专题电阻元件的伏安特性

希望对大家有用做错了也别喷我 菜鸟一个{:soso_e156:}

电阻器的伏安特性:线性电阻器是理想元件，在任何时刻它两端的电压与其电流的关系服从欧姆定律。如果把电阻元件的电压取作纵坐标，电流取横坐标，画出电压～电流的关系曲

电学元件的伏安特性测量:电路中有各种电学元件，如线性电阻，半导体二极管和三极管，以及光敏，热敏和压敏元件等。

伏安特性的测量 

满足欧姆定律U=RI的电阻,若加在其两端的电压U与通过电阻的电流I成线性关系,这种电阻叫线性电阻.

伏安法测电阻及电表的选择实验目的： 1.  学会用伏安法测电阻。２.了解和掌握减小误差的途径和方法 。３.根据测量不确定度的要求合理选择电压表和电流表的参数。

因为项目需用到MOC3201控制双向可控硅驱动12V交流负载，但是双向可控硅的外围电路电阻级电容作用很是不解，就从普通的晶闸管（可控硅）开始从原理分析。以下是翻阅了几本电力电子技术书籍总结的相关知识。 普通晶闸管的工作原理 晶闸管全称晶体闸流管，也称为可控硅。其内部结构及等效电路如图所示晶闸管的内部结构可以等效为两个互补连接的三极管。当g极有足够的门极电压，且晶闸管的阳极也有正向电压，那么T1三

本标准规定了在自然或模拟太阳光下，晶体硅光伏器件的电流一电压特性的测量方法。这些方法适用于单体太阳电池，太阳电池组合或平板式组件。 2.一般测量要求 2.1测量辐照度应使用经过标定的标准太阳电池。标准太阳电池按将要出版的有关IEC标准规定。 2.2标准太阳电池应具有与被测样品基本相同的相对光谱响应，并按将要出版的有关IEC标准来进行选择和标定。 2.3标准太阳电池与被测样品的温度测量，准确度应为1℃。如果标准太阳电池的实测温度与

伏安法测电阻实验

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稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。 稳压管的主要参数如下： (1)稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压，它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说，稳压值有一定的离散性。 (2)稳定电流Iz 稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围，即Izmin——Izmax (3)动态电阻rz 它是稳压管两端电压变化与电流变化的比值，如上图所示，即这个数值随工作电流的不同而改变。通常工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。 下图示出了稳压管工作时的动态等效电路，图中二极管为理想二极管。 (4)电压温度系数 它是用来说明稳定电压值受温度变化影响的系数。不同型号的稳压管有不同的稳定电压的温度系数，且有正负之分。稳压值低于4v的稳压管，稳定电压的温度系数为负值；稳压值高于6v的稳压管，其稳定电压的温度系数为正值；介于4V和6V之间的，可能为正，也可能为负。在要求高的场合，可以用两个温度系数相反的管子串联进行补偿(如2DW7)。 (5)额定功耗Pz 前已指出，工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好，但是最大工作电流受到额定功耗Pz的限制，超过P2将会使稳压管损坏。 选择稳压管时应注意：流过稳压管的电流Iz不能过大，应使Iz≤Izmax，否则会超过稳压管的允许功耗，Iz也不能太小，应使Iz≥Izmin，否则不能稳定输出电压，这样使输入电压和负载电流的变化范围都受到一定限制。

第一章PN结伏安特性曲线当加在二极管两端的电压达到0.7V左右时，二极管正向导通；当反向电压超过U（BR）一定值后就会出现齐纳击穿，当反向电压继续增大就会出现雪崩击穿。温度...

一．实验目的1. 学会识别常用电路元件的方法。2. 掌握线性电阻、非线性电阻元件伏安特性的逐点测试法。3. 掌握实验台上直流电工仪表和设备的使用方法。二．原理说明任何一个二端元件的特性可用该元件上的端电压U与通过该元...

为保护电子信息系统免受雷电过电压的侵害，建筑物内常安装多级浪涌保护器（ SPD）实现配合保护。限压型SPD的两级配合保护是其中一种常见形式，其主要限压元件是金属氧化物压敏电阻（MOV）。自然雷闪中可能出现的后续回击电流不仅有极陡的上升沿，还会影响限压元件的伏安特性，影响两级SPD间的能量配合。对MOV在后续回击下的伏安特性进行了试验研究，基于MOV在后续回击电流下的残压变化特点，理论分析了后续回击下的两级SPD配合特性。进一步仿

