N沟道耗尽型MOSFET
1) N沟道耗尽型MOSFET的结构
N
2009-09-16 09:41:4323374 恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC
中国上海,2010年12月6日讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36:44829 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 万国半导体(AOS)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS (αMOS)中压系列旗舰产品,为众多设备追求极致效率提供了解决方案。AON6250
2013-05-14 10:23:153356 用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:59:3415878 硬件面试中有遇到过这样的事吗?通常让你画一个增强型的MOSFET,或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31779 `惠海半导体【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 厂家直销,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,超低内阻,结电容超小,采用沟槽工艺,性能优越,惠海半导体专业20-150V
2020-11-14 13:54:14
中低压MOS管广泛应用于:LED车灯电源,LED电源,POE交换机,雾化器,香薰机,加湿器,美容仪,驱动电机、防盗器等领域 型号HC037N06L N沟道场效应管 60V30A30N06 内阻
2020-11-12 11:24:12
`惠海半导体【MOS管原厂】厂家供应n沟道场效应管MOS管原厂,质优价廉大量现货量大价优 欢迎选购,低内阻,洁电容小,采用先进的沟槽工艺,性能优越。电弧打火机专用MOS管 100V15A
2020-11-11 17:10:06
】型号:HC020N03LN沟道场效应管30V30A TO-252内阻20mR型号:HC3600MN沟道场效应管30V8A SOT23-3内阻22mR型号:HC3400MN沟道场效应管30V5.8ASOT23-3内阻
2020-11-11 17:32:09
,价格合理,货源稳定,品质保证!型号:HC706N沟道场效应管60V7A SOP-8封装内阻80mR型号:HC020N03LN沟道场效应管30V30A TO-252封装内阻20mR型号:HC3600M
2020-10-09 14:25:10
:N沟道场效应管,内阻10.5mR, 封装:贴片(TO-252),低开启电压1.7V,低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强,可用于雾化器、香薰机、加湿器等15N
2020-12-02 15:41:01
`型号:HC012N06L2参数:60V50A ,类型:n沟道场效应管,内阻14mR, 低结电容1100pF,封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压
2020-10-09 14:11:55
`型号:HC160N10L N沟道场效应管100V10A(10N10)TO-252封装 内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等型号:HC080N10L N沟道场效应管100V17A(17N
2021-03-03 15:32:16
、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺,开关损耗小60V50A低内阻低结电容N沟道MOS管HG012N06L`
2020-09-24 16:34:09
型号:HC080N06LS【06N06】丝印:HC606参数:60V 6A 类型:N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结电容435pF 封装:SOT23-3低开启电压1.8V广泛用于车灯照明、车载
2021-03-08 16:42:08
60V耐压mos管50N06_低成本_原厂直销_种类齐全型号:HC15N10 N沟道场效应管 100V15A(15N10)TO-252封装,内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
2020-12-01 16:18:08
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑
N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
;<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程,特别是
2010-04-15 09:51:37
N沟道MOSFET驱动电路LTC4446资料下载内容主要介绍了:LTC4446功能和特点LTC4446引脚功能LTC4446内部方框图LTC4446应用电路
2021-04-15 06:53:16
为正时,它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地,漏极连接到负载,当栅极施加正电压时,FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
:TO-252Ciss:920pF内阻:(vgs=10v)9.1mΩ 低压MOS管HC009N03L产品特性(vgs=10v)9.1mΩN沟道场效应管快速切换低结电容445pF低开启电压1.5V低结电容温升低转换
2020-11-16 13:51:24
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]该TDM31066采用先进的沟槽技术[td=331]RDS(ON)
2018-11-12 15:55:20
`N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS(ON)<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N沟道增强型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 该TDM3512采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 装置是适合用作负载开关或在PWM 应用。 一般特征 [tr][td]lRDS(ON)
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS(ON)和低门电荷。[td=331]◆RDS(ON)
2018-11-16 13:42:48
:HC160N10LS参数:100V5A ,丝印:HC510 ,类型:N沟道场效应管,内阻155mR,低结电容400pF,封装:SOT23-3,低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,低开启电压产品型号
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
AO9926B双N沟道MOS管(20V 7.6A)
2020-10-31 16:51:02
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技术,具有极低的RDS(on),低栅极电压和高电流能力,非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N沟道100V(D-S)MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V(D-S)MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03:59
