专题W25Q256数据手册

QSIP驱动W25Q256调试记录发现异常初始化配置初始化要点指令时序分析与驱动函数W25Q256JV 数据手册纠错点：正点原子中，完全没有使用Table 4的 Dual/Quad SPI Instructions, 4-Byte Address Mode 指令，所以此处第二次建议不要参考正点原子代码中的指令，容易误入思维误区！驱动函数编程读Flash:0x6C纠错扇区擦除:0x21写FLASH(最大256字节）:0x34总结：记录调试QSPI方式驱动W25Q256，其中以正点原子和野火的STM

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256M位串行闪存 带双/四SPI和QPI的W25Q256资料汇总

1、W25Q128 是华邦公司推出的一款 SPI 接口的 NOR Flash 芯片，其存储空间为 128Mbit，相当于 16M 字节。 W25Q128 可以支持 SPI 的模式 0 和模式 3，也就是 CPOL=0/CPHA=0 和CPOL=1/CPHA=1 这两种模式。 2、写入数据时，需要注意以下两个重要问题： ①、Flash 写入数据时和 EEPROM 类似，不能跨页写入，一次最多写入一页，W25Q128的一页是 256 字节。 写入数据一旦跨页，必须在...

GD25Q256D（256M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3（保持/重置）。双I/O数据传输速度为208Mbits/s，四I/O&Quad输出数据以416Mbits/s的速度传输。

AT25DF256 数据表

AT25DN256 数据表

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The Microchip Technology Inc. 25AA256/25LC256(25XX256*) are 256 Kbit Serial Electrically ErasablePROMs. The memory is accessed via a simple SerialPeripheral Interface (SPI) compatible serial bus. Thebus signals required are

关键字:RTC,定时器， Flash, stm32，SPI，W25Q16W25Q1625Q系列，**16M-bit(1bytes=8 bits) **的flash。可以保存voice，text，data.The W25Q16JV array is organized into 8,192 programmable pages of 256-bytes each. Up to 256 bytes can be programmed at a time. Pages canbe erased in gr

最近使用STM32F103+W25Q64+USB+FATFS做了一个U盘设备。程序已经调试完成了，现在重新梳理一下知识再做一个记录。STM32F103+USB是根据官方demo修改的，这一部分没啥可说的。关于FATFS的移植下一篇文章介绍。本篇文章主要介绍W25Q64和驱动函数。W25Q64容量是64Mbit的flash，64Mbit = 8MByte。其内部组织关系如下：W25Q64内部分为128个块(Block)，每个块的大小是64K字节。 计算方式： (81024)K/128 = 64K字节。

W25Q64DW资料PDF欢迎下载

SPI全双工通信使用起来相当方便，最常见的是W25Q16存储颗粒的使用了，当重新上电时，存储再W25Q16中的数据不会丢失，仍然可以读取出来，下面就简单讲一下如何使用W25Q16存储芯片。 本篇讲的是使用硬件SPI让单片机和W25Q16进行通信，模拟SPI通信将会在下一篇讲。使用W25Q16的步骤如下： 1.配置与SPI有关的寄存器...

W25Q128V芯片是串行闪存，可以通过标准/两线/四线SPI控制，W25Q128fv管脚如上，作为标准SPI控制时，DO管脚为MISO,D1管脚为MOSI,/CS为片选NSS,CLK为时钟信号线。/WP为写保护管脚，/HOLD or /RESET为保持或复位引脚（通过寄存器配置）。原理图连接W25Q128(W25Q64)将16M(8M)的容量分为256(128)个块（Block），每个...

基于W25Q128一个块 （bank）有多个扇区 （sector），一个扇区（sector）有多个页（page）块（bank） > 扇区（sector） > 页（page）页：每页有256字节。扇区：每个扇区有4K（4096）字节数据，也就是一个扇区有16页。闪存单元没有有效数据时，填充0xFF闪存擦除数据，一般按扇区擦除，也可以整块芯片闪存。...

