和 V电子数据分析位于单独的接地基准上，并且每个基准的电压可能不同。在本文中，引脚 1 到引脚 3 将称为初级侧，引脚 4 到引脚 6 将称为次级侧。栅极驱动器提供的隔离很容易达到数百伏，从而允许更高的系统总线电压。
2022-12-19 11:46:18
1808 
通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
特别是高电流栅极驱动器，其能够通过降低开关损耗帮助提升整体系统效率。当FET开关打开或关闭时，就会出现开关损耗。为了打开FET，栅极电容得到的电荷必须超过阈值电压。栅极驱动器的驱动电流能够有助于栅极
2022-11-14 06:52:10
降至地电压以下。发生这种情况时，高端驱动器可能发生闩锁，并永久性损坏。光耦合器栅极驱动器另一种方法(如图2所示)利用两个光耦合器和两个栅极驱动器来实现输出之间的电流隔离，从而避免了高端-低端交互作用
2018-10-23 11:49:22
所示)利用两个光耦合器来实现输出之间的电流隔离，从而避免了上桥臂-下桥臂交互作用的问题。栅极驱动器电路往往置于与光耦合器相同的封装中，最常见的情况是，两个独立的光耦合器栅极驱动器IC构成完整的隔离式半桥
2018-10-16 16:00:23
压以下。发生这种情况时，高端驱动器可能发生闩锁，并永久性损坏。 光耦合器栅极驱动器 另一种方法（如图2所示）利用两个光耦合器和两个栅极驱动器来实现输出之间的电流隔离，从而避免了高端-低端交互作用
2018-09-26 09:57:10
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
使控制器过热，进而受损。栅极驱动器具有更高驱动能力，支持快速切换，上升和下降时间只有几纳秒。这可以减少开关功率损耗，提高系统效率。因此，驱动电流通常被认为是选择栅极驱动器的重要指标。与驱动电流额定值相对
2021-07-09 07:00:00
同时施加一个信号，则两个通道输出的时间延迟是延迟匹配数值。延迟匹配数值越小，栅极驱动器可以实现的性能越好。延迟匹配有两个主要好处：· 确保同时驱动的并联MOSFET具有最小的导通延迟差。· 简化了栅极
2019-04-15 06:20:07
在电源电子（例如驱动技术）中，IGBT（隔离式栅极驱动器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗
2021-11-11 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
当今世界，设计师们似乎永远不停地追求更高效率。我们希望以更低的功率输入得到更高的功率输出！更高的系统效率需要团队的努力，这包括（但不限于）性能更高的栅极驱动器、控制器和新的宽禁带技术。特别是高电流
2019-08-07 04:45:12
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
出现任何开环不稳定或次谐波振荡。由于开关频率取决于LED负载电流，因此可以实现高效率的工作。LED驱动器工作原理典型的应用电路如图1所示，当PWMD为高电平时，控制电路被启用，栅极驱动器打开外部功率
2020-09-11 17:18:01
50V以下。需要说明的一点是，捕捉波形时使用的是1GHz示波器和探头。结论GaN晶体管与其驱动器的封装集成消除了共源电感，从而实现了高电流压摆率。它还减少了栅极环路电感，以尽可能地降低关闭过程中的栅极应力，并且提升器件的关断保持能力。集成也使得设计人员能够为GaN FET搭建高效的过热和电流保护电路。
2018-08-30 15:28:30
摘要通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年，UCC27282 120-V 2.5A
2022-11-10 07:04:55
情况时，高端驱动器可能发生闩锁，并永久性损坏。光耦合器栅极驱动器另一种方法（如图2所示）利用两个光耦合器和两个栅极驱动器来实现输出之间的电流隔离，从而避免了高端-低端交互作用的问题。栅极驱动器电路往往
2018-07-03 16:33:25
变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。
2020-10-29 08:23:33
上。这种电隔离可以通过集成高压微变压器或电容器来实现。1, 2, 3 一次意外的系统故障均可导致功率开关甚至整个功率逆变器损坏和爆炸。因此，需要针对高功率密度逆变器研究如何安全实施栅级驱动器的隔离功能。必须测试和验证最坏情况下（功率开关被毁坏）隔离栅的可靠性。
