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使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(下)

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详解单晶硅的各向异性蚀刻特性

为了形成膜结构,单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂浓度
2022-03-25 13:26:342506

微机械中的各向异性蚀刻技术与发展方向

单晶S1, 作为IC、LSI的电子材料, 用于微小机械部件的材料,也就是说,作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是, 除了单晶SI或机械性强之外,还在于通过利用仅可用于单晶的晶体取向的各向异性
2022-03-29 14:57:261014

通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透

各向同性湿法蚀刻条件相比,由于非常高的各向异性,反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此,当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时,使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示,以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-06 13:29:19666

铁磁材料的应力致磁各向异性特性研究

实验名称:功率放大器在铁磁钢材应力致磁各向异性定量检测特性研究中的应用
2022-04-06 15:47:271598

通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透研究

各向同性湿法蚀刻条件相比,由于非常高的各向异性,反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此,当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时,使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示,以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-22 14:04:19591

单晶硅的各向异性蚀刻特性说明

为了形成膜结构,单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻
2022-05-05 16:37:362658

碱性KOH蚀刻特性的详细说明

氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09:201420

不同掩模材料对400nm沥青光栅蚀刻特性的影响

本文主要介绍了我们华林科纳研究了用聚合物、Cr、二氧化硅和Cr-单聚聚合物等各种蚀刻掩模材料对400nm沥青硅光栅的低温深蚀刻。研究发现,下切口是限制Cr和二氧化硅直接硬掩模可实现长径比的关键因素
2022-05-10 10:21:58252

使用蚀刻掩模材料在InP衬底中实现V形槽

控制,它非常适合于实现精确的微结构,然后可以用于无源光纤自对准。因其晶面蚀刻速率不同而产生的单晶硅各向异性湿法化学蚀刻是一种成熟且受欢迎的技术。1该技术已用于制造各种高精度无源微结构,然后用于固定光纤和引导光线。然而,由于大多数光学器件是由直接带隙化合物半导体材料如InGaAs和InP制成的
2022-05-11 15:04:34644

硅结构的深且窄的各向异性蚀刻研究

,在5 μm的平均蚀刻速率下,2 pm宽的沟槽蚀刻到50 pm的深度,具有高度各向异性的轮廓和对SiO2掩模非常高的选择性。
2022-05-11 15:46:19730

一种干法各向异性刻蚀石墨和石墨烯的方法

我们华林科纳研究了一种干法各向异性刻蚀石墨和石墨烯的方法,能够通过调整蚀刻参数,如等离子体强度、温度和持续时间,从边缘控制蚀刻蚀刻过程归因于碳原子的氢化和挥发,蚀刻动力学与甲烷形成一致,这种简单、干净、可控且可扩展的技术与现有的半导体处理技术兼容。
2022-05-19 17:06:461781

KOH蚀刻:凸角蚀刻特性研究

引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:481114

金属蚀刻残留物对蚀刻均匀性的影响

蚀刻,加入CHCI以控制各向异性。大量的氦有助于光致抗蚀剂的保存。已经进行了支持添加剂作用的参数研究。 高速率各向异性等离子体蚀刻工艺对于提高加工VLSI晶片器件的机器的效率非常重要。这篇论文描述了这样一种用于以高速率( 5000埃/分
2022-06-13 14:33:14904

晶圆的湿法蚀刻法和清洁度

本文介绍了我们华林科纳在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液,在晶圆表面,为了形成LSI布线,现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式,这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比,各向异性较好,对于形成细微的布线是有利的。
2022-07-06 16:50:321539

可润湿表面图案化的简便无掩模限制蚀刻策略

据麦姆斯咨询报道,鉴于此,四川大学王玉忠院士和宋飞教授开发了一种用于本征可润湿表面图案化的简便无掩模限制蚀刻策略。使用常见的印刷技术和随后的位置限制化学蚀刻,可以制造分辨率为200μm的固有、复杂和精确的图案(如QR码)。所创建的各向异性图案可用于实现水响应信息存储和加密。
2022-07-11 15:09:30894

什么是等离子蚀刻 等离子蚀刻应用用途介绍

反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果:其具有一定的各向异性,而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先,蚀刻速率显著增加。通过离子轰击,基材分子会进入激发态,从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:553390

基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件存在的两个弊端

随着工艺减小,热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒和磁各向异性场,面内磁各向异性的来源是薄膜平面较大的长宽比。
2022-11-17 14:29:591611

高速硅湿式各向异性蚀刻技术在批量微加工中的应用

蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻,湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12701

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻各向异性蚀刻各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

功率放大器在铁磁钢材应力致磁各向异性定量检测特性研究中的应用

实验名称:功率放大器在铁磁钢材应力致磁各向异性定量检测特性研究中的应用实验目的:本实验探究了应力致磁各向异性的物理表现及其定量检测应力的特性,设计搭建了实验系统,制作了铁磁性Q195钢材平板试件
2022-09-23 09:22:49340

结构参数对各向异性磁电阻(AMR)磁场传感器性能的影响

镍铁(NiFe)合金具有较强的各向异性磁电阻效应、较高的居里温度、易于实现与电路集成以及较低的制作成本等优点,成为开发磁电阻传感器的首选材料。
2023-06-21 09:29:50377

什么是各向异性刻蚀?

各向异性刻蚀是一种减材微加工技术,旨在优先去除特定方向的材料以获得复杂且通常平坦的形状。湿法技术利用结构的晶体特性在由晶体取向控制的方向上进行蚀刻。 然而,概述了一些定性方面用于解释各向异性的性质
2023-08-22 16:32:01407

使用各向同性湿蚀刻和低损耗线波导制造蚀刻材料对非晶硅进行纳米级厚度控制

我们华林科纳通过光学反射光谱半实时地原位监测用有机碱性溶液的湿法蚀刻,以实现用于线波导的氢化非晶硅(a-Si:H)膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性结构产生的各向同性蚀刻导致表面
2023-08-22 16:06:56239

关于氮化镓的干蚀刻综述

GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限,因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构,其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻
2023-10-07 15:43:56319

SDTR一种薄膜面内各向异性热导率的测量方法

SDTR一种薄膜面内各向异性热导率的测量方法近年来,随着半导体行业的迅猛发展,半导体元件的体积急剧减小,对芯片或薄膜材料的热物性探究至关重要,这样给予针对超小尺寸的热物性探测技术提供了发展需求,而其
2023-12-14 08:15:52180

一种制造光学器件的新方法

光刻技术涉及操纵光线将特征精确蚀刻到表面上,通常用于制造计算机芯片和透镜等光学器件。但是制造过程中的微小偏差往往导致这些器件达不到设计者的预期。
2023-12-15 09:58:30242

RFID各向异性导电胶类型和可靠性

各向异性导电胶能够实现单方向导电,即垂直导电而水平不导电。各向异性导电胶的固体成分是多样的,可以是Ag颗粒,聚合物和合金焊粉。固化温度范围很广,涵盖100到200多摄氏度。RFID芯片在与基板键合时
2024-01-05 09:01:41232

各向异性导电胶原理 各向异性导电胶的工艺步骤

各向异性导电胶(Anisotropic Conductive Adhesives,简称ACAs)是一种具有导电性的胶粘剂,可用于电子元器件的连接和封装。与传统的导电胶相比,ACAs具有更好的导电性
2024-01-24 11:11:56466

基于3D打印的各向异性压阻式压力传感器,实现方向力感知

各向异性压力传感器由于在识别不同方向力方面的敏感性,在下一代可穿戴电子设备和智能基础设施中越来越受到关注。
2024-03-20 09:25:48224

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