稳压二极管伏安特性及曲线稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。　　稳压管的主要参数如下：　　(1)稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压，它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说，稳压值有一定的离散性。　　(2)稳定电流Iz 稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围，即Izmin——Izmax深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。公司专业生产普通整流二极管（STD系列）开关二极管（DO-34、DO-35封装）、快速恢复二极管（FR）高效率二极管（HER、UF）超快速二极管（SF）肖特基二极管（SKY）双向触发管二极管（DB3）整流桥二极管（BRIDGE）高反压二极管（H.V.）以及瞬间突波电压吸收二极管（TVS）稳压二极管（ZENER）等各种系列多种封装形式的二极管,并大量生产SMA|SMB|SMC|SOD-123FL|SOD-123|SOD-323系列片状二极管和MBS|TBS|MBF|LBS|ABS整流桥,并以高位品质和较低成本,形成了竞争优势.　　(3)动态电阻rz 它是稳压管两端电压变化与电流变化的比值，如上图所示，即这个数值随工作电流的不同而改变。通常工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。　　下图示出了稳压管工作时的动态等效电路，图中二极管为理想二极管。　　(4)电压温度系数 它是用来说明稳定电压值受温度变化影响的系数。不同型号的稳压管有不同的稳定电压的温度系数，且有正负之分。稳压值低于4v的稳压管，稳定电压的温度系数为负值；稳压值高于6v的稳压管，其稳定电压的温度系数为正值；介于4V和6V之间的，可能为正，也可能为负。在要求高的场合，可以用两个温度系数相反的管子串联进行补偿(如2DW7)。　　(5)额定功耗Pz 前已指出，工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好，但是最大工作电流受到额定功耗Pz的限制，超过P2将会使稳压管损坏。　　选择稳压管时应注意：流过稳压管的电流Iz不能过大，应使Iz≤Izmax，否则会超过稳压管的允许功耗，Iz也不能太小，应使Iz≥Izmin，否则不能稳定输出电压，这样使输入电压和负载电流的变化范围都受到一定限制。

本文资料下载内容包括了：二极管的结构与伏安特性二极管伏安特性的数学表达式温度对二极管伏安特性的影响

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本文综述了俄罗斯传感技术专家卓托夫教授的发明 —“Z - 元件”。介绍了温敏 Z -元件、磁敏 Z - 元件、光敏 Z - 元件的性能、用途和特点。可用于航空航天、机器人、机床等领域。

晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的P-N结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于P-N结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏...

在开关电源的设计中，为了得到更高的效率，需要电容和电感的有效共同使用，因此，需要对电容与电感有一定的了解，才能更好地进行开关电源的设计。本系列文章以电容、电感元件的特性开始，逐渐导入开关电源的设计，以期将脉络和部分细节较为清晰地展示出来，与各位共同学习，一起进步。本文为电容元件特性的阐述。电容的概念电容在电子设备中是非常常用的电子元件，用途广泛，如隔直、去耦、耦合、滤波、调谐、整流、储能等。简单来看，电容就是把两块金属极板用介质隔开所构成的元件。电容的工作原理：电荷在电场中会受力移动，而极板之间.

一、工作原理半导体材料的电阻率受温度影响时变化很大，热敏电阻即利用这种性质制成的温度敏感器件。在半导体中，栽流子（电子）的数目仅为原子数目的几千到几万分之一，相邻自由电子间的距离是原子距离的几十到几百倍，和气体分子相似，半导体中自由电子的运动是因热运动而产生的，因此其电阻率受温度影响明显。热敏电阻按其温度特性可分为负温度系数热敏电阻（简称NTC）和正温度系数热敏电阻（PTC）。根据使用条件，可分为直热式、旁热式和延迟式三种。直热式热敏电阻是利用自身通过电流取得热量而改变阻值的。旁热式热敏电阻则尽量减低自加热所引起的电阻变化，而用外加热器来改变阻值。延迟式热敏电阻利用自加热来改变阻值，进而使得电流随着时间而变化。按照工作温度范围的不同，又可分为常温热敏电阻（-55~315℃）、低温热敏电阻（低于-55℃）和高温热敏电阻（高于315℃）。二、主要特性1、温度特性下图所示为热敏电阻的电路符号和几种热敏电阻的电阻-温度特性曲线。其中曲线①和曲线②是负温度系数热敏电阻的特性曲线，其阻值随温度的升高而减小。曲线①的阻值和温度之间近似呈指数关系。曲线②的特点是存在一个临界温度，超过临界温度后，阻值急剧下降。曲线③、曲线④均为正温度系数热敏电阻的特性曲线，其阻值在一定温度范围内随温度升高而上升。为便于比较，图中还画出了铂丝的电阻-温度特性曲线。热敏电阻的符号与温度特性2、伏安持性即在稳态情况下，通过热敏电阻的电流I与其两端电压U的关系。下图所示为热敏电阻的伏安特性曲线形状。其中图a是负温度系数热敏电阻的伏安特性。可见在电流很小时，热敏电阻遵循欧姆定律。当电流增大到一定值时，电压达到最大值Um。如电流继续增大，由于热敏电阻本身温度升高，开始出现负阻特性，虽电流增大，但电阻值却减小，端电压下降。热敏电阻的伏安特性：a、负温度系数；b、正温度系数图b为正温度系数热敏电阻的伏安特性。与负温度系数热敏电阻类似,曲线的起始段oa为直线，其斜率与热敏电阻在此环境温度下的阻值相等a这是由于热敏电阻电流很小时，耗散功率引起的温升可以忽略不计的缘故。当热敏电阻的耗散功率继续增加时，阻体温度超过环境温度，引起阻值增大，曲线开始弯曲。当电压增至时，电流达到最大值如电压继续增加，由温升引起的阻值的增加将超过电压增加的速度，电流反而减小，曲线斜率开始变负。因此，实际使用时，应尽量减小流经热敏电阻的电流，以减少其自身发热的影响。同时，不能把负温度系数的热敏电阻并联使用，因为微小的不平衡将导致平衡状态的迅速恶化，从而使器件过载损坏， 购线网：gooxian.com

