本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC功率晶体管的分析，描述了这些技术的现状，重点阐述了各技术平台的首选功率变换拓扑及关键特性。
2025-05-15 15:28:57
1759 
全新60W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求
2012-07-10 09:36:521380 TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:261621 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®， Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）RF晶体管
2018-03-21 16:37:1013115 
GaN晶体管越来越多地用于各个领域：汽车领域中的电源供应以及电流的转换和使用。这些组件将很快取代它们各自的前身。让我们看一下如何更好地管理包括临界条件在内的不同工作条件，以优化电路性能并获得
2021-04-01 14:23:255798 
可以使用极快的开关晶体管：超级结 MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化镓 (GaN) 的晶体管；这些仍然比传统晶体管昂贵得多，但它们使设计更小、更高效的开关电源
2021-10-14 15:33:005187 
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电动机应用的功率和逆变器阶段提供的优势。
2022-07-27 14:03:562999 
)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低开关损耗，原因在于： 栅极电容和输出电容更低。
2023-06-12 10:53:2810231 
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054789 
D类放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增强型高电子迁移率晶体管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的岛技术 （Island Technology®） 单元布局以减小器件尺寸和成本，同时提供比其他GaN器件更高的电流和更优异的性能。
2020-07-06 14:10:191412 基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114434 
GaN Systems其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:443429 ，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。 英飞凌CoolGaN™ 100V G1车规级晶体管 英飞凌正式推出CoolGaN™ 100V G1
2025-11-05 14:31:0559497 
硅MOSFET功率晶体管多年来一直是电源设计的支柱。虽然它们仍然被广泛使用，但是在一些新设计中，氮化镓（GaN）晶体管正在逐渐替代MOSFET。GaN技术的最新发展，以及改进的GaN器件和驱动器电路
2017-05-03 10:41:53
如果基于GaN的HEMT可靠性的标准化测试方法迫在眉睫，那么制造商在帮助同时提供高质量GaN器件方面正在做什么？ GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其极高的耐高温性和高功率密度而在半导体行业中
2020-09-23 10:46:20
的消息是硅供应商现在可以提供基于GaN HEMT的集成解决方案，大大简化了高压高频交流电机的逆变器设计。在此之前GaN HEMT被包装成一个带有独立驱动的分立器件，因为晶体管和驱动元件是基于不同工
2019-07-16 00:27:49
50V以下。需要说明的一点是，捕捉波形时使用的是1GHz示波器和探头。结论GaN晶体管与其驱动器的封装集成消除了共源电感，从而实现了高电流压摆率。它还减少了栅极环路电感，以尽可能地降低关闭过程中的栅极应力，并且提升器件的关断保持能力。集成也使得设计人员能够为GaN FET搭建高效的过热和电流保护电路。
2018-08-30 15:28:30
，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
（MOSFET）是在20世纪70年代末开发的，但直到20世纪90年代初，JEDEC才制定了标准。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格认证对GaN晶体管而言意味着什么。 标准滞后于技术的采用，但标准无需使技术可靠
2018-09-10 14:48:19
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 刺客508 于 2017-4-18 15:03 编辑
可靠性和成本效益比较长的工作寿命在烹饪和加热应用中，射频功率晶体管具有比磁控管长得多的工作寿命。磁控管典型的总工作寿命一般为
2017-04-17 18:19:05
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
相比较，GaN具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号：IGT2731L120产品名称： S波段晶体管 产品特性GaN HEMT技术对SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管SGN26H080M1H砷化镓
2021-03-30 11:37:49
作者： Steve Tom在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中，一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。相较于以往使用的硅晶体管，氮化镓 (GaN) 可以让
2018-09-10 15:02:53
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
典型GaN晶体管的核心是一个导电通道，它由AlGaN阻挡层和GaN缓冲层间界面上产生的二维电子气形成（见图1）。这种器件倾向在一个异质基板上生产，典型的是硅或碳化硅，并具备三个电极：源极、漏极、栅极。为
2020-11-27 16:30:52
