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W25Q128BV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们非常适合于将代码隐藏到RAM中，直接从双/四SPI（XIP）执行代码并存储语音、文本和数据。该装置采用2.7V至3.6V的单电源供电，电流消耗低至4mA，断电时为1μa。
W25Q128BV阵列被组织成65536个可编程页，每个页256字节。一次最多可编程256字节。页可以按16组（4KB扇区擦除）、128组（32KB块擦除）、256组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）擦除。W25Q128BV分别有4096个可擦除扇区和256个可擦除块。小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。（见图2。）
W25Q128BV支持标准串行外围接口（SPI）和高性能双/四路输出以及双/四路I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。支持高达104MHz的SPI时钟频率，允许等效时钟使用快速读取四SPI指令时，双输出速率为208MHz（104MHz x 2），四SPI速率为280MHz（70MHz x 4）。这些传输速率可以超过标准的异步8位和16位并行闪存。连续读取模式允许高效的内存访问，仅需8个时钟的指令开销即可读取24位地址，允许真正的XIP（就地执行）操作。
一个保持引脚，写保护引脚和可编程写保护，顶部，底部或补充阵列控制，提供进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和具有64位唯一序列号的设备标识。
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