一、工作原理半导体材料的电阻率受温度影响时变化很大，热敏电阻即利用这种性质制成的温度敏感器件。在半导体中，栽流子（电子）的数目仅为原子数目的几千到几万分之一，相邻自由电子间的距离是原子距离的几十到几百倍，和气体分子相似，半导体中自由电子的运动是因热运动而产生的，因此其电阻率受温度影响明显。热敏电阻按其温度特性可分为负温度系数热敏电阻（简称NTC）和正温度系数热敏电阻（PTC）。根据使用条件，可分为直热式、旁热式和延迟式三种。直热式热敏电阻是利用自身通过电流取得热量而改变阻值的。旁热式热敏电阻则尽量减低自加热所引起的电阻变化，而用外加热器来改变阻值。延迟式热敏电阻利用自加热来改变阻值，进而使得电流随着时间而变化。按照工作温度范围的不同，又可分为常温热敏电阻（-55~315℃）、低温热敏电阻（低于-55℃）和高温热敏电阻（高于315℃）。二、主要特性1、温度特性下图所示为热敏电阻的电路符号和几种热敏电阻的电阻-温度特性曲线。其中曲线①和曲线②是负温度系数热敏电阻的特性曲线，其阻值随温度的升高而减小。曲线①的阻值和温度之间近似呈指数关系。曲线②的特点是存在一个临界温度，超过临界温度后，阻值急剧下降。曲线③、曲线④均为正温度系数热敏电阻的特性曲线，其阻值在一定温度范围内随温度升高而上升。为便于比较，图中还画出了铂丝的电阻-温度特性曲线。热敏电阻的符号与温度特性2、伏安持性即在稳态情况下，通过热敏电阻的电流I与其两端电压U的关系。下图所示为热敏电阻的伏安特性曲线形状。其中图a是负温度系数热敏电阻的伏安特性。可见在电流很小时，热敏电阻遵循欧姆定律。当电流增大到一定值时，电压达到最大值Um。如电流继续增大，由于热敏电阻本身温度升高，开始出现负阻特性，虽电流增大，但电阻值却减小，端电压下降。热敏电阻的伏安特性：a、负温度系数；b、正温度系数图b为正温度系数热敏电阻的伏安特性。与负温度系数热敏电阻类似,曲线的起始段oa为直线，其斜率与热敏电阻在此环境温度下的阻值相等a这是由于热敏电阻电流很小时，耗散功率引起的温升可以忽略不计的缘故。当热敏电阻的耗散功率继续增加时，阻体温度超过环境温度，引起阻值增大，曲线开始弯曲。当电压增至时，电流达到最大值如电压继续增加，由温升引起的阻值的增加将超过电压增加的速度，电流反而减小，曲线斜率开始变负。因此，实际使用时，应尽量减小流经热敏电阻的电流，以减少其自身发热的影响。同时，不能把负温度系数的热敏电阻并联使用，因为微小的不平衡将导致平衡状态的迅速恶化，从而使器件过载损坏， 购线网gooxian.com 专业定制各类测试线（同轴线、香蕉头测试线，低噪线等

