瑞能650V IGBT的结构解析
IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35
安世半导体650V IGBT网络研讨会精彩回顾
为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟栅场截止(FS)工艺,为工业应用带来高可靠性的同时,提高功率密度。
2025-01-06 14:55:52
安世半导体650V IGBT网络研讨会前瞻
IGBT是中高压应用的主要器件。为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟栅场截止(FS)工艺,为工业应用带来高可靠性的同时,提高功率密度。
2024-12-09 10:20:55
吉林华微75A 650V IGBT N沟道绝缘栅双极晶体管
2023-01-09 10:53:35
英飞凌CoolSiC™ MOSFET满足高性能三相逆变焊机的设计需求
在220V单相家用便携式焊机应用中,大部分设计是使用650V IGBT单管制作逆变电源,开关频率最高可以到50kHz,如果采用软开关技术,开关频率还能更高,也有使用650V硅基MOSFET为功率器件
2020-03-31 15:32:38
Magnachip瞄准电动汽车市场
来源:半导体芯科技编译 Magnachip开始全面量产用于电动汽车PTC加热器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V绝缘栅
2023-09-19 16:04:38
安森美 AFGHL40T65SQ IGBT:汽车应用的理想之选
额定电流 40A、耐压 650V 的 IGBT,采用了新颖的场截止第四代高速 IGBT 技术,并且通过了 AEC - Q101 认证。这一认证意味着该器件符合汽车级
2026-04-23 15:00:15
国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗
在实际电路开发中,单相组串式逆变器主要是用650V的IGBT,目前在市面上经常使用仙童FGH40N60SFD的型号参数应用。在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗? 在选择电子元器件产品替代
2023-01-04 16:42:56
碳化硅SiC技术导入应用的最大痛点
元件和冷却器件的BOM成本。 例如,电动汽车的6.6kW双向车载充电器(OBC)的典型AC/DC部分包括四个650V IGBT、几个二极管和一个700-µH电感,占材料清单成本的70%以上。该
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2023-02-27 14:28:47
650V混合SiC单管的开关特性
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
650V耐压IGBT RGTV/RGW系列介绍
ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速开关型)”共21种机型,该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性,并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25
森国科推出650V/60A IGBT
森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59
森国科650V/6A IGBT的性能特点
森国科推出的650V/6A IGBT(型号:KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
2024-11-13 16:36:13
仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V介绍
JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块,采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片,带热敏电阻(NTC)和可选 PressFIT压接针脚技术。
2025-01-16 14:16:08
新洁能650V Gen.7 IGBT系列产品介绍
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计,大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性,为系统设计提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:22
龙腾半导体推出四款650V F系列IGBT新品
随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升,IGBT作为电力电子系统的核心开关器件,其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求,龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于为高频、高效应用提供更优异的解决方案。
2025-10-24 14:03:30
Onsemi FGAF40S65AQ:650V、40A场截止沟槽IGBT的深度剖析
Onsemi FGAF40S65AQ:650V、40A场截止沟槽IGBT的深度剖析 作为电子工程师,在设计功率转换电路时,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是关键功率器件之一。今天我们就来深入探讨
2026-04-23 14:20:35
onsemi 650V、30A AFGB30T65RQDN IGBT:汽车应用的理想之选
onsemi 650V、30A AFGB30T65RQDN IGBT:汽车应用的理想之选 在汽车电子领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)扮演着至关重要的角色。onsemi推出的650V、30A
2026-04-23 16:05:09
650V、75A IGBT FGH75T65SHDTL4:性能卓越的功率器件
650V、75A IGBT FGH75T65SHDTL4:性能卓越的功率器件 在电子工程师的日常设计工作中,选择合适的功率器件至关重要。今天要介绍的是安森美(onsemi)推出的一款650V、75A
2026-04-22 16:30:10
探索AFGHL75T65SQ:650V、75A场截止沟槽IGBT的卓越性能
探索AFGHL75T65SQ:650V、75A场截止沟槽IGBT的卓越性能 在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)一直是功率电子应用中的关键组件。今天,我们来深入了解安森美(onsemi
2026-04-23 15:30:17
简述仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD续流二极管,在硬换流的场合,至少有两个主要优势: 没有Si二极管的反向恢复
2021-03-26 16:40:20
FGHL75T65MQD:650V、75A场截止沟槽IGBT深度解析
FGHL75T65MQD:650V、75A场截止沟槽IGBT深度解析 在电子工程师的日常工作中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是功率电子领域里非常重要的器件。今天我们就来深入了解一款颇受关注的产品
2026-04-22 15:10:09
FGHL50T65MQD:650V、50A场截止沟槽IGBT的技术解析
FGHL50T65MQD:650V、50A场截止沟槽IGBT的技术解析 在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为关键的功率半导体器件,广泛应用于各种电力转换和控制电路中。今天,我们来
2026-04-22 15:50:23
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:32
FGH75T65SHD 650V, 75A 场截止沟槽 IGBT 深度解析
FGH75T65SHD 650V, 75A 场截止沟槽 IGBT 深度解析 在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为功率半导体器件,在诸多应用中发挥着至关重要的作用。今天我们就来详细探讨一下
2026-04-22 16:30:19
FGHL40T65MQDT:650V、40A场截止沟槽IGBT应用指南
FGHL40T65MQDT:650V、40A场截止沟槽IGBT应用指南 在电子设计的领域中,功率半导体器件的性能直接影响到整个系统的效率和稳定性。今天,我们就来深入探讨一下
2026-04-22 15:50:20