2021-01-22 06:45:02
/dt 下的有源米勒钳位的有效性以及 IGBT 栅极驱动器的源自可调速电气电力驱动系统 (IEC61800-3) 的系统级 ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad
2018-12-27 11:41:40
逆变器中驱动 SiC，尤其是在功率级别>100kW和使用800V电压母线的情况下，系统需要一款具有可靠隔离技术、高驱动能力以及故障监控和保护功能的隔离式栅极驱动器。牵引
2022-11-03 07:38:51
，但也存在一些局限性。在栅极驱动应用中，脉冲变压器的一个优势是可以将3 V或5 V逻辑电平提升到15 V或更高的电压，以便驱动MOSFET的栅极。遗憾的是，为了驱动高电流同步整流器电路，可能需要一个
2018-10-15 09:46:28
驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级（驱动强度不足）以及系统级均会带来挑战：难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
2018-12-07 14:05:13
使用新型薄氧化层漏极延伸MOS器件，该驱动器可实现可靠的高压操作，而这一新型器件通过CMOS技术实现时无需额外的费用。那么，我们该如何利用射频功率放大器驱动器实现无线系统呢？
2019-07-31 06:07:48
板。 负输出电压操作保证低至 -4V，即使在高感性电流下也能实现精确的栅极控制。这已通过专门设计的电平转换器和浮动电源生成来适应。 对于高占空比应用（例如电机驱动器和D类放大器），必须长时间保持
2023-02-24 15:09:34
高负载电流下，其电压V通用电气（米勒）更高［1］。从公式3可以明显看出，在较高的米勒平台电压下，栅极电流较低。因此，通过使用电压源驱动器，可以预期导通dv/dt将随着负载的增加而稳步下降，从而导致更高
2023-02-21 16:36:47
，能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流，并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器，可轻松用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
在设计电机驱动器时，保护操作重型机械的人员免受电击是首要考虑因素，其次应考虑效率、尺寸和成本因素。虽然IGBT可处理驱动电机所需的高电压和电流，但它们不提供防止电击的安全隔离。在系统中提供安全隔离
2022-11-10 06:40:24
电机电能效率中的栅极驱动与电流信号隔离问题分析
2021-03-11 06:40:00
部分及其评估而进行调整，是以非常高的速度进行高电压和大电流切换的关键。尤其在电路设计的初步评估阶段，使用评估板等工具可使开发工作顺利进行。关键要点:・使用专用栅极驱动器和缓冲模块，可显著抑制浪涌和振铃。・在损耗方面，Eon增加，Eoff減少。按总损耗（Eon + Eoff）来比较，当前损耗减少。
2018-11-27 16:36:43
V或5 V逻辑电平提升到15 V或更高的电压，以便驱动MOSFET的栅极。遗憾的是，为了驱动高电流同步整流器电路，可能需要一个单独的高电流栅极驱动器IC。还有一点需要考虑：脉冲变压器不能很好地处
2017-04-05 14:05:25
，并提供驱动功率开关栅极所需的驱动信号。在隔离系统中，它们还可实现隔离，将系统带电侧的高电压信号与在安全侧的用户和敏感低电压电路分离。为了充分利用GaN/SiC技术能够提供更高开关频率的功能，栅极
2018-10-16 21:19:44
，并提供驱动功率开关栅极所需的驱动信号。在隔离系统中，它们还可实现隔离，将系统带电侧的高电压信号与在安全侧的用户和敏感低电压电路分离。为了充分利用GaN/SiC技术能够提供更高开关频率的功能，栅极
2018-10-16 06:20:46
，并提供驱动功率开关栅极所需的驱动信号。在隔离系统中，它们还可实现隔离，将系统带电侧的高电压信号与在安全侧的用户和敏感低电压电路分离。为了充分利用GaN/SiC技术能够提供更高开关频率的功能，栅极驱动器
2018-10-24 09:47:32
问题:是否需要专门的栅极驱动器来提供正负电压？
2019-02-28 15:00:15
如果一个特殊的功率器件需要正负栅极驱动，电路设计人员无需特别寻找可进行双极性操作的特殊栅极驱动器。使用一个简单的技巧，就可以使单极性栅极驱动器提供双极性电压！
2019-08-06 06:08:24