一、工作原理压敏电阻是对电压变化敏感的非线性电阻。压敏电阻种类很多，按制造材料分，有硅、锗、碳化硅、钛酸钡、氧化锌等材料构成的压敏电阻。氧化锌压敏电阻虽以ZnO半导体材料为主要成分，采用陶瓷生产工艺制成的，结构如图下图所示。以ZnO为主要成分的几微米至几十微米的微粒被以BizO3为主要成分的添加物构成的晶界层所包围，正是这种晶界层賦予了压敏电阻非线性特性。因为对于1~10Ω*cm的ZnO微粒，晶界层的电阻率达1010Ω*cm以上，所以外加电压几乎都集中加在晶界层上。由于这种晶界层具有显著的非欧姆特性，因而可引起同齐纳二极管类似的急剧的电流倍增现象。ZnO压敏电阻的结构这种压敏电阻随添加物种类的不同可制成低压用品种和高压用品种。其压敏电压可达几万伏。非线性系数很高，可达110左右。且对极高的浪涌电压的允许电流很大。不仅可用于开关过电压的吸收，而且可用于雷电浪涌的吸收。尤其是它具有电压非线性好、压敏电压的温度系数小，使用电压范围宽等特点。因此被广泛用于各种装置的电路稳限、电流和电压的限制以及各种半导体器件的过压保护等。是各种压敏电阻中应用最广、产量最大的一种。碳化硅压敏电阻是把直径100微米左右的SiC颗粒，混以适当的陶瓷质结合剂，加压成形后烧结而成。碳化硅压敏电阻由SiC颗粒形成大量纵横连接的结构。其电压非线性特性是对称的。非线性系数约为3~7。这种压敏电阻的电压非线性，可认为是SiC颗粒本身的表面氧化膜产生的接触电阻所引起的。元件的厚度不同可改变压敏电压的高低。由于其热稳定性好和耐压高（可达几万伏）的优点，在继电器接点的消弧、电子电路的稳压和异常电压的吸收等方面得以广泛应用。其缺点是非线性系数值低。钛酸钡压敏电阻的压敏电压都在几伏以下。其非线性系数比碳化硅压敏电阻的大得多（可达20左右）。还有并联电容大、寿命长、便于大量生产和价格便宜等特点。二、伏安特性压敏电阻的伏安特性及电路符号如下图所示。可以看出，在某一临界电压以下压敏电阻的阻值非常高，几乎没有电流。但当超过这-临界电压（称为压敏电压）时，其阻值将急剧下降，并有较大电流通过。压敏电阻的伏安特性及电路符号通常，压敏电阻的伏安特性可用下式近似表示I=（U/C）α=kUα其中I是通过压敏电阻的电流，U是电阻两端的电压，C、α、k均为常数。α称为非线性系数，其值大于1。α越大，压敏电阻的特性越好。将上式取对数得lgI=lgk+αlgU以lgI和lgU为纵、横坐标绘出伏安曲线，即可求得斜率压敏电阻消耗的功率为α。压敏电阻消耗的功率为P=IU=kUα+1可见，压敏电阻的功耗对电压U有很强的依赖关系，而受电流I的影响则不显著。压敏电阻的伏安特性有对祢型和非对称型两种，如图所示，（a)为非对称型，（b)为对称型。前者只能在直流场合使用，后者可用于交、直流两种场合。当然，也可将两只非对称型压敏电阻反向并联而用于交流. 购线网：gooxian.com

半导体气敏元件的应用特性灵敏度特性    气敏元件的灵敏度特性,是表征气敏器件对检测气体敏感程度的指标.半导体气敏元件对多种可燃性气体和液体

以甲基丙烯酸丁脂(Bu) 和甲基丙烯酰羟乙基三甲基氯化铵(Q b) 聚合而成的高分子材料为敏感膜制成了石英谐振式湿敏元件。研究了不同材料配比、制备方法对器件的湿敏性能的影响

如何才能延长LED的寿命 所以我们买LED灯具（所有的不特指LED射灯）的时候，一定要看它的散热设计好不好。 由图中可以得出结论，要延长其寿命的关键是要降低其结温。而降低结温的关键就是要有好的散热器，能够及时地把LED产生的热散发出去。 在这里我们不准备讨论如何设计散热器的问题，而是要讨论哪一个散热器的散热效果相对比较好的问题。实际上，这是一个结温的测量问题，假如我们能够测量任何一种散热器所能达到的结温，那么不但可以比

介绍一种用单片机控制的自动伏安特性测试仪，以MAxIM公司的高频波形发生器MA刀〕38为核心构成，对其振荡频率控制、信号输出幅度控制的实现作了较详细的论述，给出了相应部分

本文介绍了半导体二极管的结构、伏安特性和参数等相关知识的介绍。

晶闸管（单向） 1. 总述： 晶闸管的全称为晶体闸流管，也称可控硅元件，是一种由三个PN结构成的一种大功率半导体器件，多用于可控整流，逆变，调压等电路，也作为无触点开关。 等效模型： 如图 工作原理：当可控硅的阳极A和阴极C间加入正向电压，控制极G不加电压时J2管处于反向偏置，管子不导通（阻断状态）。当可控硅的阳极A和阴极C间加入正向电压且控制极与阴极间也加正向电压时，J3处于导通状态。此时，若

学习8051单片机P1口作为双向I/O口的使用方法，采用循环指令编写延时子程序。了解用弱电控制强电的基本原理，采用单片机P1口实现 继电器 开关控制。 ① 采用8051单片机的P1口做输出口

一般地，具有PNPN四层三结结构的器件是晶闸管。严格来说，根据国际电工委员会（IEC）的标准定义，具有3个或者3个 以上PN结，其伏安特性至少在一个象限内具有导通和阻断两个稳定状态，并可以在两个状态之间进行切换的电力半导 体器件为晶闸管。又称为（可控硅）。晶闸管可以分为很多类型，比如内部存在反并联二极管的逆导型晶闸管（RCThyristor），电流可双向控制导通的双向晶闸管（TRI-AC），门极关断晶闸管（GTO）和门极换流晶闸管（GCT）等。在

