AR光波导+先进封装双驱动，12英寸碳化硅静待爆发

电子发烧友网综合报道 12英寸碳化硅在近期产业内迎来两大新需求：AI眼镜市场爆发，推动碳化硅AR光波导镜片量产节奏；为了进一步提高散热效率，英伟达决定在下一代Rubin GPU中，将用碳化硅中介层替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介层，并最晚在2027年广泛应用。

碳化硅过去的主力市场是功率器件，但功率器件市场需求增速存在瓶颈，从6英寸到8英寸的进程花费时间较长，除了技术原因之外，市场需求也是其中的关键。

6英寸碳化硅衬底只能满足两副AR眼镜的生产，8英寸也只能满足4副眼镜的需求，AR碳化硅光波导镜片要想实现降本和大规模产能，就需要更大尺寸的碳化硅材料；先进制程工艺基于12英寸硅晶圆，因此在封装工艺中运用碳化硅，需要与硅晶圆同等尺寸的碳化硅衬底。得益于AR以及先进封装的新需求，12英寸碳化硅的产业化进展正在持续加速。

在今年3月，天岳先进展出了12英寸高纯半绝缘型SiC衬底；烁科晶体去年12月宣布成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底。而8英寸的半绝缘型SiC衬底，天科合达、同光股份、浙江晶锐等厂商都已经推出相关产品，面向光学应用。

今年二季度，山西天成半导体先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺，成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

在最近一个月，也有更多厂商成功制备出12英寸碳化硅，以及在12英寸碳化硅相关技术上实现突破。

连科半导体8月底表示，他们采用中宜创芯提供的7N高纯碳化硅粉体，依托完全自主研发的12吋碳化硅长晶炉及其热场，成功生长出高品质12吋（304mm）碳化硅晶锭。

科友半导体在9月8日宣布，依托自主研发的12英寸碳化硅长晶炉及热场技术，成功制备出12英寸碳化硅晶锭。这一成果标志着科友成为国内少数同时掌握12英寸碳化硅晶体生长设备与工艺全套核心技术的半导体企业，实现了从设备到材料的全面自主突破。

同一天，晶飞半导体也宣布在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。该突破标志着中国在第三代半导体关键制造装备领域迈出重要一步，为全球碳化硅产业的降本增效提供了全新解决方案。该技术此前在6/8英寸碳化硅领域已通过多家客户验证，设备性能达到国际先进水平。

9月10日，环球晶宣布已经开发出12英寸方形碳化硅晶圆，董事长徐秀兰表示，改采用方形片，不只需要制程能力，还需要设备能力，因为并没有现成设备可用，相关周边也要跟着变化，否则以晶圆盒来说，方形晶圆会比盒子还大。并透露公司已经开发出不用激光的12英寸碳化硅晶圆切割方法。

近期，也有博主透露，英飞凌已经成功开发出12英寸碳化硅晶圆，但未知衬底供应商以及晶圆量产情况。

总体来看，随着下游应用需求的爆发，12英寸SiC的落地进程大概率会比6英寸到8英寸过渡的周期短得多。