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
东莞市惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 厂家直销,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能优越。 主营SOT23-3
2021-03-13 11:32:45
惠海半导体【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 厂家直销,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能优越,惠海半导体专业20-150V系列
2020-12-10 11:26:01
`ISA04N65A N沟道MOSFETTO-220F 应用范围特征: •适配器•符合RoHS标准 •充电器•低导通电阻 •SMPS待机功率•低门电荷 •LCD面板电源•峰值电流与脉冲宽度曲线 [/td][td]•ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N沟道 MOSFETISU04N65A N沟道MOSFETTO-251 应用范围特征: •适配器•符合RoHS标准 •电视主要电源•低导通电阻 •SMPS电源•低门电荷
2018-09-06 13:45:25
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件,根据场效应管的结构分为结型场效应(简称JFET)和绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类。按沟道材料:结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式:耗尽型
2021-12-28 17:08:46
`品牌:NCE新洁能型号:NCE3416封装:SOT23-6批号:批号FET类型:N沟道漏源电压(Vdss):20V漏极电流(Id):6.5A漏源导通电阻(RDS On):16栅源电压(Vgs
2021-07-21 16:14:39
,增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型,耗尽型MOSFET分为P沟道耗尽型和N沟道耗尽型。在本文中,小编将介绍其中一种类型的MOSFET,即P沟道MOSFET。基本概念沟道由大多数电荷载流子作为
2022-09-27 08:00:00
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关,本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员,MOSFET可能代表能源传递最佳方案(Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
PCM15N12E 3A以上快充锂电池保护MOSFET 的参数介绍 威明半导体/周R:***产品类型:12V ESD 锂电池保护MOSFET参数: 12V,5.9mohm (TYP: 4mohm
2019-07-31 10:45:31
概述:Y-QFT4503M(4503AGM)采用8脚贴片封装,实为一只复合MOSFET,内含一只P沟道和N沟道场效应管,如下图所示,其最大漏源电流Idsm为7A,最大漏源电压Vds为30V,该元件在TCL液晶电
2021-04-06 06:53:57
SL3020双管30V16A 19毫欧DFN3.3x3.3-8-EPSL3020 N沟道场效应管 30V16A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管,经验丰富,实力雄厚,技术支持。是您值得
2020-06-20 10:04:16
深圳市三佛科技有限公司 供应 SLN30N03T30V 30A N沟道 MOS,原装现货热销 SLN30N03T参数: 30V30ADFN3*3-8 N沟道MOS管品牌:美浦森
2021-04-07 14:57:10
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R双N沟道功率MOS,24V6A,内阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R双N沟道功率MOS,20V6A,内阻15mΩSTH1227SP完美替代松下FCAB21490L双N沟道功率MOS,12V27A,内阻2.5mΩ
2021-07-21 17:09:05
【中低压MOS供应】VS3622DE,30V/35A,双N沟道高级功率MOSFET 【中低压MOS供应】VS4610AE,40V55A,N沟道高级功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
800V,且 RDS(on) 在 10V VGS 时仅 0.15Ω ,在 4.5V 时仅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 也不含卤素(按照 IEC
2019-07-09 17:30:39
本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑
如题,因为要对电池进行管理,对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电,所以用两个N沟道增强型
2016-09-06 12:51:58
,简称场效晶体管。内部结构(以N-MOSFET为例)如下图所示。在P型半导体衬底上制作两个N+区,一个称为源区,一个称为漏区。漏、源之间是横向距离沟道区。在沟道区的表面上,有一层由热氧化生成的氧化层作为
2023-02-10 15:33:01
低内阻超结MOS NCE08N608A 600V内阻600豪欧封装TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
型号如下:型号:HC240N10LSN沟道场效应管 丝印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封装,内阻200mR 型号:HC160N10LSN沟道场效应管 丝印HC510 100V5A
2020-09-23 11:38:52
型号如下:型号:HC240N10LSN沟道场效应管 丝印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封装,内阻200mR 型号:HC160N10LSN沟道场效应管 丝印HC510 100V5A
2020-10-14 15:18:58
在通孔板上建立电路数小时后,我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索,我发现我需要使用N-MOSFET或BJT(NPN)将源极电压带到栅极,以便关断MOSFET。对我来说非常重要的是,当
2018-08-23 10:30:01
电源管理ICTDM3412双路N沟道增强型MOSFET 描述:TDM3412采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 这个器件适合用作负载开关或PWM应用。一般描述:频道1RDS(ON)
2018-05-25 11:54:29
:SL50P03 P沟道DFN3.3*3.3-8 EP-30V -50ASL7403P沟道DFN3x3A-8 EP-30V -32ASL6411P沟道DFN5*6-8 EP-20V -85ASL3020N沟道