　P2N结的伏安特性分析及等效电路理想P2N 结模型满足小注入、突变耗尽层及玻耳兹曼边界条件,且不考虑耗尽层中载流子的产生和复合作用[2 ]1 其电流电压关系可由肖克莱方程给

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通过分析实际P2N 结与理想模型之间的差别,建立了P2N 结二极管及太阳能电池的数学模型;利用Matlab 中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形1 对太阳

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碳膜湿敏电阻器的结构及特性

电阻和电容的基本电学特性:电阻对电流形成阻力，电阻消耗功率，理想化的电阻元件，电阻器的分类与型号表示法等内容。

光敏电阻

传统上，EMC一直被视为「黑色魔术（black magic）」。其实，EMC是可以藉由数学公式来理解的。不过，纵使有数学分析方法可以利用，但那些数学方程式对实际的EMC电路设计而言，仍然太过复杂了。幸运的是，在大多数的实务工作中，工程师并不需要完全理解那些复杂的数学公式和存在于EMC规范中的学理依据，只要藉由简单的数学模型，就能够明白要如何达到EMC的要求。

本帖最后由 lee_st 于 2017-10-31 09:21 编辑 EMC设计之——被动元件的隐藏特性！

EMC设计之——被动元件的隐藏特性！

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 编辑 用来跟白光LED并联的，二者伏安特性越接近越好

本帖最后由 ZXCLH 于 2012-5-31 23:21 编辑 1、DC SWEEP ANALYSIS这个是从别人那下载的，可以显示二极管的伏安特性,2、但我自己画的SY ERROR就是一条直线。而且还报错。这是什么原因？

This application note introduces an efficient and highly reliable measurement system for evaluating temperature characteristics of components and materials using a combination of the E4991A-007.

压敏电阻电特性测试研究：本文通过测试普通电阻与压敏电阻的伏安特性曲线，并将其进行对比，从而显示出 压敏电阻的电阻值随电压呈非线性变化的特性。在此基础上，对该特性的物理机理进行了讨论，并简单介绍了压敏电阻的应用与发展前景。关键词：压敏电阻，过电压保护，非线性，ZnO，晶粒边界缺陷模型一． 引言压敏电阻相应的英文名称叫“Voltage Depen—dentResistor'’，简称为“VDR”。在IEC关于压敏电阻器的标准中，对压敏电阻器所下的定义是：压敏电阻器是在一定温度下，其电导值随施加电压的增加而急剧增大的元件。压敏电阻器的电阻材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在，大量使用的氧化锌压敏电阻器，它的主体材料由二价元素锌和六价元素氧所构成。所以从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种．“Ⅱ一Ⅵ族氧化物半导体”。从氧化锌压敏电阻器伏安特性来看，在正常工作电压下，它的电阻值很高，几乎是兆欧级、漏电流是微安级；而随着电压加大，阻值急剧下降。在浪涌电压冲击时，阻值几十欧姆，甚至1—2欧姆，可见阻值随电压的变化而变化。二．实验的物理基础材料的导电性往往受多种因素的影响，本实验涉及到材料中载流子在电场力的作用下是否遵循欧姆定理。大多数材料的导电特性在通常条件下遵循欧姆定理，即经由该材料做成的电阻的电流与加在两端的电压成正比，这种情况下我们说材料具有线性电阻特性。而有些陶瓷材料，当加在由这样的材料制成的电阻上的电压到一定程度后，流经电阻的电流随加在电阻两端的电压不再成正比，而呈现出急剧上升的非线性关系，也就是说不服从欧姆定理，这样的材料就是电压敏感材料，通常称为压敏电阻材料。1．压敏电阻的结构 压敏电阻的电路符号、外形和内部结构如图1所示。它是以陶瓷工艺加工而成，图1(a)为电路符号；图1(b)为外形，图1(c)是以氧化锌(zn0)为核心材料的内部结构图，其中包括氧化锌晶粒和晶粒周围的品界面。