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
您已了解GaN晶体管出色的性能，您很兴奋。样品总算来到，您将它们放入板中。您打开电源，施加负载，结果……性能并没有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的开关问题。这些晶体管不好。真遗憾。为何出现这种情况？有没有可能遗漏了什么？如何正确理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
Conversion；EPC)、GaNSystems与Transphorm等公司。各大功率半导体业者的不同GaN功率晶体管专利（来源：Yole）然而，这一市场也存在整并压力，这一点从英飞凌收购IR、英飞凌
2015-09-15 17:11:46
X-GaN晶体管在Vds尖峰电压额定值为750V（1微秒）时获得认证。垂直场依赖击穿也在相同的1kV范围内; 松下栅极驱动器IC 松下于2016年底为希望使用GiT快速部署解决方案的开发人员推出了自己
2023-02-27 15:53:50
是 电感与电路板厚度无关 是 是 需要屏蔽层 是 否 否 表1：传统和最佳电源回路设计的特点 积分对寄生效应的影响 为了进一步降低基于GaN晶体管的设计的寄生电感，可以使用单片GaN功率级
2023-02-24 15:15:04
的改善也同样显著。图 1：100KHz 和 500KHz 时的半桥 LLC 谐振转换器本文讨论了商用GaN功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器中的优势。对晶体管
2023-02-27 09:37:29
和频率电子应用中实现更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高电压转换器我们首先要宣布的是来自意法半导体的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一种基于 GaN 晶体管的功率转换器，为
2022-06-15 11:43:25
的电荷差使栅极电压VG变为负值，从而在硬开关应用中关断晶体管。 图1：E模式GaN HEMT等效电路（左）和建议的驱动方案（右）。 当并联配置CoolGaN™晶体管时，可使用相同参数的RC驱动网络
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
增长，未来功率GaN技术将成为高效率功率转换的新标准。以下是维安新推出的E-Mode GaN器件，欢迎大家前来索样并与维安的专家讨论其特性。[size=0.19]WGB65E450S WGB65E225S WGB65E150S WGZ65E150S表三 维安GaN晶体管新品列表
2021-12-01 13:33:21
。本文中，我们将为您介绍需要了解的非线性GaN 模型的基础知识。什么是非线性GaN 模型？对许多工程师来说，设计PA 的第一步是阅读晶体管产品的数据手册并查看S 参数。S 参数文件很有用，但有关器件大信号
2018-08-04 14:55:07
日前，射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓（GaN）晶体管，所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:372188 半导体技术产品的领先供应商美高森美公司推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）衬底氮化镓（gallium nitride，GaN）高电子迁移率晶体管
2013-09-30 15:34:162478 Modelithics， Inc. 和 Qorvo 宣布，近期将扩展用于 Qorvo GaN 晶体管的 Modelithics™ 高精度非线性模型库。当前的 GaN 模型版本 （v1.5） 广受欢迎
2015-08-28 17:00:003215 当测定氮化镓（GaN）晶体管的皮秒量级上升时间时，即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法。
2017-04-18 12:34:043878 
这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:11
24 低压氮化镓（GaN）器件市场越来越重要，EPC是低压硅上氮化镓（GaN-on-silicon）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的主要供应商。
2017-10-18 17:22:0712441 松下宣布研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，栅极电压高达10V，工作电流在20A，击穿电压达到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
经过大量实践检验，已被证明安全可靠的硅MOSFET已经成为电源电路设计的中流砥柱，但随着基于氮化镓的最新功率器件技术的发展，电源设计的趋势正逐渐转向GaN晶体管。
2018-08-06 15:04:376648 
CRE的CGH09120是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带能力，这使得CGH09120理想的MC-GSM，WCDMA和LTE放大器应用。晶体管提供在陶瓷/金属法兰封装中。
2018-08-14 08:00:0016 英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称他们首次制造出氮化镓（GaN）磁性高电子迁移率晶体管（MagHEMT）。
2018-09-23 10:45:004416 ）晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。
2020-09-28 14:16:52945 
）晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。
2020-09-30 14:30:214299 
ST 发布了市场首个也是唯一的单封装集成 600 V 栅极驱动器和两个加强版氮化镓（GaN）晶体管的 MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗 GaN 晶体管，而 ST 决定增加一颗 GaN，实现半
2020-10-30 12:04:45897 年1月18日——基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化