，还需要解决一些设计挑战。多通道栅极驱动器可以将多个通道集成到单个芯片中，并提供诊断和电流检测放大器等功能，从而帮助解决这些难题。DRV8718-Q1 多通道栅极驱动器可提供灵活、紧凑的解决方案，有助于实现汽车座椅的最新功能。
2022-11-03 07:05:16
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
的短路电流电平、更小的芯片尺寸，以及更低的热容量和短路耐受时间。这凸显了栅极驱动器电路以及过流检测和保护功能的重要性。本文讨论现代工业电机驱动中成功可靠地实现短路保护的问题，同时提供三相电机控制应用中隔离式栅极驱动器的实验性示例。
2021-01-25 06:43:37
的鲁棒性。虽然图腾柱电路是作为一种成熟解决方案已流行多年，但现代和未来的系统需要更高的集成度和更高的性能。随着半导体技术的进步，栅极驱动器IC的成本已可与分立电路相比，这使得IC解决方案对于大多数
2017-08-21 14:33:56
。 虽然图腾柱电路是作为一种成熟解决方案已流行多年，但现代和未来的系统需要更高的集成度和更高的性能。随着半导体技术的进步，栅极驱动器IC的成本已可与分立电路相比，这使得IC解决方案对于大多数应用而言更具吸引力和可行性。
2017-04-01 15:22:24
苛刻的电压瞬变，可能会出现的电动工具电压供应在电机运行。独立栅极驱动器具有更宽的电源电压范围，可以承受这些瞬变(如下面讨论的50v 和更高的栅极驱动器) ，这将使系统设计人员在大跨度电动工具电池上实现
2022-04-14 14:43:07
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT） 的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
描述TIDA-00174参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压用于
2022-09-26 07:54:11
3kVRMS 基础型隔离式栅极驱动器，可以驱动高侧和低侧(...)主要特色适合单相和三相逆变器、中高电压电源转换器（100VAC 至 230VAC）0.5A/2A/6A/10A 拉电流和灌电流适合驱动
2018-09-30 09:23:41
驱动器小充电器和大栅极传输是隔离式栅极驱动器的特色。它广泛应用于大功率和高电压应用，绝缘安全且控制快速。图 1 显示了隔离式栅极驱动器的常见电源系统应用。图 1：隔离驱动器的常见电源系统应用隔离系列产品
2022-09-30 14:05:41
电流强度的隔离式栅极驱动器可以降低 SiC MOSFET 功率损耗，实现更快的开关频率，从而提高效率，从而改善新的电动汽车型号的驱动范围。符合 TI 功能安全标准的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 栅极驱动器附带大量设计支持工具，可帮助实现。
2022-11-02 12:02:05
需要很快，以尽可能缩短切换时间。为了实现这一点，需要高瞬变电流来使栅极电容快速充电和放电。图2.无栅极驱动器的MOSFET导通转换能够在更长时间内提供/吸收更高栅极电流的驱动器，切换时间会更短，因而
2018-10-25 10:22:56
讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器？考虑一个具有微控制器的数字逻辑系统，其I/O引脚之一上可以输出一个0 V至5 V的PWM信号。这种PWM将不足以使电源系统中使用的功率器件完全导通，因为其过驱电压一般超过标准CMOS/TTL逻辑电压。如此，请大神分析下面两种方式：
2018-08-29 15:33:40
/IGBT可能会使控制器过热，进而受损。栅极驱动器具有更高驱动能力，支持快速切换，上升和下降时间只有几纳秒。这可以减少开关功率损耗，提高系统效率。因此，驱动电流通常被认为是选择栅极驱动器的重要指标
2018-11-01 11:35:35
新年伊始，设计师们似乎在永远不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我讨论了高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管
2019-03-08 06:45:10
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
基于CMOS的隔离栅极驱动器以提高电源供电系统设计
与传统的解决方案相比,完全集成的隔离栅极驱动器械可以显着地提高开关电源的效率,性能和可靠性.
