宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2071是面向要求高功率密度的应用的理想器件，包括用于新型服务器
2022-05-17 17:51:11
4007 
宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜
2022-06-01 10:22:414156 
总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能
2012-02-02 11:55:2022652 宜普宣佈推出一个高效无线电源展示系统，内含具高频开关性能的氮化镓电晶体。使用宜普的氮化镓场效应电晶体是这种系统的一个理想解决方案，因为它所具备的性能可以在高频、高
2012-08-16 10:22:161405 宜普公司推出内含增强型氮化镓（eGAN）场效电晶体（FET）的 EPC9005 开发板。该开发板是一款7A最大输出电流半桥电路设计，内含两个EPC2014场效应电晶体，并采用最佳化闸极驱动器LM5113。
2013-05-08 15:59:561641 场效应晶体管的源极、漏极和栅极分别相当于晶体管的发射极、集电极和基极。对应于晶体管放大电路，场效应晶体管放大电路也有三种组态：共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路，其特点分别和晶体管放大电路中的共射极、共集电极、共基极放大电路类似。
2022-11-30 09:30:004991 在半导体器件的讲解中，场效应晶体管应该说最值得拿来详细介绍一番的。
2023-09-28 09:31:044112 
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有
2012-08-03 21:44:34
场效应晶体管的K值得问题：在研究学习杨建国老师的负反馈和运算放大器基础这本书的时候，发现有一道题的一个参数不知道什么意思，请大咖们帮忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 这个参数是什么意思呢？多谢！~
2019-04-04 11:47:20
（1）场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
`一、场效应晶体管特点场效应晶体管是电压控制元件，因此和普通双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异
2019-03-25 16:16:06
应用，大家都众说纷纭，谁也无法准确全面的讲出，想了解的看完下文，相信你会有所体会。 1、场效应晶体管低压应用：当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致
2019-04-16 11:22:48
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2019-06-18 04:21:57
场效应晶体管（英语：field-effecttransistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性
2019-05-08 09:26:37
`场效应晶体管在运用时除了留意不要使主要参数超越允许值外，对于绝缘栅型场效应晶体管还应特别留意由于感应电压过高而形成的击穿因素。场效应晶体管在运用时应留意以下几点：1、场效应晶体管在运用时要留意
2019-03-22 11:43:43
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选
2021-05-13 07:10:20
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流电源电路设计.doc第15章_基本放大电路.ppt基于较大功率的直流电机H桥驱动电路方案.doc详细讲解MOSFET管驱动电路.doc场效应晶体管的几点使用知识.doc全系列场效应管
2019-08-11 22:46:35
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
``随着便携式电子产品浪潮的飞速发展，我们的生活便于电子产品如影随形，你可能不知道，在生产电子产品的过程中，有一种电子元件，深受电子工程师的青睐，那就是场效应晶体管，我们常接触到晶体三级管，对它
2019-03-26 11:53:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的场效应晶体管的特性测量”。电路和普通的测量场效应晶体管特性的电路基本一样，只是需要能够调整晶体管的迁移率等特性，想问下LABVIEW能实现这种仿真吗？我在库里没找到晶体管，能帮忙指出在哪可以找到吗？谢谢！实在是太菜鸟了，请见谅。能建立下图这种电路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS场效应晶体管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑
MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 07:46:37
`电子元器件行业有今天的成就，那绝离不开MOS管与场效应晶体管的鼎力相助，但是一些刚入电子行业的常常把MOS管与场效应晶体管混为一谈，到底MOS管和场效应晶体管两者背后到底有何联系？这对于初学者来说
2019-04-15 12:04:44
。图片：D. Hisamoto等人，1990年 英特尔在 2012 年宣布使用批量配置（22 纳米技术）（图 11）。 图 11.英特尔的鳍式场效应晶体管。图片：英特尔公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
MOS_场效应晶体管
2012-08-20 08:21:29
在隔离型DC/DC转换器设计，氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）具有低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感等优点，可以实现更高功率密度、在高频时更大电流及高效以及在谐振设计的占空比更高，从而
2019-04-04 06:20:39
`在电子元件行业，晶体三极管与场效应晶体管都是备受推崇的两种电子元件，尤其在开关电源方面备受电子工程师的青睐，可是对于刚入门的采购，究竟该如何去选晶体三极管与场效应晶体管，晶体三极管简称三极管
2019-04-09 11:37:36
`电子元器件市场中，以场效应晶体管最受电子工程师的青睐与喜爱，可是对于场效应晶体管的参数，大家都是一筹莫展，因为场效应晶体管的参数有很多，其中包括直流参数、交流参数和极限参数等，但普通运用时只需关注
2019-04-04 10:59:27
`随着便携式电子产品的兴盛，人们的生活发生看翻天覆地的变化，然而这一切都与电子元器件行业的两位领军人物有着不可分割的关系，那就是三极管与场效应晶体管，他们深受电子行业的钟爱，三极管(BJT
2019-04-08 13:46:25
我想了解互补场效应晶体管点火和只用一个场效应晶体管点火与 PWM 的区别？