电阻应变片的温度特性-实验[实验目的]1．了解温度变化对应变测试系统的影响。2．熟悉应变电桥温度补偿的方法。[实验原理]1．应变片的温度特性。当环境温度变化时（偏离应变片的标定温度），粘贴在试件（试件未受外力的作用，且可以自由伸缩）上的应变片电阻值也将随着发生变化。如果此时应变片接入应变仪，将会有应变输出。这种由于温度变化引起应变输出称为热输出。（这种热输出会给测量带来附加误差，也称应变片的温度误差）。产生热输出的主要原因，是标称电阻值发生变化及敏感元件附加变形产生附加电阻。（应变片电阻丝的温度系数及电阻丝与测试中的膨胀系数不同）。半导体应变片由于其电阻和灵敏系数的热稳定性差、温度系数较大，（半导体材料灵敏系数是金属材料灵敏系数的50~80倍，受温度影响大），因而受温度影响引起的热输出会更大。2．应变片电桥温度补偿方法。环境温度变化所引起的热输出较大，给测量会带来较大的误差，必须采取温度补偿措施以尽量减小或消除它的影响。这里采用补偿片法进行应变桥温度补偿。如图2-1 所示。在电桥中，R1 为工作片，R2 为补偿片，R1=R2。当温度变化 图2-1时两应变片的电阻变化ΔR1 与2 ΔR 符号相同，数量相等，桥路如原来是平衡的，则温度变化后1 4 2 3 R R = R R ，电桥仍满足平衡条件，无漂移电压输出，由于补偿片所贴位置与工作片成90°，所以只感受温度变化，而不感受悬臂梁的应变。[实验单元]直流稳压源± 4V ， ± 2V 、金属箔电阻应变片、半导体应变片、电桥、差动放大器、电压表、测微头、加热器、与应变片处于同一感温面的热电偶或P-N 结集成温度传感器等。[实验内容]1．金属箔电阻应变片的温度效应。按图2-2 接线，开启电源，调整悬臂梁水平位置，调整差动放大器输出为零，调整系统输出为零。用相应的温度传感器测得加热前测试系统感受的温度。（注意保护薄膜内外的温差有时可达10℃）开启“加热”电源，观察测试系统输 图2-2出电压随温度升高而发生的变化。待电压读数基本稳定后记下电压值。求出温度漂移值ΔV / ΔT 。2．应变片电桥的温度补偿。按图2-3 接好线路，图中R′ 和R′′ 分别为箔式工作片和补偿片。重复上实验步骤，求出接入补偿 图2-3片后系统的温度漂移，并与上实验的结构进行比较。3．半导体电阻应变片的温度效应。按图2-4 接线， R′ 是半导体应变片，另一臂电阻是电桥上固定电阻。开启电源后预热数分钟至系统基本稳定。 图2-4按单臂电桥实验步骤调整悬臂梁水平位置，差动放大器输出调零，调系统输出为零。用温度传感器测得加温前的工作温度T。打开“加热”开关，观察随温度升高系统输出电压温漂情况。待电压稳定后测得温升，求出系统的温漂ΔV / ΔT 。[注意事项]1．金属箔电阻变桥激励电压± 4V ，半导体电阻应变桥激励电压为± 2V 。2．仪器中使用的BHF 型金属箔电阻应变片具有防自蠕变性能，因此温度系数还是比较小的，而半导体片由于温度系数大，所以非常不容易稳定。3．应正确选择补偿片。应变片从左至右的8 对接线端中分别是：1-上梁半导体应变工作片，2-下梁半导体应变工作片，3、5-上梁金属箔应变工作片，4、6-下梁金属箔应变工作片，7、8-上梁金属箔温度补偿片。应变桥路中工作片与补偿片应在同一应变梁上。[思考题]在应变悬臂梁上，温度补偿片为何横向粘贴？

1.工频电压和谐振过电压的波形是周期性的,持续时间较长,其波形为正弦波,频率为工频或工频的倍数。 √2.绝缘电阻表的最大输出电流值也称为绝缘电阻表的输出短路电流值。 √3.绝缘电阻表的负载特性即绝缘电阻R和绝缘电阻表端电压U的关系曲线。 √4.M型介质试验器的最高测试电压为交流2500V。 √5.QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。 √6.工频耐压试验时,采用测量球隙的( )可以直接测量高压交、直流耐压时的试验电压峰值和冲击试验时的冲击电压峰值.

异步交流电动机改变电压，转子电阻及频率的机械特性曲线（Matlab实现方法实现采用的是参数公式进行计算的，代码如下;s=0:0.01:1;T0= ((32(3802)*0.072)./s)./(2*pi*50*(((0.072+(0.072./s)).2+(0.2+0.2).^2)));figure(1)title(‘固有机械特性曲线’)xlabel(‘Te/电磁转矩’)ylabel...

　　贴片电阻是将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上制成的电阻器。今天松季电子为大家详解贴片电阻的分类和主要特性。　　一、贴片电阻的分类：　　按工艺及功能分：贴片厚膜排阻，贴片打线电阻，贴片高压电阻，贴片功率电阻等。　　1、高精度高稳定性贴片电阻：超精密性±0.01%~±1%;TaN和NiCr真空溅镀;温度系数只有±5PPM/°C~±50PPM/°C,常应用于医疗设备，精密量测仪器，电子通讯，转换器，印表机，一般消费性产品　　2、常规系列薄膜贴片电阻：GeneralpurposethinfilmGeneralpurposethinfilm,0201-2512　　3、低阻值贴片电阻：LowohmicLowohmic,0402-1206,Lowohmic,2010-2512　　4、贴片电阻阵列：ArraysArrays,convexandconcave　　5、贴片电流传感器：SMDcurrentsensorsCurrentSensors-LowTCR　　6、贴片网络电阻器：NetworkNetwork,T-typeandL-type　　二、贴片电阻的主要特性　　1、体积小，重量轻;　　2、适应波峰焊和回流焊;　　3、电性能稳定，可靠性高;　　4、机械强度高，高频特性优越;　　5、装配成本低，并与自动装贴设备匹配;　　6、生产成本低，配合自动贴片机，适合现代电子产品规模化生产。