2021-01-20 11:20:443769 ) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感
2022-01-26 15:11:022728 
我经常感到的奇怪的是，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。通过共同努力，我们
2022-01-21 15:22:40735 如何高效、安全地驱动Rad-Hard E型GaN晶体管
2021-11-29 16:31:421 GaN材料是第三代半导体的典型代表，具备宽禁带、高击穿场强、高热导率和高峰值电子漂移速度等优质性能。因此，GaN材料可以很好地满足耐高温、高频率和功率大的工作要求，GaN功率晶体管一直是L和S波段
2022-04-14 09:12:14797 ) 和氮化镓 (GaN)。在这些潜在材料中，GaN 或氮化镓正变得被广泛认可和首选。这是因为 GaN 晶体管与材料对应物相比具有多个优势。
2022-07-29 15:00:302352 GaN 晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用 EPC 的 GaN EPC2032 进行实验。
2022-08-05 08:04:541727 
GaN 晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 进行实验。
2022-08-05 08:04:552235 
GaN 晶体管越来越多地用于各个领域：汽车领域、电力供应以及电流的转换和使用。这些组件将很快取代它们各自的前身。让我们来看看如何更好地管理不同的操作条件，包括关键的操作条件，以优化电路的性能并获得出色的冷却效果。
2022-08-05 09:34:231925 
是一种高度移动的半导体电子半导体 (HEMT)，被证明在满足新应用方面具有真正的附加值。 GaN 晶体管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了显着提高，从而带来了一些硅技术无法实现的新应用。板空间非常昂贵。eGaN®的FET，从EPC，在低电感，低电阻，
2022-08-08 09:38:243647 
GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11978 基于模型的 GAN PA 设计基础知识：GAN 晶体管 S 参数、线性稳定性分析与电阻稳定性
2022-12-26 10:16:214288 
由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:216118 
Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶体管，采用紧凑型DFN 7 x 6.5 mm超模压塑封。该器件具有优异的输出，可填充多个频段，在48 V下运行时，能效提升超过50%，增益超过13 dB。
2023-05-25 10:04:49981 
润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342033 解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数（
2023-08-03 14:43:28694 650V硅上GaN增强型功率品体管，采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关，符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:512182 
650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:174139 
无论是在太空还是在地面，这些基于GaN的晶体管都比硅具有新的优势。
2023-09-28 17:44:222460 
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构，这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:111555 
GaN（氮化镓）晶体管，特别是GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细，融合了多种材料和工艺，以实现高效、高频率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063439 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）作为一种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势，但同时也存在一些缺点。以下是对GaN HEMT优缺点的详细分析：
2024-08-15 11:09:204130 GaN（氮化镓）晶体管和SiC（碳化硅）晶体管作为两种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而，它们在材料特性、性能表现、应用场景以及制造工艺等方面存在诸多不同。以下是对这两种晶体管差异的详细分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化镓）晶体管，特别是GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及低导通电阻等特性，使得GaN晶体管成为电力电子和高频通信等领域的优选器件。以下将详细阐述GaN晶体管的主要应用场景，并结合具体实例进行说明。
2024-08-15 11:27:203066 晶体管的主要材料是半导体材料，这些材料在导电性能上介于导体和绝缘体之间，具有独特的电子结构和性质，使得晶体管能够实现对电流的有效控制。以下将详细探讨晶体管的主要材料，包括硅（Si）、锗（Ge）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等，并介绍它们在晶体管制造中的应用和特性。
2024-08-15 11:32:354405 电子发烧友网站提供《GaN晶体管的命名、类型和结构.pdf》资料免费下载
2024-09-12 10:01:200 电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
2025-02-13 15:23:257 模型导入PSpice和LTspice的说明，最后比较一些测试和仿真结果。按照以下说明正确加载模型后，晶体管符号将如图1所示出现。 深度详细的PDF文档免费下载： *附件：GaN HEMT的SPICE
2025-03-11 17:43:112142 
电子发烧友App
工商网监
评论