0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

奔向太空!EPC Space推动耐辐射GaN功率器件全球布局

深圳市浮思特科技有限公司 2024-04-09 14:18 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近日,EPC Space宣布与全球领先的电子元件和服务分销商——安富利(Avnet)签署了一项重要的分销协议。根据协议,安富利将成为EPC Space耐辐射氮化镓(GaN)功率器件系列的全球分销商,这批产品主要服务于卫星和高可靠性应用领域。

EPC Space是Efficient Power Conversion(EPC)和HEICO旗下公司VPT的合资企业,作为最大的硅基GaN功率器件生产商之一,EPC Space已经在抗辐射GaN-on-Si晶体管和IC的研发领域取得了显著的成就。此次与安富利的协议进一步扩展了EPC Space在全球市场的影响力,并确立了其产品在高可靠性电子市场中的地位。

EPC Space的耐辐射氮化镓(GaN)功率器件系列产品已经通过了严苛的封装、测试和认证过程,可在极端环境下提供卓越的性能,特别是在卫星通信、深空探测任务以及其他要求高可靠性的应用中表现出色。这些产品展现了与传统硅基器件相比的显著优势,包括更高的开关频率、更强的功率密度以及更好的辐射抗干扰能力。

EPC Space在一份声明中指出,随着太空探索活动的不断增加,对于高性能、高可靠性的电子组件的需求日益增长。EPC Space的eGaN晶体管正逐渐成为满足这些应用更高开关频率、功率和辐射硬度需求的首选解决方案。此次合作将使得EPC Space的创新技术得以通过安富利的全球网络向更广泛的市场推广。

这项合作对于EPC Space和安富利来说都是具有战略意义的一步。它将使EPC Space的高性能产品得以更快地进入市场,并通过安富利的全球分销网络触达更多客户。同时,安富利将通过这种合作加强其在高增长潜力市场中的产品线和市场地位,为客户提供更广泛的选择。

氮化镓(GaN)作为新一代电力电子器件的代表,因其高效率和高频运作的能力而受到业界关注。EPC Space和安富利的合作不仅预示着这一领域的商业潜力,也反映了两家公司对于高科技电子市场趋势的深刻理解和积极布局。随着这种耐辐射GaN功率器件的不断发展和优化,未来在太空以及其他极端环境下的电子应用将变得更加可靠和高效。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电子元件
    +关注

    关注

    95

    文章

    1587

    浏览量

    60477
  • 功率器件
    +关注

    关注

    43

    文章

    2221

    浏览量

    95472
  • GaN
    GaN
    +关注

    关注

    21

    文章

    2385

    浏览量

    84398
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    瑞萨与EPC达成技术授权:补全低压GaN,强化供应链

    解决方案在市场中的应用。EPC与瑞萨将在未来一年内合作建立这些产品的晶圆制造能力。此外,瑞萨电子还将作为第二货源供应商,生产 EPC 数款已步入量产的热门氮化镓器件,从而增强客户们的供应链韧性。   在高压
    的头像 发表于 03-02 02:49 1w次阅读

    太空光伏电池的紫外辐射试验与远紫外试验

    太空光伏电池作为航天器的核心供能单元,其在空间极端环境下的长期可靠性直接决定任务成败。空间紫外辐射与远紫外辐射,是导致电池封装材料老化、光电转换效率衰减的关键因素。因此,依托紫创测控luminbox
    的头像 发表于 02-25 18:05 240次阅读
    <b class='flag-5'>太空</b>光伏电池的紫外<b class='flag-5'>辐射</b>试验与远紫外试验

    太空光伏电池的粒子辐射地面模拟试验

    太空光伏电池是航天器能源系统的核心组件,其在轨运行期间长期暴露于复杂的粒子辐射环境中,主要包括电子、质子及少量中子。这些高能粒子会导致电池材料性能衰退,进而降低光电转换效率与输出功率。为确保
    的头像 发表于 02-06 18:02 377次阅读
    <b class='flag-5'>太空</b>光伏电池的粒子<b class='flag-5'>辐射</b>地面模拟试验

    当光伏飞向太空:霍尔电流传感器如何守护马斯克的100GW“天基电网”?

