模拟技术
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如何缓解半导体封装中的银迁移现象呢？
银在电导率、稳定性方面具有优异特性，被广泛用于电子元器件中的导线和接点，然而在长时间高温和高电场的环境下常常出现银迁移现象，如何缓解银迁移现象呢？...
2023-05-20 4037
赛思电子近期获奖情况回顾
中国科协发布了《关于公布2023年全国科技工作者状况调查站点名单的通知》，赛思被设为浙江省6个新增站点之一。 全国科技工作者状况调查站点是中国科协设立的一个全国唯一以科技...
2023-05-31 215
SiC模块开启电机驱动器更高功率密度
牵引驱动器是电动汽车（EV）几乎所有能量的消耗源。因此，驱动系统必须尽可能提高效率，同时以最低重量占用最小空间 — 这些均旨在尽可能提高电动汽车的续航能力。...
2023-05-19 849
推荐一款品质优良的副边15W开关电源芯片SF1538
开关电源虽然具有很高的效率，但开关电源芯片的热阻和散热能力有一定的局限性，所以一定要计算系统所需的电压和电流，从而计算出系统的功耗...
2023-05-19 541
英飞凌推出120-200A 750V EDT2工业级分立IGBT
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技术，具有最低的导通损耗和开关损耗，这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc。 120-200A 750V EDT2工业级分立IGBT，采用可回...
2023-05-19 548
物联网应用中，关键模拟信号链产品介绍
在很多人的印象中，如今的物联网（IoT）大部分创新都集中在数字技术上。从尽人皆知的云计算，到近年来炙手可热边缘智能，这其中数字技术的推动作用大家有目共睹。不过，在讨论中也许我...
2023-05-19 1077
MOS_DS电压尖峰产生的原因
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。...
2023-05-19 5287
英飞凌推1200V SOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列
EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。...
2023-05-18 378
如何突破功率半导体器件性能天花板?
碳化硅衬底材料能量损失更小。在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量...
2023-05-18 263
一起聊聊400G线路传输方案
目前100G线路传输方案非常成熟并且大量商用，但随着5G时代的到来以及4K、VR、云计算、大数据等新业务迅速兴起，光网络蓬勃发展，100G光网络将越来越不能满足带宽的传输需求。...
2023-05-18 1320
FR场景下的4x200G技术分析
基于单通道200G的PAM4 技术，是光强度调制和直接检测互连的下一代技术的主要阶段，它将成为4通道800G光连接的基础，也是未来1.6Tb/s 互连的重要构建基础。...
2023-05-18 1186
碳化硅肖特基二极管B2D60120H1性能优势
碳化硅的RDS（ON）较低，因而开关损耗也较低，通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，...
2023-05-18 328
基本半导体BGH75N120HF1在高频DC-DC电源转换器的优势
混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。...
2023-05-18 220
DS1859内部校准和右移（可扩展动态量程）
DS1859与众不同的是其内部校准和右移（可扩展动态量距）功能。结合使用时，这些特性极大地增强了DS1859的12位模数转换器（ADC），使其具有高达16位ADC的精度和准确度，而不会增加成本和尺寸...
2023-05-18 483
HFAN-08.2.1：用于热电模块的PWM温度控制器
对于大多数电子系统，精度受环境温度变化的影响。我们可以通过将关键组件的局部温度限制在较窄的范围内来提高精度。这种方法的适当应用包括高性能晶体、表面声波 （SAW） 滤波器、光子...
2023-05-18 1349
Σ-Δ型ADC教程
Σ-Δ转换器（1位ADC）的模拟侧非常简单。数字方面使得Σ-Δ型ADC的生产成本低廉，但更为复杂。它执行滤波和抽取。要了解其工作原理，您必须熟悉过采样、噪声整形、数字滤波和抽取的概念。...
2023-05-18 1388
如何化解第三代半导体的应用痛点
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，...
2023-05-18 1128
一文解析模拟电路
我们经常看到很多非常经典的运算放大器应用图集，但是这些应用都建立在双电源的基础上，很多时候，电路的设计者必须用单电源供电，但是他们不知道该如何将双电源的电路转换成单电源电...
2023-05-18 1641
SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性
碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。...
2023-05-18 251
芯炽8/16通道24位模数转换器SC1644概述
压力传感器充当传感器，并产生与其所承受的力相对应的电压电信号。该输出电压通常在毫伏范围内非常低。为了捕获这种低压信号，必须使用非常灵敏和精确的器件，本文介绍了芯炽8/16通道...
2023-05-18 367
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