氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器
2022-04-08 16:01:44
6026 
宜普电源转换公司 (EPC)宣布推出通过车规认证的晶体管和集成电路最新成员，针对飞行时间激光雷达（ToF激光雷达）应用，让客户实现具有更高的性能和更小型化的解决方案，用于机器人、无人机、3D传感器
2022-04-28 17:59:424194 
宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2071是面向要求高功率密度的应用的理想器件，包括用于新型服务器
2022-05-17 17:51:112990 
宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度
2022-06-01 10:22:412953 
GaN晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有较小的尺寸，非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用EPC的GaN EPC2032进行实验。 EPC
2021-03-23 16:19:563138 基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
面向高功率密度且低成本的DC/DC转换，EPC9151功率模块利用EPC2152 ePower™功率级实现性能更高和尺寸更小的解决方案。
2020-12-22 09:16:201319 EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN®FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。
2022-03-16 09:42:381168 
表面贴装型 N 通道 350 V 6.3A（Ta） 模具
2024-02-01 19:02:36
EPC2001C–增强型功率晶体管
2023-03-28 18:19:32
BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
2023-03-29 22:47:11
BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
2023-03-29 22:53:09
EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
2023-03-30 11:52:57
50V以下。需要说明的一点是，捕捉波形时使用的是1GHz示波器和探头。结论GaN晶体管与其驱动器的封装集成消除了共源电感，从而实现了高电流压摆率。它还减少了栅极环路电感，以尽可能地降低关闭过程中的栅极应力，并且提升器件的关断保持能力。集成也使得设计人员能够为GaN FET搭建高效的过热和电流保护电路。
2018-08-30 15:28:30
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管按工作频率分类 晶体管按
2010-08-12 13:59:33
，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-04-10 06:20:24
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主
2018-11-28 14:29:28
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如(1)开关晶体管
2018-10-25 16:01:51
300V，一般可选用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型号的晶体管。 3．行推动管的选用彩色电视机中使用的行推动管，应选用中、大功率的高频晶体管。其耗散功率应大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-05-09 23:12:18
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
和更高导热系数。 GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的功率范围相较于Si和GaAs晶体管的带宽。 此MMIC可用于10引线金属/陶瓷法兰封装（CMPA801B025F）或小型药丸包装
2020-12-03 11:46:10
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件，设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时，该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件，设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时，该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脉冲航空电子晶体管，专为工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空电子系统而设计。 当在VCC = 50V的模式S脉冲突发条件下以C类模式运行时，此通用基本设备可提供
2021-04-01 10:11:46
于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶体管产品组合。我们目前的产品提供超过80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半导体技术。我们还致力于制造一些首批Si-bipolar器件，从而支持传统方案
2019-04-15 15:12:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脉冲晶体管，指定用于AB类操作下。 该晶体管提供2.856 GHz的工作频率，最小40W的峰值脉冲功率，50V和3％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装
2021-04-01 09:57:55
9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。相关
2018-11-12 10:26:20
`产品型号：NPTB00025B产品名称: 射频功率晶体管NPTB00025B 产品特性针对DC-4000MHz的宽带运行进行了优化散热增强的行业标准包装100％射频测试具有高达32V的工作电压
2019-11-01 10:46:19
QPD1020射频功率晶体管产品介绍QPD1020报价QPD1020代理QPD1020咨询热线QPD1020现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50欧姆输入
2018-07-27 11:20:12
能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时，它的输出功率有很大一部分会被反射进器件，此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时，重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件，因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT为具有50V工作电压的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低
2021-03-30 11:32:19
v-1 s-1，是硅基晶体管的四分之一。低电子迁移率阻滞了透明晶体管的电流承载能力。目前，薄膜晶体管受限于低电流、低速率、且需高压驱动。当务之急是找出能生产透明高性能器件的替代材料。 替代导电氧化物
2020-11-27 16:30:52
（IGBT）绝缘栅双极晶体管结合了巨型晶体管GTR和功率MOSFET的优点。它具有良好的性能和广泛的应用。IGBT也是三端器件：栅极、集电极和发射极。晶体管的主要参数晶体管的主要参数包括电流放大因数
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
更高的功率耗散，因为输出晶体管不能饱和。在更高的频率下，更大的相移也是可能的，这可能会导致负反馈下的不稳定。 达林顿晶体管原理图通常描绘了在单个大圆圈内连接在一起的一对晶体管元件。互补达林顿或
2023-02-16 18:19:11
（GaN）技术实现比使用传统硅功率晶体管更高的效率。氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，这使得功率晶体管具有非常低的导通电阻（R上），从而最大限度地减少了导通状态传导损耗。横向晶体管结构还实现了极低
