晶升股份研发出可视化8英寸电阻法SiC单晶炉

10月26日，晶升股份凭借其在碳化硅领域的创新技术引起了市场关注。据“证券时报”报道，晶升股份已成功研发出可视化的8英寸电阻法SiC单晶炉，该设备能将碳化硅晶体的生长过程变得透明化，使得晶体良率得以提升超过20%，并已顺利通过客户端验证。

晶升股份董秘吴春生介绍，传统的碳化硅单晶生长过程如同开“盲盒”，因为整个生长过程在一个完全密闭的环境中进行，只有在打开炉体后才能知晓晶体的生长状况。这种不可视的生长过程导致工艺开发周期长、费用高、良率低等问题。而晶升股份的8英寸电阻法碳化硅单晶炉则引入了可视化检测系统，实现了长晶过程的实时观测。

该单晶炉通过实时观测晶体的生长速度和粉料演变状态，可以干预调节功率、压力等条件，使晶体生长处于可控状态。此外，针对温度梯度控制的难题，该设备采用了多加热器布局，每个加热器都可以单独控制，从而有效解决了温度梯度可控性差的问题，提高了晶体生长的品质。同时，晶升股份团队还通过数十次的实验，将最低的长晶功率由30kW~40kW降低到25kW以下，实现了节能降耗。

晶升股份成立于2012年2月，专注于半导体级单晶硅炉、碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺的研发与生产。2023年4月，晶升股份正式登陆科创板，并计划通过IPO募资4.76亿元用于总部生产及研发中心建设项目和半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目。

2024年上半年，晶升股份的营收和净利润均实现了大幅增长。其中，营收达到1.99亿元，同比增长73.76%；净利润为0.35亿元，同比大幅增长131.99%。此外，晶升股份还宣布实现了8英寸碳化硅长晶设备的批量交付，第一批设备已于2024年7月在重庆完成交付，标志着其8英寸碳化硅长晶设备相关业务已进入新的发展阶段。

未来，随着晶升股份在8英寸碳化硅长晶设备领域的不断深耕和拓展，该业务将成为公司新的业绩增长点。