0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

晶盛机电公司成功生产出行业领先的8英寸碳化硅晶体

lPCU_elecfans 来源:电子发烧友网 作者:电子发烧友网 2022-09-07 09:29 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)衬底产能在近年成为了碳化硅行业痛点,随着电力电子行业,包括电动汽车、光伏、储能、风电等新能源应用市场的发展,碳化硅功率器件因为高效率、高耐压等优势受到了追捧,导致产能严重供不应求。增加产能的有效方法就是提高衬底尺寸,目前碳化硅衬底尺寸正在从6英寸往8英寸发展。

全球最大的碳化硅衬底供应商Wolfspeed,今年4月刚刚开始在全球首个8英寸碳化硅晶圆厂试产,预计今年年底可以向客户供货。8英寸衬底虽然生产成本比6英寸高,但以32平方毫米的裸晶为例,每片8英寸晶圆上的裸晶数量增加近90%,且边缘裸片的数量占比从14%减少至7%,综合良率可达80%以上。因此综合下来,8英寸衬底除了产能可以大幅增加之外,在单裸晶的成本上会占有一定优势。

最近晶盛机电宣布,公司成功生产出行业领先的8英寸碳化硅晶体。翻看公司公告,在8月12日晶盛机电首颗8英寸N型碳化硅晶体就已经成功出炉,表示成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题。

碳化硅产业的关键是衬底,晶体制备又是碳化硅衬底的核心,碳化硅晶体通过切割、研磨、抛光、清洗等工序后就可以作为衬底。

可能很多人都听说过第三代半导体是中国半导体产业实现“弯道超车”的机会,但从碳化硅产业来看,国内产业总体而言其实还是落后于欧美头部厂商。

在衬底方面,国内目前商业碳化硅衬底产品以4英寸小尺寸为主,近几年逐步往6英寸推进。在半绝缘型SiC衬底中,国内天岳先进在全球市场中占比达到30%,仅次于Wolfspeed和II-VI排名第三。

而国际厂商目前主流碳化硅衬底产品为6英寸,龙头企业大多已经完成8英寸衬底的研制,Wolfspeed预计今年年底可以向客户供货。

那么按照衬底尺寸的进度,国际上4英寸碳化硅衬底量产时间相比国内要早10年以上,6英寸也要相比国内量产时间节点早7年左右,总体而言差距较大。不过从4英寸到6英寸,我们也能看到代差其实在缩短。

到了8英寸的阶段,先来看看国际企业的情况。今年4月,业界龙头Wolfspeed的全球最大碳化硅晶圆厂、全球首座8英寸碳化硅工厂正式开业,预计今年年底可以向客户供应8英寸碳化硅衬底,并在2024年达产,最终产能将会达到2017年的30倍。

今年5月,法国Soitec公司发布了其首款8英寸碳化硅衬底,目前正在开展第一轮关键客户产品验证,有望2023年在柏林新工厂中实现量产。

II-VI早在2015年就展示了8英寸导电型碳化硅衬底,2019年又研发出半绝缘8英寸碳化硅衬底。不过量产进度相比于Wolfspeed还稍微落后,2021年II-VI表示未来5年内,将碳化硅衬底的生产能力提高5至10倍,其中包括量产8英寸的衬底。

去年7月意法半导体宣布在瑞典北雪平工厂制造出首批8英寸碳化硅衬底,不过大规模量产还要等2023年意大利的新工厂落成。罗姆也表示会在2023年开始量产8英寸碳化硅衬底。

国际大厂8英寸碳化硅衬底的量产时间集中在2023年附近,那么国内情况如何?进展较快的是中电科第二研究所全资子公司烁科晶体,他们在2020年宣布8英寸碳化硅衬底研发成功,随后在去年8月宣布研制出8英寸碳化硅晶体后,今年1月又完成了8英寸N型(导电型)碳化硅抛光片小批量生产。

中科院物理研究所今年5月成功研制出8英寸碳化硅导电单晶,可以用于制造碳化硅单晶衬底。该研究所目前与天科合达合作,通过企业将研究成果产业化,目前已经实现4-6英寸碳化硅衬底的大批量生产和销售,但8英寸显然还处于研发阶段。

除此之外,天岳先进、露笑科技等国内企业都宣布了研发8英寸碳化硅衬底的计划,但目前为止还没有明确的量产时间表。

如果将Wolfspeed在2019年11月完成首批8英寸碳化硅晶圆样品制备作为国际上8英寸小批量生产的参考节点,那么理想状态下,国内进展最快的烁科晶体在8英寸产品上与国际差距不到三年,相比于6英寸量产节点差距再大幅缩小。

但盲目追赶尺寸也并非理性,其实国内碳化硅衬底普遍在良率、缺陷率上与国际上的领先产品还有差距,比如国内6英寸碳化硅衬底良率普遍在30%-40%左右,Wolfspeed目前已经可以做到60%左右了。所以对于国内碳化硅衬底企业而言,目前最重要的是与下游客户合作,共同改善产品缺陷或良率。

