或InAsSb材料用于彼此相对的蚀刻停止层,但是不希望其独特的II型破碎带隙对准的器件需要具有良好选择性的GaSb和AlGaAsSb之间的新的选择性湿法蚀刻剂。这里描述的所有湿法化学和干法蚀刻工艺都使用n型GaSb衬底进行了优化。
2022-05-11 14:00:421025 引言 本研究针对12英寸晶圆厂近期技术开发过程中后端一体化(AIO)蚀刻工艺导致的图案失效缺陷。AIO蚀刻直接限定了沟槽和通孔的形状,然而,包括层间介电膜的沉积、金属硬掩模和湿法清洗的那些先前的工艺
2022-06-01 15:55:467809 湿法蚀刻工艺的原理是利用化学溶液将固体材料转化为liquid化合物。由于采用了高选择性化学物质可以非常精确地适用于每一部电影。对于大多数解决方案选择性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 目前为止,在日常生活中使用的每一个电气和电子设备中,都是由利用半导体器件制造工艺制造的集成电路组成。电子电路是在由纯半导体材料(例如硅和其他半导体化合物)组成的晶片上创建的,其中包括光刻和化学工艺的多个步骤。
2022-09-22 16:04:441861 摘 要:针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度,分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋势,重点介绍集成电路工艺设备、分立器件工艺设备等细分领域的技术发展态势和主要技术挑战。
2023-05-23 15:23:47975 表现依旧存在较大的改进空间。从2019年底到2020年初,业内也召开了多次与半导体制造业相关的行业会议,对2020年和以后的半导体工艺进展速度和方向进行了一些预判。今天本文就综合各大会议的消息和厂商披露
2020-07-07 11:38:14
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
半导体器件相关超级群94046358,欢迎加入!涉及半导体器件及其制造工艺及原料,有兴趣的兄弟姐妹们加入了,500人的大家庭等着你...
2011-05-01 07:57:09
半导体发展至今,无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进,如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样,半导体器件的规格在不断的缩小,芯片的集成度也在不断提升,工艺制程从90nm
2020-12-10 06:55:40
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
请教下以前的[半导体技术天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
的积体电路所组成,我们的晶圆要通过氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积等技术,所须制程多达二百至三百个步骤。半导体制程的繁杂性是为了确保每一个元器件的电性参数和性能,那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
等公司是这一历史阶段的先驱。现在,ASIC 供应商向所有人提供了设计基础设施、芯片实施和工艺技术。在这个阶段,半导体行业开始出现分化。有了设计限制,出现了一个更广泛的工程师社区,它们可以设计和构建定制
2024-03-13 16:52:37
半导体芯片制造技术英文版教材,需要的联系我吧。太大了,穿不上来。
2011-10-26 10:01:25
在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体,使之导电性极差,然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性?
2012-07-11 20:23:15
是各种半导体晶体管技术发展丰收的时期。第一个晶体管用锗半导体材料。第一个制造硅晶体管的是德州仪器公司。20世纪60年代——改进工艺此阶段,半导体制造商重点在工艺技术的改进,致力于提高集成电路性能
2020-09-02 18:02:47
`请问PCB蚀刻工艺质量要求有哪些?`
2020-03-03 15:31:05
腐蚀掉,称为蚀刻。要注意的是,这时的板子上面有两层铜.在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种
2018-11-26 16:58:50
方面的专家,深圳捷多邦科技有限公司的高级工程师王高工对此有着深刻的见解。 他表示,在蚀刻工艺方面,要注意的是,这时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成
2018-09-13 15:46:18
;? 二. 施加焊膏工艺<br/>? 三. 施加贴片胶工艺<br/>? 四. 贴片(贴装元器件)工艺<br/>? 五
2008-09-12 12:43:03
厂的应用。 2 SPC技术概述 早期的半导体制造企业为保证产品质量,基本上以工艺检测和产品检验为主要手段进行产品的质量监控,很明显这是一种事后检测的方法,随着各类使用半导体元器件的电子产品的质量需求的提高
2018-08-29 10:28:14
Sic mesfet工艺技术研究与器件研究针对SiC 衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2?07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化
2009-10-06 09:48:48
`《半导体制造工艺》学习笔记`
2012-08-20 19:40:32
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中,湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒,而另一些则是去除有机和/或无机表面污染物。湿蚀刻剂可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
由于集成电路 (IC) 规模的不断减小以及对降低成本 、提高产量和环境友好性的要求不断提高,半导体器件制造创新技术的发展从未停止过。最近在硅湿法清洗工艺中引入臭氧技术以取代传统的 RCA 方法引起了业界的兴趣
2021-07-06 09:36:27
`书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺编号:JFSJ-21-045作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
镓和碳化硅的各种蚀刻剂,包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用,包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓
2021-10-14 11:48:31
各向异性(晶体)化学蚀刻是半导体器件的基础工艺技术,其中小平面和小平面定义的几何形状决定了器件的特性。例子是:(1)具有原子级光滑面的光学设备(波导、激光器)减少损失(2)MEMS,其中几何形状可以通过
2021-07-08 13:09:52
`书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN的晶体湿化学蚀刻[/td][td]编号:JFSJ-21-0作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:IC制造工艺编号:JFSJ-21-046作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要:集成电路的制造主要包括以下工艺