2020-07-02 14:49:14
/复位IC、背光驱动芯片/MOS管SL3009N沟道SOP-830V 9ASL4354N沟道SOP-830V20A可替换 AO4354SL4406N沟道SOP-830V13A可替换 AO4406A
2020-07-27 16:55:26
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V(绝对最大值)的高压(HV)轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
,合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)。N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底,高掺杂沟道
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。1、N沟通和P沟道
2016-12-07 11:36:11
, 电感电流检测单元,电池电压检测电路和内置场效应晶体管驱动电路等,具有外部元件少, 电路简单等优点。
当电池电压低于输入电压或电池短路时,YB5082 在内部N沟道MOSFET和P沟道MOSFET
2023-10-12 15:36:55
外场效应晶体管驱动电路等,具有外部元件少,电路简单等优点。当接通输入电源后,QF8302进入充电状态,控制片外N沟道MOSFET导通,电感电流上升,当上升到外部电流检测电阻设置的上限时,片外N沟道
2021-09-23 18:32:01
沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员,MOSFET可能代表能源传递最佳方案(Most Optimal Solution for Energy Transfer)的缩写。对工程师来说
2021-04-09 09:20:10
有没有人用过SI2307 P沟道MOSFET?不知道为什么5V的电压无法关断、、、是不是设计问题?
2016-08-28 18:29:46
`请问像9926、8814这样的双MOSFET的规格书里所描述的导通内阻Rds(on)是指其一个MOSFET的内阻还是指两个MOSFET串联后的总内阻呢?望知道的朋友解答下,不胜感激,谢谢。`
2012-10-03 15:57:50
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压,源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时,从漏极到源极的电流将减少,直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽型MOSFET有两种类型,分别是P沟道和N沟道
2022-09-13 08:00:00
` 本帖最后由 meiyatechdptel 于 2011-11-16 17:16 编辑
超低内阻高压MOSFET陈章深圳市美亞科技有限公司ShenZhen Meiya Techology
2011-11-16 17:02:58
LTC2924,采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
Simulation Computing Cloud)。从2014年开始合作,2016年合作发布全球首款量产互联网汽车荣威RX5至今,上汽集团旗下自主品牌包括荣威、名爵、大通等新车全线搭载基于AliOS操作系统的斑马
2018-06-19 16:04:24
`型号:HC080N06LS参数:60V6A ,类型:N沟道场效应管,内阻90mR,低结电容435pF,封装:贴片(SOT23-3),低开启电压1.5V,低结电容,低内阻,低结电容,低开启电压,温升
2020-10-27 15:42:11
WhisperBattery荷兰威仕博蓄电池6-GEL-70-销售总部荷兰Whisperpower蓄电池集团-威仕博蓄电池纳米吸酸胶体蓄电池威仕博电池WESSBOSS蓄电池集团 成立
2022-11-02 14:21:51
威仕博纳米吸酸胶体蓄电池(中国)有限公司WESSBOSS威仕博蓄电池6-GEL-70现货价格荷兰Whisperpower蓄电池集团-威仕博蓄电池纳米吸酸胶体蓄电池威仕博电池WESSBOSS蓄电池集团
2022-11-02 17:14:11
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:3315 20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:2023 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 N加P沟道增强型MOSFET管
N加P沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:43:3925 N沟道增强型MOSFET
N沟道增强型MOSFET的工作原理
1) N沟道增强型MOSFET的结构N 沟道增强型
2009-09-16 09:38:1810460 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于,与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V,降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 日前,Vishay宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON),外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2,开启电压低至1.2V
2015-06-19 17:07:561040 MOSFET多数是载流子器件, N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性,就RDS(on)而言,为得到相等的值,P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N沟道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521279 电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护,离不开高性能的开关器件。近日,豪威集团全新推出两款 MOSFET:业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008。
2022-06-28 11:26:32910 由于具有较低的导通电阻(RDS(on))和较小尺寸,N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中,基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素,使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。
2022-11-18 11:28:212478 30 V,N 沟道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 在本文中,我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路,该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005290
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