简介W25Q128FV (128M-bit)串行闪存为有限的空间、引脚和电源系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通的串行Flash设备。执行代码直接从双/四 SPI (XIP)和存储声音，文本和数据。该设备在2.7V到3.6V的电压上运行，电流消耗低至4mA活跃和1 A断电。所有设备都以节省空间的包装提供。W25Q128FV阵列被组织成65,536个可编程页，每个页256字节。一次最多可编程256字节。可按16组(4KB扇区擦除)、128组(32KB块擦除)、256组(64KB块

CW25Q64A(64M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。 25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。 它们非常适合将代码映射到RAM，直接从双/四SPI(XIP)执行代码，并存储语音、文本和数据。 该设备使用3.0V至3.6V单电源供电，掉电时的电流消耗低至3μA。 所有设备都以节省空间的包装形式提供。 CW25Q64A阵列被组织成32,768个可编程页面，每个页面256字节。 一次最多可编程256个字节。 可以按16个组(4KB扇区擦除)、128个组(32KB块擦除)、256个组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)来擦除页面。 CW25Q64A分别具有2,048个可擦除扇区和128个可擦除块。 小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用中提供更大的灵活性。 (参见图5-1 CW25Q64A串行闪存框图。)。 CW25Q64A支持标准的串行外设接口(SPI)、双/四I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/03。 支持高达104 MHz的CW25Q64A单SPI时钟频率，以及使用快速读取双/四I/O时，双I/O的等效时钟频率为208 MHz(104 MHz X 2)，四I/O的等效时钟频率为320 MHz(80 MHz X 4)。 这些传输速率可以超过标准的8位和16位并行闪存。 此外，该器件还支持JEDEC标准制造商和设备ID和SFDP，以及一个64位唯一序列号和三个256字节安全寄存器。

CW25Q128A(128M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。 25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。 它们非常适合将代码映射到RAM，直接从双/四SPI(XIP)执行代码，并存储语音、文本和数据。 该设备使用3.0V至3.6V单电源供电，掉电时的电流消耗低至3μA。 所有设备都以节省空间的包装形式提供。 CW25Q128A阵列被组织成65,536个可编程页面，每个页面256字节。 一次最多可编程256个字节。 可以按16个组(4KB扇区擦除)、128个组(32KB块擦除)、256个组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)来擦除页面。 CW25Q128A分别具有4,096个可擦除扇区和256个可擦除块。 小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用中提供更大的灵活性。 (参见图5-1 CW25Q128A串行闪存框图。)。 CW25Q128A支持标准的串行外设接口(SPI)、双/四I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/03。 支持高达104 MHz的CW25Q128A单SPI时钟频率，使用快速读取双/四I/O时，双I/O的等效时钟频率为208 MHz(104 MHz X 2)，四I/O的等效时钟频率为320 MHz(80 MHz X 4)。 这些传输速率可以超过标准的8位和16位并行闪存。 此外，该器件还支持JEDEC标准制造商和设备ID和SFDP，以及一个64位唯一序列号和三个256字节安全寄存器。

STEVAL-IPMnG5Q 是一种基于 SLLIMM™-nano（小型低损耗智能成型模块）第 2 系列产品（STGIPQ5C60T-HZ）的紧凑型电机驱动电源板。该产品为驱动大功率电机提供了一种经济实惠且易于使用的解决方案，适合各种应用，例如白色家电、空调、压缩机、电动风扇和用于电机驱动的一般三相逆变器。该评估板具有体积小、物料清单少、效率高的特点。它具备接口电路（总线和 VCC 连接器）、自举电容器、缓冲电容器、硬件短路保护、故障事件信号及温度监测功能。设计用于单并联或三并联配置，并具有三个电流检测选项：三个专用板载运算放大器、MCU 上的嵌入式运算放大器或一个内部 IPM 运算放大器。霍尔、编码器部分使电路更加完整。该系统能够实现电流反馈的精确快速调节，以满足磁场定向控制（FOC）的典型要求。STEVAL-IPMnG5Q 与基于 STM32 的意法半导体控制板兼容，为电机控制提供了完整的平台。