2010-06-19 09:29:31
44 利用低端栅极驱动器IC进行系统开发
低端栅极驱动器IC是专用放大器，普遍用于电源设计中，根据来自PWM控制器的输入信号开关接地参考MOSFET和 IGBT。对于低于100~200W
2009-12-12 09:46:16751 
H 电桥电路用于许多存在高压和其它电气风险的电源应用,如逆变器和电机驱动器等.为提供安全保护,设计人 员可以利用两个双通道隔离式栅极驱动器将控制电路与 H 电桥隔离开来,例如
2012-05-30 11:27:180 本文将详细阐述实现隔离式半桥栅极驱动器设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2012-12-17 15:12:462587 
隔离式半桥栅极驱动器可用于许多应用，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，探索隔离式半桥栅极驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2017-02-09 17:40:112955 
许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2017-02-10 07:57:417403 
在此系列的第一部分中，讨论过高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器也可以实现相同的效果。
2017-03-01 15:49:511688 
观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉！该视频系列说明了栅极驱动器的工作原理，并重点介绍
2017-04-26 15:18:383417 
1.2知道你的栅极驱动器：驱动电流
2019-04-23 06:08:002693 
)时MOSFET才开始导通。这就要求栅极驱动的栅极电流足够大，能够瞬时充满MOSFET栅极电容。因此，栅极驱动就是起到驱动开关电源导通与关闭的作用。 栅极驱动器工作状态 栅极驱动器工作输出电压使开关管导迢并运行于开关状态下。这种通过高压稳压器自给供电的方法就是第节所介
2022-11-16 17:50:18987 FET栅极驱动器和电源的支持组件集成在栅极驱动器中，从而缩减了串联栅极电阻器、栅极灌电流路径二极管、栅源电压(VGS)钳位二极管、栅极无源下拉电阻器和电源等组件的物料清单(BOM)和组装成本。
2021-01-13 14:06:282800 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 电子发烧友网为你提供高电流栅极驱动器是如何提升整体系统效率的？资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-19 08:40:131 PrestoMOS。 采用了无闩锁效应SOI工艺的高可靠性 非隔离型栅极驱动器 ROHM的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应SOI工艺，实现了高可靠性。产生闩锁效应时，会流过大电流，可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺
2021-08-09 14:30:512408 8位源极驱动器和864栅极驱动器OTM8019A
2021-08-16 11:31:2610 新年伊始，设计师们似乎在永远不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我讨论了高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器可以实现相同的效果。
高速栅极驱动器可以通过降低FET
2021-12-23 16:52:13710 
虽然 SiC 提供了一系列优势，包括更快的开关和更高的效率，但它也带来了一些设计挑战，可以通过选择正确的栅极驱动器来解决。
2022-08-03 09:13:511497 
如何实现更高的系统效率——第二部分：高速栅极驱动器
2022-11-02 08:15:592 如何利用高电流栅极驱动器实现更高的系统效率
2022-11-02 08:16:030 使用隔离式栅极驱动器的实用设计指南
2022-11-14 21:08:4310 隔离式半桥栅极驱动器用于许多应用，从需要高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器。本文将详细讨论这些设计概念，探讨隔离式半桥栅极驱动器解决方案提供高性能和小尺寸解决方案的能力。
2023-01-17 11:08:462400 
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于IGBT，它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:121151 
栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 UCC27282 120V半桥驱动器具有多项新特性和参数改进，有助于实现更高水平的电源模块性能和稳健性。EN引脚上的低电平信号可禁用驱动器，将UCC27282设置为非常低的IDD电流状态。当禁用
2023-03-30 09:50:03656 
栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45547 具体而言，大电流栅极驱动器可以通过最小化开关损耗来帮助提高整体系统效率。当 FET 打开或打开和关闭时，会发生开关损耗。要打开FET，栅极电容必须充电超过阈值电压。栅极驱动器的驱动电流有利于栅极电容
2023-04-07 10:23:291231 
特别是高电流栅极驱动器，其能够通过降低开关损耗帮助提升整体系统效率。当FET开关打开或关闭时，就会出现开关损耗。为了打开FET，栅极电容得到的电荷必须超过阈值电压。
2023-04-08 09:19:29486 
栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电栅极驱动器的原理及应用分析用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-05-17 10:14:526257 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391475 
阀和电机驱动器方面的应用扩展，车用栅极驱动器的需求日益增长。矽力杰高低边栅极驱动器矽力杰SA52631是一款高压高低边半桥驱动器，用于直接驱动高边和低边通道。半桥通道可
2022-10-13 11:28:341863 
、更高效的系统设计。 开 发 背 景 全球清洁能源市场要求汽车和工业领域的功率系统设计师更高效地产生、储存和使用能源，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）能够在系统级提供明显的效率优势，但往往也伴随着一些巨大的集成挑战。 传统栅极驱动器的实现需要隔离栅极驱动器和
2023-07-13 16:05:02416 
栅极驱动器是一种电子器件，它能够将信号电平作为输入，通过放大和转换等过程，产生适合于驱动下级器件的电源信号。栅极驱动器广泛应用于各种电子设备中，如显示器、LED灯、电源逆变器等。
2023-07-14 14:48:441357 电子发烧友网站提供《实现隔离式半桥栅极驱动器的设计基础.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:57:320 使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）
2023-11-28 16:18:10272 
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