二极管的伏安特性及主要性能参数2.5.2.1 二极管的伏安特性1．正向特性：二极管的正向特性对应图2-6 曲线的（1）段，此时二极管加正向电压，阳极电位高于阴极电位。当正向电压较小时（小于开启电压），二极管并不导通。硅材料的二极管开启电压约为0.5V，锗材料的二极管开启电压约为0.1V。当正向电压足够大，超过开启电压后，内电场的作用被大大削弱，电流很快增加，二极管正向导通，此时硅二极管的正向导通压降在0.6~0.8V，典型值取0.7V；锗二极管的正向导通压降在0.1~0.3V，典型值取0.2V。二极管正向导通时的电流和电压近似满足下式：2．反向特性二极管的反向特性对应图2-6 所示曲线的（2）段，此时二极管加反向电压，阳极电位低于阴极电位。应注意到，硅管的反向电流要比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流一般小于0.1μA，锗管约为几个微安。3．击穿特性当二极管反向电压过高超过反向击穿电压时，二极管的反向电流急剧增加，对应图2-6 图中的（3）段。由于这一段电流大、电压高， PN 结消耗的功率很大，容易使PN结过热烧坏，一般二极管的反向电压在几十伏以上。2.5.2.2 主要性能参数1. 额定整流电流IF：二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流值。2. 最高反向工作电压Urm：保证二极管不被击穿而给出的最高反向电压3. 反向饱和漏电流Is ：二极管两端加反向电压时流过二极管的电流[hide]2.5.2.3 二极管的等效模型及其应用1.小信号模型二极管截止，电流为零。(2) 恒压降模型图 2-7c 为二极管的恒压降模型。当二极管的正向导通压降与外加电压相比不能忽略时，二极管正向导通可看成是恒压源（硅管典型值为0.7V，锗管典型值为0.2V），且不随电流变化而变化；截止时反向电流为零，做开路处理。(3) 理想模型导通压降和反向饱和电流，即正偏时二极管导通电压为零，相当于开关闭合；反偏压时二极管截止电流为零，相当于开关断开。图 2-7d 为二极管的理想模型。在二极管的工作电压幅度较大时，认为可以忽略二极管的正向[/hide][此贴子已经被作者于2009-9-16 9:19:29编辑过]

晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的P-N结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于P-N结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏...

为了得到负阻值性质的电路元件，采用正电阻与运算放大器进行搭建的方法。对搭建构成的负电阻和负电阻的串并联连接以及负电阻和正电阻的串并联连接进行了理论推导和Multisim仿真

压敏电阻电特性测试研究：：本文通过测试普通电阻与压敏电阻的伏安特性曲线，并将其进行对比，从而显示出 压敏电阻的电阻值随电压呈非线性变化的特性。在此基础上，对该

热敏电阻电学特性热敏电阻的物理特性用下列参数表示：电阻值、B值、耗散系数、热时间常数、电阻温度系数。

光敏传感器是一种将光量的变化转换为电量变化的传感器,它的物理基础就是光电效应.

本文主要详细的介绍了光敏电阻特性设定。

传感器的定义能够把特定的被测量信息（如物理量、化学量、 生物量等）按一定规律转换成某种可用信号的器件或装置，称为传感器。 所谓可用信号，是指便于传输、便于处理的信号。就目前而言，电信号最为满足便于传输、便于处理的要求。因此，也可以把传感器狭义地定义为：能把外界非电量信息转换成电信号输出的器件或装置。目前只要谈到传感器，。指的几乎都是以电为输出的传感器。除电信号以外，人们在不断探索和利用新的信号媒介。可

电气工程师通过设计电路来完成有用的任务，其中电压和电流由各种不同的组件控制，修改和利用。这些电压和电流代表能量：电路是一个充满能量的系统，其中电压充当势能，电流类似于动能。除非有东西也产生电能，否则我们集成到电路中的组件无法控制和利用电能，这就是电路具有电压源和电流源的原因。我们称这些元素为源是因为它们为电路提供适当功能所需的电能。

针对现有低频测量铁磁元件励磁特性方法未考虑铁心损耗的问题，通过对低频实验下铁心损耗的原理分析，得出了励磁电源频率变化仅影响励磁电流中涡流等效电流大小的结论。由此提出了适用于铁磁元件励磁特性现场测试的低频实验及折算方法，分别考虑铁心损耗和漏抗影响对低频实验数据的电压、电流进行补偿，实验证明补偿后与工频实验结果基本一致。相比规程推荐的频率折算方法，该方法能够大幅降低折算误差，在励磁特性拐点及饱和段的折算