STEVAL-IPMnG8Q 是一种基于 SLLIMM™-nano（小型低损耗智能成型模块）第 2 系列产品（STGIPQ8C60T-HZ）的紧凑型电机驱动电源板。该产品为驱动大功率电机提供了一种经济实惠且易于使用的解决方案，适合各种应用，例如白色家电、空调、压缩机、电动风扇和用于电机驱动的一般三相逆变器。该评估板具有体积小、物料清单少、效率高的特点。它具备接口电路（总线和 VCC 连接器）、自举电容器、缓冲电容器、硬件短路保护、故障事件信号及温度监测功能。设计用于单并联或三并联配置，并具有三个电流检测选项：三个专用板载运算放大器、MCU 上的嵌入式运算放大器或一个内部 IPM 运算放大器。霍尔、编码器部分使电路更加完整。该系统能够实现电流反馈的精确快速调节，以满足磁场定向控制（FOC）的典型要求。STEVAL-IPMnG8Q 与基于 STM32 的意法半导体控制板兼容，为电机控制提供了完整的平台。

STEVAL-IPMNG3Q 是一种基于 SLLIMM™-nano（小型低损耗智能成型模块）第 2 系列产品（STGIPQ3H60T-H）的紧凑型电机驱动电源板。该产品为驱动大功率电机提供了一种经济实惠且易于使用的解决方案，适合各种应用，例如白色家电、空调、压缩机、电动风扇和用于电机驱动的一般三相逆变器。IPM 本身由短路耐用的 IGBT 和许多功能组成，例如欠压锁定、智能关机、内部温度传感器和 NTC，以及过电流保护和内部运算放大器。该评估板具有体积小、物料清单少、效率高的特点。它具备接口电路（总线和 VCC 连接器）、自举电容器、缓冲电容器、硬件短路保护、故障事件信号及温度监测功能。设计用于单并联或三并联配置，并具有三个电流检测选项：三个专用板载运算放大器、MCU 上的嵌入式运算放大器或一个内部 IPM 运算放大器。霍尔、编码器部分使电路更加完整。该系统能够实现电流反馈的精确快速调节，以满足磁场定向控制（FOC）的典型要求。STEVAL-IPMNG3Q 与基于 STM32 的意法半导体控制板兼容，为电机控制提供了完整的平台。

　　W25Q256FV（256M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远远超过普通SerialFlash设备。它们非常适合于将代码隐藏到RAM中，直接从双/四SPI（XIP）执行代码，并存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上运行，电流消耗低至4mA有效电流和1uA断电电流。所有设备均采用节省空间的包装。

FM25L256B datasheet pdf ,256Kb FRAM Serial 3V Memory The FM25L256B is a 256-kilobit nonvolatilememory employing an advanced ferroelectricprocess. A ferroelectric random access memory orFRAM is nonvol

16M位，2M字节低成本SPI接口存贮器，在IT硬件中被广泛使用。

GS 氧气传感器 KE-系列

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W25P80 不收积分，需要的看下

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W25Q256FV（256M位）串行闪存为空间、管脚和电源有限的系统提供存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。它们非常适合对RAM进行代码跟踪，直接从Dual/Quad SPI（XIP）执行代码，并存储语音、文本和数据。该设备在一个2.7V至3.6V的电源上工作，电流消耗低至4mA激活，1微a断电。

串行MRAM以40MHz的时钟速度高速运行，没有写延迟。和传统的EEPROM技术不同，MRAM允许无限次擦除。容量为256Kb到1Mb，数据保存时间长达20年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护

The TPS730xx family of low-dropout (LDO) low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), ultralow-noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses a small SOT23 package. NanoStar™ packaging gives an ultrasmall footprint as well as an ultralow profile and package weight, making it ideal for portable applications such as handsets and PDAs Each device in the family is stable, with a small 2.2μF ceramic capacitor on the output. The TPS730xx family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield low dropout voltages (e.

