安世半导体650V IGBT网络研讨会前瞻

IGBT是中高压应用的主要器件。为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟栅场截止(FS)工艺，为工业应用带来高可靠性的同时，提高功率密度。

安世半导体的IGBT功率半导体产品总监史威将于2024年12月19日（周四）下午1530带来以《高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT介绍及其优势》为主题的网络研讨会。

届时他将深入解析安世半导体TO247 - 3封装的650V IGBT，并阐述其大幅优化的关断损耗与关断过压尖峰，如何达成较低温升与卓越效率，并探讨其在系统功率转换及电机驱动方面的应用优势。

直播主题

高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT介绍及其优势

直播时间

2024年12月19日（周四）下午1530

直播大纲

1. 安世半导体IGBT产品系列介绍

2. 安世半导体650V IGBT产品的特点及应用优势

直播讲师

史威

安世半导体（德国）

功率半导体产品总监

从事功率半导体器件（IGBT, SiC MOSFETs）运用需求，产品定义及市场推广工作多年。现任安世半导体（德国）功率半导体产品总监，规划主导IGBT产品路线。

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Nexperia (安世半导体)

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Nexperia：效率致胜。