2021-07-08 13:13:06
(路由、滤波)由 SOI 波导结构完成。为了在 SOI 波导和 III-V 半导体之间耦合光,可以使用不同的耦合方案,并且渐逝耦合是一种经常使用的技术。许多基于渐逝耦合和 BCB 粘合剂粘合的有源光子器件
2021-07-08 13:14:11
光学 Mie 共振可以通过使用半导体核电介质壳 (CS) 和金属核半导体壳电介质外壳 (CSS) 纳米线异质结构来增强。 文章中,一种新颖的自上而下蚀刻方法来制造非常薄、高纵横比和垂直 III-V 族
2021-07-09 10:20:13
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的湿蚀刻编号:JFSJ-21-0作者:炬丰科技关键字:InGaP,湿法蚀刻,蚀刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号:JFSJ-21-0作者:炬丰科技网址:http
2021-07-06 09:39:22
`书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号:JFSJ-21-034作者:炬丰科技 摘要:在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:微镜角度依赖性与蚀刻剂选择编号:JFKJ-21-047作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html抽象的:在为微光学创建
2021-07-19 11:03:23
:MacEtch 是一种湿法蚀刻工艺,可提供对取向、长度、形态等结构参数的可控性,此外,它是一种制造极高纵横比半导体纳米结构的简单且低成本的方法。 3 该工艺利用了在氧化剂(例如过氧化氢 (H2O2))和酸(例如
2021-07-06 09:33:58
`书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:超大规模集成电路制造技术简介编号:JFSJ-21-076作者:炬丰科技概括VLSI制造中使用的材料材料根据其导电特性可分为三大类:绝缘体导体半导体
2021-07-09 10:26:01
。一.蚀刻的种类要注意的是,蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种
2018-04-05 19:27:39
馆)不同功率半导体器件,其承受电压、电流容量、阻抗能力、体积大小等特性也会不同,实际使用中,需要根据不同领域、不同需求来选用合适的器件。图表3 功率半导体器件比较(来源:中信证券研究部)随着技术的不断进步
2019-02-26 17:04:37
BSIMProPlus™是业界领先的半导体器件SPICE建模平台,在其产品二十多年的历史中一直为全球SPICE建模市场和技术的领导者,被全球一百多家领先的集成电路制造和设计公司作为标准SPICE
2020-07-01 09:36:55
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍,非常适合
2019-07-29 07:16:49
(SiC)和氮化镓(GaN)是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比,两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流,从而可以提高半导体工作温度。此外,SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
明计算机仿真手段在半导体集成电路生产流程优化中的作用。中图分类号:TN3关键字:EXTEND软件包;仿真;半导体集成电路;制造工艺流程;排队策略;制造周期一.半导体和集成电路制造流程的特点如今,半导体
2009-08-20 18:35:32
1、 电子、物理、通信、材料等专业,本科以上学历,3年以上的PECVD\LPCVD沉积工作经验; 2、 了解半导体工艺、精通PECVD或LPCVD材料生长技术; 3、 精通PECVD或LPCVD设备
2012-12-19 22:42:16
PCB部件使用PI膜作为柔性芯板,并覆盖聚酰亚胺或丙烯酸膜。粘合剂使用低流动性预浸料,最后将这些基材层压在一起以制成刚挠性PCB。刚柔性PCB制造工艺技术的发展趋势:未来,刚柔结合PCB将朝着超薄,高密度
2019-08-20 16:25:23
在印制电路加工中﹐氨性蚀刻是一个较为精细和覆杂的化学反应过程,却又是一项易于进行的工作。只要工艺上达至调通﹐就可以进行连续性的生产, 但关键是开机以后就必需保持连续的工作状态﹐不适宜断断续续地生产
2017-06-23 16:01:38
常用的功率半导体器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
{:1:}想了解半导体制造相关知识
2012-02-12 11:15:05
。 随着越来越多晶圆焊凸专业厂家将焊膏印刷工艺用于WLP封装,批量压印技术开始在半导体封装领域中广泛普及。然而,大型EMS企业也走进了WLP领域。封装和板卡之间的边界,以及封装与组装工艺之间的边界日渐模糊,迫使企业必须具备晶圆级和芯片级工艺技术来为客户服务`
2011-12-01 14:33:02
circuit technique )(百度百科)电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。 半导体工艺是集成电路工艺
2009-09-16 11:51:34
是集成电路(IC),也就是我们通常所说的“芯片”,它是半导体技术的主要产品。集成电路制造过程中,晶圆光刻的工艺(即所谓的流片),被称为前工序,这是IC制造的最关键技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序
2008-09-23 15:43:09
、日本等国家和组织启动了至少12项研发计划,总计投入研究经费达到6亿美元。借助各国***的大力支持,自从1965年第一支GaAs晶体管诞生以来,化合物半导体器件的制造技术取得了快速的进步,为化合物半导体
2019-06-13 04:20:24
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高,因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案,选择性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44:51
刻蚀工艺以满足工艺集成要求; 3、 与其他工程师紧密配合,进行半导体工艺流程分析 任职要求: 1、大学本科学历(含)以上 2、掌握半导体基础理论,制品及器件技术,熟悉设备 、工艺 、 制造等相关内容
2016-10-26 17:05:04
先在板子外层需保留的铜箔部分上,也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。 一.蚀刻的种类 要注意的是,蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有
2018-09-19 15:39:21
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
