式电源 (SMPS)。 首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度
2022-05-19 10:50:42
1844 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-10 14:04:347768 
Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:005406 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311168 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装，最大RDS（ON）导通电阻降至8.05 m，Qg为6.5 nC
2020-11-04 16:03:001091 日前发布的器件在小型封装内含有高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。稳压器静态工作电流低，峰值效率达98 %，减少功率损耗。
2021-03-24 16:58:211425 汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
2021-04-07 10:34:071562 Vishay宣布，推出新型模块化面板电位计--- P11H，转矩达到业内高水平的8 Ncm——比紧随其后的竞品器件高200%——适用于越野、航空和工业应用。
2021-11-01 14:34:231321 
Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道
2022-06-28 11:01:01750 
），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，工程师在选择
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
800V，且 RDS(on) 在 10V VGS 时仅 0.15Ω ，在 4.5V 时仅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 也不含卤素（按照 IEC
2019-07-09 17:30:39
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
通电阻RDS（ON）限制的斜率，来计算导通电阻：RDS（ON） = (1-0.1）/(30-3) = 0.033Ohm（2）最右边的垂直边界是功率MOSFET的额定电压，200V。（3）最上面的电流水平
2016-10-31 13:39:12
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率MOSFET管的耐压主要通过厚的低
2016-10-10 10:58:30
e图2：空穴和电子的迁移率迁移率和tc成正比，由于空穴的有效质量比较大，因此在同样的掺杂浓度下，空穴的迁移率远小于电子，这意味着：同样的晶元面积，P沟道的功率MOSFET的导通电阻也远大于N沟道的功率
2016-12-07 11:36:11
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
,with ESDFTH23N25R250230.120.14TO-3PSingle N-ch 器件广泛应用于高效开关电源（SMPS）、低电源适配器/充电器、有源功率因数校正以及低功率镇流器等领域。250V MOS管由于具有开关速度快、导通电阻低、短路
2011-04-15 11:51:00
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
Voltage100V最大漏极电流Id Drain Current170mA/0.17A源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.4
2019-11-13 11:00:58
的推出，为业界提供了最佳功率密度和低传导损耗。FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench技术，非常适合要求在小空间内实现最低RDS(ON)的应用，包括：高性能DC-DC降压转换器、负载点
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率环保封装 由于采用COOLiRFET硅技术, 40V AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds（on））改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。双面冷却的中罐式
2018-09-28 15:57:04
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2018-03-03 13:58:23
一般说明PW2202是硅N沟增强型vdmosfet，采用自对准平面技术，降低了传导损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于系统的各种功率开关电路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（开）
2020-12-11 16:37:57
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性区的过程，也就
2017-04-06 14:57:20
图1 RDS(on)在最高工作温度的30%～150%这个范围内随温度增加而增加导通电阻对N沟道和P沟道MOSFET都是十分重要的。在开关电源中，Qg是用在开关电源里的N沟道MOSFET的关键选择标准
2019-09-04 07:00:00
通过导电沟道进入垂直的N+区，中和N+区的正电荷空穴，从而恢复被耗尽的N+型特性，因此导电沟道形成，垂直N+区掺杂浓度高，具有较低的电阻率，因此导通电阻低。比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45:55
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，它代表金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道
2021-04-09 09:20:10
在现有空间内继续提高功率，但同时又不希望增大设备所需的空间，”德州仪器产品经理Masoud Beheshti说，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。”
2019-08-06 07:20:51
的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOS管将明显降低。 通过以上分析可以看到：阻断电压与导
2018-11-01 15:01:12
晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 2000 V Id-连续漏极电流: 6 A Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-
2020-03-09 15:36:41
: SOT-227-4 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 660 A Rds On-漏源导通电阻: 850 uOhms
2020-03-14 18:16:31
记得作者2002年做研发的时候，在热插拨的应用中就开始关注到这个问题，那时候很难找到相关的资料，最后在功率MOSFET的数据表中根据相关的图表找到导通电阻RDS(ON)的这个违背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28:01
%和39%。改善导通电阻与栅极电荷乘积（优值系数，FOM），不仅能够提高总体的系统效率，还能够使DC/DC转换器实现更高的功率密度和更高的开关频率。为验证从TrenchFET III到TrenchFET
2013-12-31 11:45:20
在不降低性能的情况下节省能源成本。TI 电源封装解决方案提供多种封装形式，例如高级版本的 SOIC （针对 LBC7HV 等工艺技术），而且，目前我们正在为我们的客户提供高电压（和中低功耗）封装技术
2018-09-14 14:40:23
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
散热器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等贴片封装，从而大幅简化热管理。 因此，可以提高开关电源的功率密度，同时降低系统成本。 继去年发布展示有巨大优势的全新30V硅技术产品之后
2018-12-06 09:46:29
等级，同时，在器件导通时，形成一个高掺杂N+区，作为功率MOSFET导通时的电流通路，也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开，分别设计在不同的区域，就可以实现上述的要求。基于超结
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是
2011-08-17 14:18:59
型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻
2012-10-30 21:45:40
型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻
2012-10-31 21:27:48
PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。 内建横向电场MOSFET的主要特性 1、 导通电阻的降低 INFINEON的内建横向电场的MOSFET，耐压600V
2023-02-27 11:52:38
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54676 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301341 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip电阻--- WSK0612。该电阻是业内首个4接头、1W的检流电阻，采用小尺寸的0612封装，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:07846 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2512，这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。
2014-02-10 15:16:51890 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里，低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171004 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出功率等级达到3W，采用1216外形尺寸的新表面贴装Power Metal Strip®检流电阻
2016-11-23 16:48:111697 了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 （FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
2017-02-10 15:10:111667 电阻---RCWH，电阻的功率等级达到0.33W，外形尺寸为0805。Vishay Dale RCWH系列电阻的功率密度是相同占位的标准电阻的2.5倍以上，在通信、计算机、工业和消费应用中能够节省空间，并减少元器件数量。
2017-05-24 10:48:45983 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 适用于标准栅极驱动电路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET——SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10
2021-12-05 10:21:11
5 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 N 沟道器件实现高功率密度，降低导通和开关损耗，提高能效 宾夕法尼亚、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 
RDS(ON) 达到业内先进水平，提高功率密度、能效和热性能
2024-03-08 09:12:15146 
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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