2024-05-21 07:24:48
，拐角处的电场总是被放大。这可以通过在角落使用硝酸盐层来最小化。 制造成本高 鳍式场效应晶体管演进 现代电子产品的基础是CMOS晶体管。在过去的17年中，CMOS技术在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29
对芯片作底层支撑的场效应晶体管，一款能起良好稳压作用的芯片非常重要。因此在进行开关电源设计时，工程师会更多地考虑使用更优质的场效应晶体管来支持电源芯片，这需要考虑场效应晶体管的什么性能呢？应从
2019-04-01 11:54:28
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。P场效应晶体管的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动
2019-03-29 12:02:16
如何挑选出好的场效应晶体管？晶体三极管选用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
的RX100挡可以预算场效应晶体管的减少才干，详细测试如下：红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，这样相当于给场效应管加上1.5伏的电源电压，这时表针指示出的是D-S极间的电阻值.然后用手指捏住栅极G，将人体
2019-03-21 16:48:50
`晶体三极管简称三极管，和场效应晶体管一样，具有放大作用和开关特性的，是电子设备中的核心器件之一，应用十分广泛。三极管和场效应晶体管虽然特性，外形相同，但是工作原理却大不一样，普通三极管是电流控制器
2019-03-27 11:36:30
`一、场效应晶体管选择的重要性随着电子产品更新换代的速度，我们对电子产品性能的要求也越来越高，在一些电子产品的电路设计与研发中，不光是开关电源电路中，还有在便携式电子产品的电路中都会用到场效应晶体管
2019-04-02 11:32:36
`在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿
2018-10-19 11:08:33
场效应晶体管的分类及使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
2010-01-13 16:01:59
133 MOS场效应晶体管使用注意事项: MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下
2009-03-11 22:22:501219 功率场效应晶体管(MOSFET)原理
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小
2009-04-25 16:05:1010824 
场效应晶体管
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即
2009-05-24 23:11:157509 MOS场效应晶体管高阻抗偏置方法
该N沟道MOS场效应
2009-09-05 15:17:181525 
结型场效应晶体管是什么?
结型场效应晶体管 利用场效应原理工作的晶体管，简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，
2010-03-04 15:58:134030 绝缘栅场效应晶体管长延时电路图
2010-03-30 14:45:531671 
场效应晶体管放大器
场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应
2010-04-16 10:08:575587 
场效应晶体管开关电路
场效应晶体管（简称场效应管）有结型（J-FET）和绝缘栅型（MOS-FET）两类。
场效应管作为开关器件应用类似
2010-05-24 15:26:0612209 宜普电源转换公司宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN) FET
2011-03-18 09:22:052675 美国国家半导体公司今天宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器
2011-06-23 09:34:582066 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。
2011-08-18 09:53:103865 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品
2011-08-19 08:51:182971 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006 开发板 ，这种开发板能使用户更方便地使用宜普增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品。 EPC9005开发板 EPC9005开发板能使用户更方便地使用
2011-09-28 09:30:241478 宜普电源转换公司（EPC）宣佈推出採用增强型氮化镓场效应电晶体的EPC9003及EPC9006开发板， 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应电晶体而优化的积体电路闸极驱动器可帮助工程师简单
2012-10-12 09:12:491721 电子专业单片机相关知识学习教材资料——场效应晶体管介绍
2016-08-22 16:18:030 电子专业单片机相关知识学习教材资料——场效应晶体管的分类及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率场效应晶体管及其应用
2017-09-21 11:21:2429 宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管（EPC2049），应用于负载点（POL）转换器、激光雷达（LiDAR）及具低电感的马达驱动器。
2017-12-29 10:40:007190 本文从基本结构、工作原理、应用研究三个方面介绍了有机场效应晶体管。
2018-01-03 14:20:4430188 
隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4534287 
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
2019-10-11 10:26:3113044 
功率场效应晶体管（VF）又称VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0930042 
EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1.2纳秒，从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。
2020-01-16 09:48:003619 一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场