审核编辑:彭静
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 晶体
    +关注

    关注

    2

    文章

    1449

    浏览量

    37738
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3576

    浏览量

    52731
  • 晶盛机电
    +关注

    关注

    0

    文章

    17

    浏览量

    3449

原文标题:​海外大厂抢滩2023,国内企业加速追赶碳化硅衬底8英寸节点

文章出处:【微信号:elecfans,微信公众号:电子发烧友网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    突破!本土企业成功研制14英寸SiC单晶

    需求。   早在2024年11月,天岳先进率先出手,发布了行业首款12英寸碳化硅衬底;一个月后,烁科晶体也宣布成功研制差距12
    的头像 发表于 03-23 00:43 2928次阅读

    浮思特 | 8英寸碳化硅圆为什么重要?至信微量产背后的技术逻辑

    ,逐渐成为高性能电力电子系统的核心材料。在这一技术演进过程中,碳化硅圆尺寸也在不断升级,从早期的4英寸、6英寸逐步迈向8
    的头像 发表于 03-17 10:03 547次阅读
    浮思特 | <b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b>圆为什么重要?至信微量产背后的技术逻辑

    Wolfspeed成功制造出单晶300mm碳化硅

    碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码: WOLF) 今日宣布了一项重大行业里程碑:成功制造出单晶 300 mm(12英寸
    的头像 发表于 01-16 09:21 2867次阅读

    破局300mm!Wolfspeed碳化硅圆取得关键突破

    电子发烧友网综合报道 美国东部时间2026年1月13日,全球碳化硅技术领域的领军企业Wolfspeed公司宣布成功制造出单晶300毫米(12英寸
    的头像 发表于 01-15 09:29 1940次阅读

    士兰微电子迎来双线里程碑:8英寸碳化硅产线通线, 12英寸高端模拟芯片产线同步开工

    2026年1月4日,杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12
    的头像 发表于 01-06 16:30 1474次阅读
    士兰微电子迎来双线里程碑:<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>产线通线, 12<b class='flag-5'>英寸</b>高端模拟芯片产线同步开工

    12英寸碳化硅外延片突破!外延设备同步交付

    电子发烧友网综合报道 , 短短两天内,中国第三代半导体产业接连迎来重磅突破。12月23日,厦门瀚天天成宣布成功开发全球首款12英寸高质量碳化硅(SiC)外延晶片;次日,
    的头像 发表于 12-28 09:55 2406次阅读

    探索碳化硅如何改变能源系统

    )、数据中心和电网基础设施日益增长的需求。相比传统的硅器件,碳化硅技术更具优势,尤其是在功率转换效率和热敏感性方面。碳化硅对电子、电力行业的整体影响可带来更强的盈利能力和可持续性。 来自两家
    的头像 发表于 10-02 17:25 2054次阅读

    加速!12英寸碳化硅衬底中试线来了!

    电子发烧友网综合报道 12英寸碳化硅再迎来跨越式进展!9月26日,机电宣布,首条12英寸
    的头像 发表于 09-29 08:59 5618次阅读

    AR光波导+先进封装双驱动,12英寸碳化硅静待爆发

    替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介层,并最晚在2027年广泛应用。   碳化硅过去的主力市场是功率器件,但功率器件市场需求增速存在瓶颈,从6英寸8英寸的进程花费时间较长,除了
    的头像 发表于 09-26 09:13 7005次阅读

    重大突破!12 英寸碳化硅圆剥离成功,打破国外垄断!

    9月8日消息,中国科学院半导体研究所旗下的科技成果转化企业,于近日在碳化硅圆加工技术领域取得了重大突破。该企业凭借自主研发的激光剥离设备,成功完成了12
    的头像 发表于 09-10 09:12 2673次阅读

    江苏集芯首枚8英寸液相法高质量碳化硅单晶出炉​

    据徐州日报报道,近日,徐州高新区再传捷报—— 江苏集芯先进材料有限公司(以下简称 “江苏集芯”)成功出炉首枚 8 英寸液相法(LPE)高质量碳化硅
    的头像 发表于 08-05 17:17 901次阅读

    12英寸碳化硅衬底,会颠覆AR眼镜行业

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)今年以来,各家厂商都开始展示出12英寸SiC产品,包括锭和衬底,加速推进12英寸SiC的产业化。最近,天成半导体宣布成功研制出12
    的头像 发表于 07-30 09:32 1.3w次阅读

    碳化硅圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、
    的头像 发表于 07-15 15:00 1523次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b>圆特性及切割要点

    全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起

    的破产不仅是企业的失败,更是美国半导体产业战略失误的缩影。其核心问题体现在三个维度: 技术迭代停滞与成本失控 长期依赖6英寸圆技术,8英寸量产计划因良率不足陷入僵局,而中国天科合达、
    的头像 发表于 05-21 09:49 1649次阅读
    全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半导体崛起

    12英寸SiC,再添新玩家

    晶体也宣布成功研制差距12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期研制成功12英寸N型
    的头像 发表于 05-21 00:51 8159次阅读