为了匹配存储系统和数据采集的速度，克服Flash擦除次数引起的使用寿命问题，并防止数据查询困难，介绍了支持SPI接口的铁电存储芯片FM25L256，它具有高速读写、低功耗、掉电数据保存的特点，提出了一种在配网监测系统数据存储系统的设计，给出了它与单片机C80

25AA010A/25LC010A 25AA320A/25LC320A 25AA020A/25LC020A 25AA640A/25LC640A 25AA040A/25LC040A 25AA128/25LC128 25AA080A/25LC080A 25AA256/25LC256 25AA080B/25LC080B 25AA512/25LC512 25AA160A/25LC160A 2

目前只可以实现单字节的读写，有需要和参考的可以看一下。

1、NuMaker-M2354试用之SPI 驱动W25Q128功能模块的硬件介绍开发版本身没有spi外设，没办法需要焊接或者连接spi外设。经过芯片文档查询M2354由四组spi总线0-3随机定使用SPI1 芯片手册、开发板用户手册查了一番，好多引脚有复用功能原作者：想当诸侯的小蚂蚁

W25Q64串行FLASH基础知识大小：8M（Byte）（128块（Block），每块64K字节，每块16个扇区（Sector），每个扇区4K字 节，每个扇区16页，每页256个字节）特点：Flash芯片内的数据只能由1变0，不能由0变1。W25Q64Flash工作方式：1）W25Q64 SPI数据传输时序 W25Q64支持SPI数据传输时序模式0（CPOL = 0、CPHA = 0）和模...

今天是过年放假的第一天(一共16天年假)，但是说实话放不放假对我们做技术的人来说有放跟没放其实区别不大，因为自驱力是我们维持自身实力和饭碗的根本，16天的假期可以做很多事情学不少东西了，唯...

本帖最后由 蓝剑威 于 2017-11-27 17:22 编辑 1、w25去6檫除要写入的位置2、檫除完后开始发送字模数据3、串口中断中依次写入//功能：从上到下打点void WriteByte(u8 x,u8 y,u8 data,u8 mode){//上到下打点 u8 t1; for(t1=0;t1>=1;y++; }}//左到右显示汉字void LcdShowChineseLeftToRight(u8 x,u8 y,u8 c,u8 h,u8 w,const u8 chineseString[],u8 m){ //列行式逆向取模即上到下，左到右，先低字节 //c：汉字的个数 //h：一个汉字所占的像素行数除8 //w：一个汉字所占的像素列数 //chineseString：字模数据数组首地址 u8 i,j,k; u8 xx,yy,dd; //i行j列 for(k=0;k

KL16：48MHz Cortex-M0+ 256KB闪存(64引脚)

W25Q128的读写采用的是SPI接口；本人移植的程序是在STM32上验证过的，只需要修改相应的底层函数即可；初始化SPI接口；void MX_SPI_Flash_Init(void){SPI_InitStructure SPI_initStruct;PORT_Init(PORTA, PIN5, PORTA_PIN5_SPI0_SSEL, 0); PORT_Init(PORTA, PIN6, PORTA_PIN6_SPI0_MISO, 1);PORT_Init(PORTA, P

SST25VF016B数据手册下来看看。

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W25Q128BV（8M位）串行闪存为具有有限内存的系统提供了存储解决方案空间、引脚和电源。25Q系列提供了超出普通串行闪存的灵活性和性能设备。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双/四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备使用一个2.7V至3.6V的电源供电功耗低至4mA，断电时为1µA。

GD25LQ32C_Rev1.3

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W25Q128FV(128Mbit)型串行 Flash 存储器面向受限于空间、引脚和功耗的系统，提供了一种存储解决方案。25Q 系列存储器相比于普通的串行 Flash 器件提供更好的灵活性和性能表现。它们是代码存储、代码直接通过双线/四线 SPI 运行、存储音频、文本和数据的理想选择。该器件可在 2.7V 到 3.6V 的供电电压下工作，工作时电流消耗最低 4mA，在掉电模式下消耗仅 1uA。所有的器件都提供节省空间的封装。

