晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思

晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思

晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°C，锗管的结温允许值为85°C左右。要保证管子结温不超过允许值,就必须将产生的热散发出去.晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

如果给晶体管发射结施加征象偏压，给集电结施加反向偏压，使晶体管正常工作，那么电源在晶体管总的耗散功率为：.实际使用时，集电极允许耗散功率和散热条件与工作环境温度有关, 增加散热片或增加风冷却,可提高PCM。所以在使用中应特别注意值IC不能过大，散热条件要好。

耗散功率和晶体管的热阻有很大的关系. 而晶体管的热阻是表征晶体管散热能力的一个基本参量,该参量对于大功率晶体管的设计,制造和使用尤为重要.所谓热阻就是单位耗散功率引起结温升高的度数，其单位为℃/W。可由下面的公式表示:

由热传导的途径，可以把一般晶体管的热阻分为两部分，即：

其中的是热流由管子底座向周围空气或其他介质散热的热阻，是热流由集电结至晶体管底座的热阻。热阻和晶体管的封装有很大的关系.可见下图。

集成电路的热阻和晶体管的热阻大至相同. 集成电路(IC)的散热主要有两个方向，一个是由封装上表面传到空气中，另一个则是由IC向下传到PCB板上，再由板传到空气中。当IC以自然对流方式传热时，向上传的部分很小，而向下传到板子则占了大部分，以导线脚或是以球连接于板上的方式，其详细的散热模式不尽相同。

封装热阻的改善手段主要可透过结构设计、材料性质改变以及外加散热增进装置三种方式. 其中影响最大的加装散热器,但这会增加制造成本和复杂性。