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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>三星宣布第2代14纳米FinFET工艺技术投入量产

三星宣布第2代14纳米FinFET工艺技术投入量产

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三星10纳米工艺技术公告:全球领先的三星电子先进的半导体元器件技术正式宣布,其第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术,10LPP(Low Power Plus)已经合格并准备就绪用于批量生产。
2017-05-03 01:00:11580

Cadence数字、签核与定制/模拟工具助力实现三星7LPP和8LPP工艺技术

2017年6月2日,上海——楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ: CDNS) 今日宣布其数字、签核与定制/模拟工具成功在三星电子公司7LPP和8LPP工艺技术上实现。较前代高阶工艺
2017-06-02 16:04:341237

格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即

加利福尼亚,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术,其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施
2017-06-14 16:24:51877

浅析TSMC和FinFET工艺技术的Mentor解决方案

Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工艺的认证。Nitro-SoCTM 布局和布线系统也通过了认证,可以支持 TSMC 的 12FFC 工艺技术
2017-10-11 11:13:422372

三星开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片

据韩联社北京时间12月20日报道,三星电子今天宣布,已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

7nm芯片成为今年旗舰处理器标配 三星宣布5/4/3nm工艺技术

的一个关键词。 而作为芯片制造的一大头,三星此前也已经宣布了其7nm LPP工艺将会在2018年下半年投入生产,此外,在昨天的Samsung Foundry Forum论坛上,三星更是直接宣布了5/4/3nm工艺技术
2018-05-25 11:09:003532

中芯14纳米FinFET制程良率达95%,预计2019量产

中芯国际最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段,其试产的良率已经可以达到95%的水准,距离2019年正式量产的目标似乎已经不远
2018-07-06 15:23:523383

ANSYS宣布14纳米FinFET制程技术获联电认证

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem获联华电子(UMC)的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案,支援共同客户满足下一代行动和高效能运算(HPC)应用不断成长的需求。
2018-07-17 16:46:003390

三星7nm LPP工艺进入量产,Intel重申10nm工艺进展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工艺进入量产,并表示基于EUV光刻技术的7LPP工艺对比现有的10nm FinFET工艺,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面积能效。
2018-10-22 10:05:403490

三星宣布已完成5纳米FinFET工艺技术开发

4月16日,三星官网发布新闻稿,宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发,现已准备好向客户提供样品。
2019-04-16 17:27:233008

基于三星14纳米工艺的百度昆仑AI芯片将量产

这是三星电子和百度的首次半导体代工合作。百度昆仑AI芯片结合百度自主研发的神经处理器架构XPU和三星14纳米制造工艺,采用I-Cube封装解决方案,可广泛用于云计算和边缘计算。
2019-12-19 14:11:232746

中芯国际取得海思14纳米FinFET工艺代工订单

据中国台湾消息报道,中国大陆芯片代工厂商中芯国际已经从竞争对手台积电手中,夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的14纳米FinFET工艺的芯片代工订单。
2020-01-14 15:31:432677

中芯国际从台积电手中夺得海思14纳米FinFET工艺芯片代工订单

关注半导体产业的台湾《电子时报》(DigiTimes)1 月 13 日报道称,中国大陆芯片代工厂商中芯国际击败台积电,夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的 14 纳米 FinFET 工艺芯片代工订单。
2020-01-16 09:00:015094

三星电子奋力赶超台积电,计划在2022 年量产 3 纳米芯片

,在 2022 年量产 3 纳米芯片。该高管透露,三星电子已在与主要合作方开发初步设计工具。 三星电子向其下一代芯片业务投入 1160 亿美元,其中包括为外部客户制造芯片。 三星电子领导人李在镕此前曾透露,该公司计划采用正在开发的最新 3 纳米全栅极 (gate-all-around,简称 GAA)工艺技术
2020-11-19 11:39:071446

三星投入7608亿实现3纳米制程2022年量产

据彭博社报道,三星全力发展晶圆代工业务,规划投入1160亿美元(约合人民币7608亿元),目标实现3纳米制程2022年量产,与台积电同步,是两强近年先进制程竞逐赛中,最接近的一次。业界认为,若三星
2020-11-26 14:44:261862

台积电 FinFET三星 GAA 在 3nm 制程技术遇瓶颈,量产时间恐将推迟

据 Digitimes 报道,业内人士透露,台积电 FinFET三星 GAA 在 3nm 制程技术的开发过程中都遇到了不同但关键的瓶颈。报道称,台积电和三星因此将不得不推迟 3nm 制程工艺
2021-01-04 16:20:102277

三星宣布其基于栅极环绕型晶体管架构的3nm工艺技术已经正式流片

目前从全球范围来说,也就只有台积电和三星这两家能做到5纳米工艺以下了。6月29日晚间,据外媒报道,三星宣布其基于栅极环绕型 (Gate-all-around,GAA) 晶体管架构的3nm工艺技术已经
2021-07-02 11:21:542254

台积电3nm即将量产 2nm预计2025年量产

  最近,台积电总裁魏哲佳出席2022台积电技术论坛,他表示台积电的3纳米工艺技术即将量产,2纳米工艺保证在2025年量产
2022-08-31 16:40:443076

三星代工厂宣布3纳米节点已进入风险生产阶段

三星最新的生产工艺技术是他们的4nm节点。该节点去年年底提高了产量。这是他们最后一个基于FinFET的前沿工艺技术,尽管不是他们计划中的最后一个。
2022-09-09 14:27:18433

智原宣布支持三星14纳米LPP工艺的IP硅智财并已上架

ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布其支持三星14纳米LPP工艺的IP硅智财已在三星SAFE IP平台上架,提供三星晶圆厂客户采用。
2022-10-14 17:39:021000

三星3纳米良率不超过20% 将重新拟定制程工艺时间节点

三星最新公布的制程工艺技术路线图显示,该公司计划在2025年开始量产2纳米级SF2工艺,以满足客户对高性能处理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3纳米工艺已满足大规模生产的标准。
2023-06-29 16:26:331270

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