Q系列SFC编程手册

厦华LC-32W25S液晶电视维修手册和原理图文件下载

厦华LC-27W25S液晶电视维修手册和原理图文件下载

CC2530是IEEE 802.15.4、Zigbee和RF4CE应用的真正片上系统（SoC）解决方案。它能够以极低的总物料成本构建强健的网络节点。CC2530结合了在系统中，具有行业标准增强8051 MCU的领先射频收发器具有优异的性能可编程闪存、8-KB RAM和许多其他强大功能。CC2530有四种不同的闪存版本：CC2530F32/64/128/256，分别具有32/64/128/256 KB的闪存。CC2530具有多种操作模式，非常适合需要超低功耗的系统。运行模式之间的过渡时间较短，进一

256A.pdf 电子管资料数据手册

CoolRunner™II 256宏单元设备设计用于高性能和低功耗应用。这为高端通信设备节省了电能，为电池驱动的设备提供了高速电能。由于低功耗的备用和动态运行，提高了系统的整体可靠性。

idkt是一个高性能的安全存储设备系列，提供2k字节的用户内存，具有先进的内置aes 256安全引擎和加密功能。存储器被分为8个用户区，每个用户区分别设置不同的安全访问权限，或者一起使用为一个或多个数据文件提供空间。配置区域包含用于定义idkt全局安全ic的安全逻辑所使用的aes256密钥的寄存器。

这是一份基于SPI通信的W25X16器件的中文参考手册，对于学习SPI总线和Flash操作有很大的帮助。

KE1xZ系列中64-256KB闪存的芯片的数据手册

1. 描述 引脚排列 CW24C256B/512B是262144/524288位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用32768/65536 ×8位的组织结构，广泛应用于低电压和低功耗的工商业领域。CW24C256B/512B采用两线串行接口，支持1.7V（1.7至5.5V）版本。 2. 特点  宽工作电压：1.7V ~ 5.5V  工作环境温度：-40°C ~ +85°C  存储器组织结构： - CW24C256B, 32768 × 8 (256K 位) - CW24C512B, 65536 × 8 (512K 位)  2 线串行接口  施密特触发器，过滤输入，实现噪音抑制  双向数据传输协议  支持硬件写保护  64 字节页写模式（CW24C256B）； 128 字节页写模式（CW24C512B） 允许页面局部写入 自定时写入周期(最大 5 ms) 高可靠性 — 写次数：500 万次 — 数据保存：20年  封装：PDIP8/SOP8/TSSOP8/UDFN8/ SOT23-5/ TSOT23-5/MSOP8

1. 描述 引脚排列 CW24C256A/512A是262144/524288位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用32768/65536 ×8位的组织结构，广泛应用于低电压和低功耗的工商业领域。 CW24C256A/512A采用两线串行接口，支持1.7V（1.7至5.5V）版本。 2. 特点  宽工作电压：1.7V ~ 5.5V  工作环境温度：-40°C ~ +85°C  存储器组织结构： - CW24C256A, 32768 × 8 (256K 位) - CW24C512A, 65536 × 8 (512K 位)  2 线串行接口  施密特触发器，过滤输入，实现噪音抑制  双向数据传输协议  支持硬件写保护  64 字节页写模式（CW24C256A）； 128 字节页写模式（CW24C512A）  允许页面局部写入  自定时写入周期(最大 5 ms)  高可靠性 — 写次数：1 百万次 — 数据保存： 20年  封装：PDIP8/SOP8/TSSOP8/UDFN8/CPC8/SOT23-5/ TSOT23-5/MSOP8

The FM25W256 is a 256-Kbit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.