2020-03-23 11:03:1813923 
场效应晶体管（FET）简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2020-07-02 17:18:56103 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
2020-07-02 17:19:0522 场效应晶体管根据其结构的不同分类，体管（金属氧化物半导体型）两大类。可分为以下5种。可分为结型场效应晶体管与绝缘栅型场效应晶体管。
2020-09-18 14:08:4410164 结型场效应晶体管原理与应用。
2021-03-19 16:11:1727 60V互补增强型场效应晶体管AO4612数据手册
2021-08-23 17:03:140 TP90H050WS，900V，50mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一种常闭器件，结合了低电压具有业界领先的阈值电压的硅MOSFET增强的鲁棒性和抗噪性，以及市场上最可靠的耗尽模式GaN FET。
2022-03-31 14:46:111 TP90H180PS 900V 165mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。Transphorm GaN FET提供更好的性能通过更低的栅极电荷和更快的开关来提高效率速度和更小的反向恢复费用，提供与传统硅（Si）器件相比具有显著优势。
2022-03-31 14:50:492 TPH3206PSB 650V，150mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。它结合了最先进的高科技电压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 14:51:3310 TP65H035G4QS 650V，35MΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管是一款使用Transphorm第四代平台的常闭设备。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05:5114 TP65H035BS 650V，35mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管增强模式常关设备。TransphormGaN FET通过更低的栅极电荷提供更好的效率，更快的切换速度和更小的反向恢复充电，与传统充电相比具有显著优势硅（Si）器件。
2022-03-31 15:07:3813 场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件，并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是Field Effect Transistor，缩写为FET。
2023-05-16 15:02:232247 场效应晶体管是电压控制元件，因此和普通双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:043376 
场效应晶体管(Field Effect Transistor，简称FET)是一种半导体器件，它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比，场效应晶体管的控制电流非常小，因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15:379724 
Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管，共将分为(上)(下)两期，包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia(安世半导体)氮化镓产品的成熟的工艺。
2023-09-25 08:19:001508 
场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管的工作原理是基于电场效应，即在栅极和源极之间施加一个控制电压，使得沟道区域的载流子发生漂移，从而改变电流的导通状态。
2023-09-28 17:10:464280 AGM408M 40V12A mos场效应晶体管
2021-11-24 15:47:260 场效应晶体管栅极电流是多大 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种基于电场控制的电子器件，常用于放大、开关和调制等电子电路中。在FET中，栅极电流是其关键特性
2023-12-08 10:27:082625 场效应晶体管是一种常用的半导体器件，用于控制电流的流动。
2024-02-22 18:16:542593 氮化镓场效应晶体管是当今电力电子领域的明星，它正在提高功率转换效率、电机控制和功率密度，有效满足当前的市场需求和趋势。
2024-07-05 09:20:011586 
场效应晶体管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。它具有高输入阻抗、低噪声、快速响应等优点，在电子技术领域得到了广泛的应用。 一
2024-08-01 09:13:202424 对输出信号的控制。JFET具有结构简单、工作频率高、功耗低、易于集成等优点，被广泛应用于高频电路、开关电源、功率放大器等电子系统中。以下是对结型场效应晶体管的详细解析。
2024-08-15 16:41:422884 结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）和N沟道场效应晶体管（N-Channel Field-Effect Transistor，简称N沟道
2024-10-07 17:28:001707 在选择场效应晶体管（FET）时，需要考虑多个因素以确保所选器件能够满足特定的应用需求，同时保证电路的性能和可靠性。以下是一个详细的选择场效应晶体管的指南，包括关键步骤、考虑因素以及具体的应用建议。
2024-09-23 18:18:241695 电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
2025-02-13 15:23:257 当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成：双极结型晶体管（BJT）包含两个背靠背的PN 结，MOSFET也是如此。结型场效应晶体管（JFET） 垂直于沟道方向有一个 PN结，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071123 
在电源转换技术不断进步的背景下，瑞萨电子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化镓场效应晶体管(GaNFET)，专注于满足数据中心、工业以及电动交通应用对高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383209 
电子发烧友App
工商网监
评论