    最近,“太空光伏”感念随着在马斯克宏大的AI算力卫星计划被炒得火爆,马斯克在社交平台上公开提出,计划未来每年向太空部署高达100吉瓦(GW)的太阳能AI卫星能源网络。这个部署量相当于每年在外太空建设
    的头像 发表于 01-12 15:14 2973次阅读
    当光伏飞<b class='flag-5'>向太空</b>:霍尔电流传感器如何守护马斯克的100GW“天基电网”?

    TPS7H60x5系列辐射加固半桥GaN FET栅极驱动器的深度解析

    TPS7H60x5系列辐射加固半桥GaN FET栅极驱动器的深度解析 在电子工程师的日常工作中,寻找高性能、高可靠性的器件是设计成功的关键。今天,我们就来深入探讨德州仪器(TI)的TPS7H60x5
    的头像 发表于 01-06 16:35 402次阅读

    TPS7H60x5系列辐射加固半桥GaN FET栅极驱动器:太空应用的理想之选

    TPS7H60x5系列辐射加固半桥GaN FET栅极驱动器:太空应用的理想之选 在电子工程领域,特别是太空应用场景中,对于高性能、高可靠性的电子元件需求极为迫切。今天,我们就来深入探讨
    的头像 发表于 01-06 15:25 330次阅读

    小巧、轻便、高效,安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能

    在传统横向结构的GaN器件中,电流沿芯片表面流动。而垂直GaNGaN层生长在氮化镓衬底上,其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部,而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让
    的头像 发表于 12-04 17:13 736次阅读
    小巧、轻便、高效,安森美垂直<b class='flag-5'>GaN</b>解锁<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>应用更多可能

    安森美垂直GaN技术赋能功率器件应用未来

    在传统横向结构的GaN器件中,电流沿芯片表面流动。而垂直 GaNGaN 层生长在氮化镓衬底上,其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部,而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让
    的头像 发表于 12-04 09:28 2066次阅读
    安森美垂直<b class='flag-5'>GaN</b>技术赋能<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>应用未来

    全球首款!GaN功率模块进入增程器总成

    电子发烧友网综合报道 GaN凭借高频开关、低损耗、高功率密度的先天优势,已经在各类电源产品上被广泛应用,在汽车领域,车载充电机OBC已经有不少产品应用了GaN功率
    的头像 发表于 11-27 08:44 4510次阅读

    安森美入局垂直GaNGaN进入高压时代

    的标杆。   在全球 AI 数据中心、电动汽车等高能耗应用推动能源需求激增的背景下,功率半导体的能效与功率密度已成为技术升级的核心瓶颈。而垂直GaN
    的头像 发表于 11-10 03:12 7806次阅读

    Leadway GaN系列模块的功率密度

    场景提供高性价比的全国产解决方案。一、功率密度提升的核心逻辑材料特性突破: GaN(氮化镓)作为宽禁带半导体,电子迁移率(2000cm²/Vs)和饱和漂移速度(2.5×10⁷cm/s)远超传统硅基器件
    发表于 10-22 09:09

    TPS7H6101-SEP 辐射 200V 10A GaN 功率级,集成驱动器数据手册

    该TPS7H6101是一款辐射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥,集成栅极驱动器;e模式氮化镓FET和栅极驱动器的集成简化了设计,减少了元件数量,并减少了电路板空间。
    的头像 发表于 08-06 16:44 1187次阅读
    TPS7H6101-SEP <b class='flag-5'>耐</b><b class='flag-5'>辐射</b> 200V 10A <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>功率</b>级,集成驱动器数据手册

    GAN功率器件在机器人上的应用实践

    GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管),此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中,如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比
    的头像 发表于 07-09 11:13 4170次阅读
    <b class='flag-5'>GAN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在机器人上的应用实践

    电源功率器件篇:线路寄生电感对开关器件的影响

    、降低线路寄生电感影响的方案 1、优化PCB布局设计 ▍缩短功率回路路径 ▷ 将功率开关器件、直流母线电容、驱动电路等尽可能靠近布局,减少
    发表于 07-02 11:22

    GaN与SiC功率器件深度解析

    本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC
    的头像 发表于 05-15 15:28 2475次阅读
    <b class='flag-5'>GaN</b>与SiC<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>深度解析