该FM25W256是一个256千位非易失性存储器采用先进的铁电过程。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并执行类似于RAM的读写。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

The FM25V02 is a 256-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process. Aferroelectric random access memory or F-RAM isnonvolatile and performs reads and writes like aRAM. It provides reliable data reten

这是一个256bit的非易失性存储器FM25L256采用先进的铁电的过程。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性和执行读取和写入内存一样。它提供了可靠的数据保持10年，同时消除了复杂性，开销和系统级的可靠性问题所造成的EEPROM和其他非易失性存储器。

教程图像分类 Caltech 256​数据集

P25Q40H/20H/10H/05H是一种串行接口闪存设备，设计用于各种基于大容量消费者的应用程序，其中程序代码被从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中以供执行。该设备的灵活的擦除体系结构，其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对附加数据存储设备的需求。

The CAT28C256 is a fast, low power, 5 V−only CMOS Parallel EEPROM organized as 32K x 8−bits. It requires a simple interface for in−system programming. On−chip address and data latches, self−timed write cycle w

HMC256数据表

LBGA256封装手册，SOT740-2

/******* 通过SPI与FLASH芯片W25X16通信****** 实现向FLASH写入数据和读出数据的功能****** W225X16芯片内共有8096页大小****** 一页可写256个字节******擦除时以扇区为单位一个扇区为16页*/#include"stm32f10x_lib.h"#include#defineW25X_DeviceID 0xab#defineDummy_Byte 0xfc//可以为任意数#defineW25X_madeID0x9f#defineW25X_WriteEnable 0x06#defineW25X_sectorID0x20#defineW25X_PageProgram 0x02#defineW25X_ReadData0x03#defineW25X_readRegstatus 0x05 u32 temp0=0,temp1=0,temp2=0;void delay5ms(void){int i=5000;while(i) { i--; }}/*USART1的GPIO的设置*/ GPIO_Configuration() { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA, ENABLE); //定义结构体GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_9;//TXDGPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;GPIO_InitStructure.GPIO_Mode =GPIO_Mode_AF_PP;GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure);GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_10; // RXDGPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;GPIO_InitStructure.GPIO_Mode =GPIO_Mode_IN_FLOATING;GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure);}/* usart1串口设置*/ USART1_Configuration(){USART_InitTypeDef USART_InitStructure; RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_USART1,ENABLE); //usart1串口时钟使能 USART_DeInit(USART1);USART_InitStructure.USART_BaudRate = 9600; //9600波特率USART_InitStructure.USART_WordLength = USART_WordLength_8b;//八个字节USART_InitStructure.USART_StopBits = USART_StopBits_1;//停止位为1位USART_InitStructure.USART_Parity = USART_Parity_No;//无校验USART_InitStructure.USART_HardwareFlowControl =USART_HardwareFlowControl_None; //无硬件流USART_InitStructure.USART_Mode = USART_Mode_Tx | USART_Mode_Rx; //接收和发送功能使能//USART_InitStructure.USART_Clock = USART_Clock_Disable;//USART_InitStructure.USART_CPOL = USART_CPOL_High;//USART_InitStructure.USART_CPHA = USART_CPHA_1Edge;//USART_InitStructure.USART_LastBit = USART_LastBit_Enable;USART_Init(USART1, &USART_InitStructure);USART_Cmd(USART1, ENABLE);//串口使能}int fputc(int ch,FILE *f)//将printf函数指向USART1 发送数据时便可直接调用printf{USART1->SR;USART_SendData(USART1,(unsigned char) ch);//ch送给USART1while(USART_GetFlagStatus(USART1, USART_FLAG_TC)==RESET); //等待发送完毕return