和舰科技自主创新研发的0.16 微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18 微米工艺技术基础上,将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩(实际尺寸为0.162 微米),大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 超细线蚀刻工艺技术介绍
目前,集成度呈越来越高的趋势,许多公司纷纷开始SOC技术,但SOC并不能解决所有系统集成的问题,因
2010-03-30 16:43:081181 光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将 其曝露于某种光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 本手册包括:物理常数、常用元素、杂质及扩散源、电热材料、工艺安全、管壳外形标准化等半导体器件制造工艺常用数据手册
2011-12-15 16:03:28131 半导体的制造流程以及各工位的详细工艺技术。
2016-05-26 11:46:340 铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信 网络 向长期演进( LTE )等 4G 技术的发展,分立技术在
2017-11-25 02:35:02456 在未来数年内,仍有数不清的机遇推动5G射频技术创新,而半导体工艺技术的发展无疑将扮演重要角色。从整个行业来看,从工艺和材料开发到设计技巧和建模,再到高频测试和制造,仍有很多工作需要完成。在实现5G目标的道路上所有学科都将参与其中,而半导体工程材料技术是重中之重。
2018-05-28 14:43:00899 本文首先介绍了PCB蚀刻工艺原理和蚀刻工艺品质要求及控制要点,其次介绍了PCB蚀刻工艺制程管控参数及蚀刻工艺品质确认,最后阐述了PCB蚀刻工艺流程详解,具体的跟随小编一起来了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479 本文档的主要内容详细介绍的是半导体制造教程之工艺晶体的生长资料概述
一、衬底材料的类型1.元素半导体 Si、Ge…。2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:0040 在印制板外层电路的加工工艺中,还有另外一种方法,就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺,可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。目前,锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺
2019-07-10 15:11:352710 要注意的是,这时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种工艺方法是整个
2019-07-08 14:51:342432 PCB板上的线路图形就是PCB线路板厂家采用曝光成像与显影蚀刻工艺技术来完成的,无论是PCB多层线路板还是柔性线路板在制作线路图形时都要用到曝光成像与显影工艺技术。下面来详细介绍这两种工艺的加工特点及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336 PCB板蚀刻工艺用传统的化学蚀刻过程腐蚀未被保护的区域。有点像是挖沟,是一种可行但低效的方法。在蚀刻过程中也分正片工艺和负片工艺之分,正片工艺使用固定的锡保护线路,负片工艺则是使用干膜或者湿膜来保护线路。用传统的蚀刻方法到线或焊盘的边缘是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 MEMS工艺——半导体制造技术说明。
2021-04-08 09:30:41237 书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:金属氧化物半导体的制造 编号:JFKJ-21-207 作者:炬丰科技 概述 CMOS制造工艺概述 CMOS制造工艺流程 设计规则 互补金属氧化物
2023-04-20 11:16:00248 商业材料,它们的广泛应用是由于其优异的导电性和导热性、易于制造和良好的强度。本研究考察了铜及其合金的可能的蚀刻剂。该研究还旨在提供关于在铜和铜合金的湿法蚀刻工艺中使用各种蚀刻剂引起的安全、健康和环境问题的信息
2022-01-20 16:02:241862 在半导体器件制造中,蚀刻是指选择性地从衬底上的薄膜去除材料并通过这种去除在衬底上创建该材料的图案的技术。该图案由一个能够抵抗蚀刻过程的掩模定义,其创建过程在光刻中有详细描述。一旦掩模就位,就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。图1显示了该过程的示意图。
2022-03-10 13:47:364332 在半导体微器件的制造中,必须通过蚀刻各种材料,从表面移除整个层或将抗蚀剂图案转移到下面的层中。在蚀刻工艺中可以分为两种工艺:湿法和干法蚀刻,同时进一步分为各向同性和各向异性工艺(见下图)。
2022-03-17 13:36:28404 薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比,应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅,可以简化后处理序列,从而缩短前工艺处理时间,上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下,用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤;将晶片安放在板上,然后用O2等离子体去除感光膜的步骤;和RCA清洗步骤。
2022-04-11 17:02:43783 蚀刻工艺 蚀刻过程分类
2022-08-08 16:35:34736 功率半导体分立器件的主要工艺流程包括:在硅圆片上加工芯片(主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀),进行芯片封装,对加工完毕的芯片进行技术性能指标测试,其中主要生产工艺有外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺和扩散工艺等。
2023-02-24 15:34:133185 金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172 随着晶体管尺寸的不断微缩,晶圆制造工艺日益复杂,对半导体湿法清洗技术的要求也越来越高。
2023-08-01 10:01:561652 PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象,通常发生在顶部,这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431014 半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541223 一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中,在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层,保留在板外层,即电路的图形部分,然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀,称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30671
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