2023-02-21 15:57:35
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
导致电子节气门EPC警告灯点亮的原因有哪些？如何解决POLO电子节气门EPC灯亮的问题？
2021-05-14 06:07:41
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
`手机EOS保护方案如何通过350V的测试？ 自从OPPO 手机的快充作为卖点，大家都觉得满足了自己的很大需求，快充电流从1A到2A ， 到目前已经在测试的5A，手机快充的需求日益增长，然而满足快充
2017-07-31 13:59:25
的开关动作关于数字晶体管的用语选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有
2019-04-09 21:49:36
选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有下面的关系式。■数字晶体管
2019-04-22 05:39:52
Conversion；EPC)、GaNSystems与Transphorm等公司。各大功率半导体业者的不同GaN功率晶体管专利（来源：Yole）然而，这一市场也存在整并压力，这一点从英飞凌收购IR、英飞凌
2015-09-15 17:11:46
EPC标签芯片的面积不足1平方毫米，可实现二进制96（128）字节信息存储，它的标识容量上限是：全球2.68亿家公司，每个公司出产1600万种产品，每种产品生产680亿个。这样大的容量可以将全球每年
2019-06-21 06:06:31
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-05-05 01:31:57
的改善也同样显著。图 1：100KHz 和 500KHz 时的半桥 LLC 谐振转换器本文讨论了商用GaN功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器中的优势。对晶体管
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
集成电路［7］。图7显示了单片功率级GaN IC的框图和实际芯片照片。将这种单片集成电路的实验测量效率（如图8所示）与使用具有相同导通电阻的eGaN®晶体管的分立电路进行比较，并由uPI半导体uP1966
2023-02-24 15:15:04
的高可靠性，EPC 公司已经宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗辐射功率晶体管器件。EGaN 晶体管采用钝化模具形式，图像由 EPC 提供新产品利用 GaN 白光栅材料实现高电子迁移率和低温系数。该
2022-06-15 11:43:25
，在这种情况下采用基于氮化镓（GaN）晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似，GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制，单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率，并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
各位前辈可有办法不用变压器产生稳定的350V直流电压？
2011-11-19 14:28:56
进一步减少所需的组件。 凭借英飞凌50V LDMOS功率晶体管技术，PTVA127002EV展现出了极高的能效：利用300微秒10%占空比脉冲进行测量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
所示。为了方便仿真，控制端直接接到了负载电源24V的电压上，也就是一上电压负载就应该导通。图中使用的晶体管只是LTspice仿真模型库当中现成的模型，没有什么特殊的型号要求，并用一个PNP晶体管替代了图
2016-06-03 18:29:59
关键词 EPC-296x摘 要 EPC-296x 产品上各接口说明及使用方法
2009-11-02 14:51:47
28 RFID/EPC,RFID/EPC是什么意思
RFID是一项易于操控，简单实用且特别适合用于自动化控制的灵活性应用技术，其所具备的独特优越性是其它
2010-04-01 17:42:4913201 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。
2011-08-18 09:53:101681 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品
2011-08-19 08:51:181085 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006 开发板 ，这种开发板能使用户更方便地使用宜普增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品。 EPC9005开发板 EPC9005开发板能使用户更方便地使用
2011-09-28 09:30:241206 宜普电源转换公司（EPC）宣佈推出採用增强型氮化镓场效应电晶体的EPC9003及EPC9006开发板， 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应电晶体而优化的积体电路闸极驱动器可帮助工程师简单
2012-10-12 09:12:491308 低压氮化镓（GaN）器件市场越来越重要，EPC是低压硅上氮化镓（GaN-on-silicon）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的主要供应商。
2017-10-18 17:22:0710585 EPC为汽车激光雷达（LiDAR）系统设计的新款80 V EPC2214获得了美国汽车电子协会AEC Q101认证。
2019-04-23 14:02:512611 EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1.2纳秒，从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。
2020-01-16 09:48:002893 EPC2152是一个单晶驱动器并配以基于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）、采用EPC专有的氮化镓集成电路技术的半桥功率级。在单芯片上集成输入逻辑界面、电平转换电路、自举充电电路、栅极驱动器
2020-03-20 09:14:392553 GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 器件成为研发的重点，相关的应用开发活动也十分活跃。 EPC新近推出的EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管（eGaN FET）就是在这个大趋势下应运而生的一款性能优异的器件。 EPC2218是100V、60A和231A脉冲增强型GaN FET，该晶片的尺寸为3.5mm x 1.95
2021-08-17 18:03:152397 氮化镓 （GaN） 继续其接管宇宙光谱的使命。GaN 的长期存在并未结束，它凭借其功率晶体管进入太空，这是支持极端太空任务的电源和射频应用的理想选择。EPC Space 通过其新的 eGaN
2022-07-27 08:03:05515 
GaN 晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用 EPC 的 GaN EPC2032 进行实验。
2022-08-05 08:04:54580 
是一种高度移动的半导体电子半导体 (HEMT)，被证明在满足新应用方面具有真正的附加值。 GaN 晶体管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了显着提高，从而带来了一些硅技术无法实现的新应用。板空间非常昂贵。eGaN®的FET，从EPC，在低电感，低电阻，
2022-08-08 09:38:242061 
EPC2106是增强型单片 GaN 晶体管半桥，将两个 eGaN 功率 FET 集成到单个器件中，从而消除了 PCB 上所需的互连电感和间隙空间。
2022-08-29 09:15:42562 GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11426 EPC EPC9194 三相 BLDC 电机驱动逆变器参考设计可提供高达 60Apk (40ARMS) 的输出电流。 EPC 的 EPC9194 是一款 3 相 BLDC 电机驱动逆变器
2023-11-14 16:53:02646
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