ch; //返回ch} /********SPI设置 *********PA5--SCL,PA6--MISOPA7--MOSIPA2--CS *********PA5 PA6 PA7 设置为复用推挽输出PA2为 推挽输出 */ SPI_Configuration(){GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;SPI_InitTypeDef SPI_InitStructure;RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA|RCC_APB2Periph_SPI1, ENABLE);GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_5;GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;GPIO_InitStructure.GPIO_Mode =GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure);GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_6;GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7;GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure);GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_2;GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode =GPIO_Mode_Out_PP;GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure);GPIO_SetBits(GPIOA, GPIO_Pin_2);SPI_InitStructure.SPI_Direction = SPI_Direction_2Lines_FullDuplex;//SPI模式为双线双向全双工SPI_InitStructure.SPI_Mode = SPI_Mode_Master;//设置为主SPISPI_InitStructure.SPI_DataSize = SPI_DataSize_8b; //SPI发送接收都为8位SPI_InitStructure.SPI_CPOL = SPI_CPOL_High;//设置SPI空闲时 SCL为高SPI_InitStructure.SPI_CPHA = SPI_CPHA_2Edge;//数据捕获于第二个时钟沿SPI_InitStructure.SPI_NSS = SPI_NSS_Soft;//片选信号设置为软件模式SPI_InitStructure.SPI_BaudRatePrescaler = SPI_BaudRatePrescaler_4;//SCL的分频值SPI_InitStructure.SPI_FirstBit = SPI_FirstBit_MSB; //设置为高位数据先传送SPI_InitStructure.SPI_CRCPolynomial = 7;//CRC校验Flash不支持SPI_Init(SPI1, &SPI_InitStructure);SPI_Cmd(SPI1, ENABLE); //使能SPI}/*******发送一个字节*/ SPI_FLASH_sendbyte(char byte)//发送一个字节 {while(SPI_I2S_GetFlagStatus(SPI1,SPI_I2S_FLAG_TXE)==RESET);//等待发送数据寄存器清空 寄存器为空时才退出等待 SPI_I2S_SendData(SPI1,byte); while(SPI_I2S_GetFlagStatus(SPI1,SPI_I2S_FLAG_RXNE)==RESET);//等待接收数据寄存器非空 等待接收寄存器都移位完成return SPI_I2S_ReceiveData(SPI1); } /******读取Flash的器件ID*****在发送完前几个地址和字节后，在发送任意一个字节FLASH后便会返回其器件地址 */SPI_FLASH_readdeviceID(){ char temp; GPIO_ResetBits(GPIOA, GPIO_Pin_2); SPI_FLASH_sendbyte(W25X_DeviceID); SPI_FLASH_sendbyte(Dummy_Byte); SPI_FLASH_sendbyte(Dummy_Byte); SPI_FLASH_sendbyte(Dummy_Byte); temp=SPI_FLASH_sendbyte(Dummy_Byte); GPIO_SetBits(GPIOA, GPIO_Pin_2);return temp;}/******读取Flash的制造 容量等ID*****在发送完前几个地址和字节后，在发送任意一个字节FLASH后便会返回其器件地址 */SPI_FLASH_madeID(){ u32 temp3=0 ; GPIO_ResetBits(GPIOA, GPIO_Pin_2); SPI_FLASH_sendbyte(W25X_madeID); temp0=SPI_FLASH_sendbyte(Dummy_Byte); temp1=SPI_FLASH_sendbyte(Dummy_Byte); temp2=SPI_FLASH_sendbyte(Dummy_Byte); GPIO_SetBits(GPIOA, GPIO_Pin_2); temp3=(temp0 16); SPI_FLASH_sendbyte((SectorAddr&0Xff00)>>8); SPI_FLASH_sendbyte(SectorAddr&0Xff); GPIO_SetBits(GPIOA, GPIO_Pin_2); SPI_FLASH_WaitForWriteEnd();}/*******一页的写操作*/SPI_FLASH_PageWriteData(u32 SectorAddr,char *p,int x){ int i;SPI_FLASH_WriteEnable();GPIO_ResetBits(GPIOA, GPIO_Pin_2);SPI_FLASH_sendbyte(W25X_PageProgram);SPI_FLASH_sendbyte((SectorAddr&0Xff0000)>>16);SPI_FLASH_sendbyte((SectorAddr&0Xff00)>>8);SPI_FLASH_sendbyte(SectorAddr&0Xff);for(i=0;i>16);SPI_FLASH_sendbyte((SectorAddr&0Xff00)>>8);SPI_FLASH_sendbyte(SectorAddr&0Xff);for(i=0;i

