前，芯片提供商想办法通过晶体管和工艺技术来降低功耗。虽然晶体管是产生功耗
2017-11-24 18:37:331938 随着硅基半导体达到其性能极限，氮化镓（GaN）正成为推动发光二极管（LED）技术、高频晶体管和光伏器件的下一代材料。然而，阻碍GaN发展的是其体内存在的大量缺陷。
2018-07-09 11:06:5213513 本文首先阐述了晶体管的概念，其次介绍了晶体管的优越性，最后阐述了晶体管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 场效应晶体管（FET）简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2020-07-02 17:18:56
103 当传感器监测到选定的压力信号传递到晶体管时会产生响应，随后传导并放大这些信号进行检测。近来，一种被称为有机电化学晶体管（OECT）的新型晶体管技术，在低电压和低功耗下展现出了优越的信号放大能力。
2021-03-17 13:59:5815032 晶体管简介
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如
2022-02-09 12:34:232 硅晶体管的发展导致更多基于硅的晶体管的发明，例如金属氧化物半导体晶体管(MOSFET)。第一个 MOSFET由贝尔实验室研究员 John Atalla 于 1960 年制造。该设计基于 Shockley 的场效应理论。
2022-08-05 12:52:135164 高频晶体管（High Frequency Transistor）是一种用于高频信号放大和处理的晶体管。相比于普通的晶体管，高频晶体管具有更高的工作频率和更低的噪声系数，因此广泛应用于无线电通信、雷达、导航、广播电视等领域。
2023-02-25 15:05:443765 基于他对理解半导体物理学的理论贡献和他发明的结型晶体管，肖克利与巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年诺贝尔物理学奖，以表彰“半导体研究和晶体管效应的发现”。
2023-03-15 12:23:072398 场效应晶体管是电压控制元件，因此和普通双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:043376 
微波晶体管按功能分类可分为微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管，低噪声晶体管和大功率晶体管被用于设计低噪声放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:274561 
来源：半导体芯科技编译 蚕丝编织成的晶体管可以制造出高灵敏度的超快传感器，这些新发现可能为这种混合器件的许多其他应用打开大门。 晶体管通常由矿物和金属等无机材料制成。然而，在晶体管中加入有机材料可以
2024-01-22 19:47:48664 CMOS晶体管和MOSFET晶体管在电子领域中都扮演着重要角色，但它们在结构、工作原理和应用方面存在显著的区别。以下是对两者区别的详细阐述。
2024-09-13 14:09:095525 NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别。
2024-09-13 14:10:009544 通过改变沟道中的电场来控制源极和漏极之间的电流。 输入阻抗 ： 晶体管 ：输入阻抗相对较低，因为基极需要电流来控制。 场效应管 ：输入阻抗非常高，因为栅极控制是通过电压实现的，不需要电流。 功耗 ： 晶体管 ：在开关应用中，晶体管的功耗
2024-12-03 09:42:522013 电子发烧友网为你提供()0.45-6.0 GHz 低噪声晶体管相关产品参数、数据手册，更有0.45-6.0 GHz 低噪声晶体管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
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