三菱Q系列PLC手册

本程序所用的单片机型号为：STM32F103VE，晶振：8MHz文件存储器：容量为16MB的W25Q128开发工具：Keil MDK 5程序实现了用C语言里面的fopen，fread，fwrite，fclose等标准库函数打开W25Q128中的文件。当然还是用到了FatFS库，通过重写Keil的_sys_open、_sys_close、_sys_write...

基于STM32F407利用HAL库使用SPI对W25Q128进行读写实验。

上位机9种平台、6种语言读写控制W25Q32系列芯片源码下载

74LS256英文手册，感兴趣的小伙伴们可以瞧一瞧。

NuMaker-M256SD用户手册

The new S12XS family of 16-bit micro controllers is a compatible reduced version of the S12XE family.These families provide an easy approach to develop common platforms from low-end to high-end applications minimizing the redesign of software and hardware.

2-25A.pdf  电子管资料数据手册

25A6.pdf 电子管资料数据手册

These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology.

闪存芯片GD25Q64E数据手册下载

台信光电式标签传感器PT-AD-E25数据手册

AT25SF081是一种串行接口闪存设备，设计用于各种基于用户的大容量应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中以供执行。AT25SF081灵活的擦除架构也非常适合数据存储，从而消除了对额外数据存储设备的需求。AT25SF081的擦除块大小已经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需要。通过优化擦除块的大小，可以更有效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在它们自己的擦除区域中，因此大块擦除闪存设备产生的浪费

LE25S40AFDTWG英文数据手册

MX25L51245G是512Mb位串行闪存，内部配置为67108864 x 8。当它处于两个或四个I/O模式时，结构变为268435456位x 2或134217728位x 4。MX25L51245G具有串行外围接口和软件协议，允许在单I/O模式下在简单的3线总线上操作。这三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS输入启用对设备的串行访问。当它处于双I/O读取模式时，对于地址/伪位输入和数据输出，SI引脚和SO引脚变为SiO引脚和SiO引脚。当它处于四I/O读取模式时，对于地址/伪位

有源直插晶振PXO25MH4脚±10PPM~30PPM-40~+85℃；-20到+70℃DIP14/DIP08

W25Q128BV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们非常适合于将代码隐藏到RAM中，直接从双/四SPI（XIP）执行代码并存储语音、文本和数据。该装置采用2.7V至3.6V的单电源供电，电流消耗低至4mA，断电时为1μa。

M25PE20-VMN6TP 不收积分，需要的看下

GD25Q16C（16M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/01（SO）、I/O2（WP）和I/O3（HOLD）。双1/O数据以240mbits/s，四路I/O和四路输出数据以480mbits/s的速度传输。

台信光电式标签传感器PT-A-K25数据手册

W25Q32JV（32M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们非常适合于将代码隐藏到RAM中，直接从双/四SPI（XIP）执行代码并存储语音、文本和数据。该装置采用2.7V至3.6V电源供电，断电时电流消耗低至1µA。

W25Q32Fv（32M位）串行闪存为空间、管脚和电源有限的系统提供存储解决方案。25Q系列提供了灵活性和性能远远超出普通串行闪存设备。它们非常适合对ram进行代码跟踪，直接从dual/quad spi（xip）执行代码，并存储语音、文本和数据。该设备在一个2.7V至3.6V的电源上工作，电流消耗低至4MA激活，1微A断电。所有设备都以节省空间的软件包提供。w25q32fv阵列被组织成16384个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以按16个组（4KB扇区擦除）、

有源晶振SMD503213.000000MHz-10ppm+10ppm-40~+85℃2.5VLVCMOS封装：SMD5032

25JQ6.pdf 电子管资料数据手册