大牛陈为老师的系列讲座，电磁兼容方面的分析，磁性元件的特性分析

热敏电阻系列元件介绍

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薄膜磁敏电阻元件KMZ10

铂薄膜技术温度传感器。根据不同使用范围，传感器分为四组主要类型，用于超低温测量（始于 -196 C），低温测量（到+400 C），中温测量（到 +600 C）及高温测量（到 +1000C）。为100， 200， 500， 1000 和 10000 Ohm的电阻值可供使用。 原材料的化学稳定性，经检测的纯净度和均匀度为获得长期稳定性和在数千次测量循环中的重复测量性提供重要基础。产品的特殊釉几乎使产品不受湿度，气候或其他环境的影响。在布线温度传感器元件这组产品中包括了特别微小

电源中W（瓦）和VA（伏安）的区别瓦电源最终的参数就是最大输出功率，一般开关电源都是以W来标识，表示该电源最大输出能力是多少W，不能超过，如果超过则会损坏开关电源。一般选用电源时都会留出余量，比如说我一台电脑预计消耗功率是300W，那么我们会给他配一台最少350W的电源。伏安在参加工作以后发现工控领域中有些控制电源（实际上是EI型变压器）所标志的最大输出功率单位是以VA来标识的，比如说3...

`如今电子产品越来越小，越来越薄，就拿手机来说，从90年代初的大哥大，到如今的iphone4，这中间进步的不只是设计者，更多的是手机里的电子元件，从最初的电池一样大的插件电容到现在小的看不到的贴片电容，那么，如今的贴片电容具有哪些特性和参数呢?下面应用平尚科技的《产品知识手册》给大家讲解一下：(1) 容量与差错：实践电容量和标称电容量答应的最大差错规模。通常运用的容量差错有：J级±5%，K级±10%，M级±20%。精细电容器的答应差错较小，而电解电容器的差错较大，它们选用不一样的差错等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的标明办法一样。用字母标明：D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%。(2) 额外作业电压：电容器在电路中可以长时间安稳、牢靠作业，所接受的最大直流电压，又称耐压。对于布局、介质、容量一样的器材，耐压越高，体积越大。(3) 温度系数：在必定温度规模内，温度每改变1 ，电容量的相对改变值。温度系数越小越好。(4) 绝缘电阻：用来标明漏电巨细的。通常小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻通常较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。(5) 损耗：在电场的效果下，电容器在单位时间内发热而耗费的能量。这些损耗首要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来标明。(6) 频率特性：电容器的电参数随电场频率而改变的性质。在高频条件下作业的电容器，因为介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而添加。别的，在高频作业时，电容器的散布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，城市影响电容器的功能。所有这些，使得电容器的运用频率受到限制。不一样种类的电容器，最高运用频率不一样。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只要8MHZ。测评贴片电容功能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个惯例电功能，即容量Cap. 损耗DF，绝缘电阻IR和耐电压DBV，通常地，X7R产物的损耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加快寿数功能，在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应本领100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。再次就是产物的耐热冲击功能，将电容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下调查能否有外表裂纹，然后可测验容量损耗并与热冲击前比照分辨芯片能否内部裂纹。 贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容自身质量不良，亦有可能是设计时选择标准欠佳或是在外表贴装机械力热冲击等对贴片电容形成必定的损伤等要素形成。资料摘自：www.pad-china.cn`

　在通信设备的正常使用过程中，交流电网和通信线路上会出现雷击浪涌电压、火花放电等EMI瞬态干扰信号。瞬态干扰的特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大。当瞬态电压叠加在控制系统的输入电压上，使输入通信设备系统的电压超过系统内部器件的极限电压时，便会损坏通信设备的电源；当瞬态电压叠加在通信线路上时，瞬间高压便会损坏信号环路中传输、控制的元器件。另外，由于电力线搭碰、感应，通信电路上有可能出现持续的过电压、过电流，如不加保护也有可能损坏通信电路或器件，甚至造成火灾和生命财产损失。因此，必须采用恰当的保护措施，对通信系统及设备进行防护。 　　 　　通信设备电路常用保护器件有TSS(半导体晶闸管浪涌保护器件)、瞬态电压抑制器(TVS)、MOV(金属氧化物可变电阻)、和GDT(气体放电管)等。

导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法：　　国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 　　第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 　　第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 　　第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 　　第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等 　　例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类　　　　　　　　　　　　　　 　　1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 　　2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 　　3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 　　4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 　　1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 　　2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 　　允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00）、±2%-0.2(或0）、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 　　3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 　　线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 　　非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 　　4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 　　5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 　　6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 　　7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 　　8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。 　　9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。 四、电阻器阻值标示方法 　　1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。 　　2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。 　　表示允许误差的文字符号 　　文字符号 D F G J K M 　　允许偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20% 　　3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。 　　4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。 　　黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20% 　　当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为乘方数，第四位为偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方数， 第五位为偏差。 五、常用电阻器 1、电位器 　　电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成一定关系的输出电压。 1.1 合成碳膜电位器 　　电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单， 是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大， 耐潮性以及阻值稳定性差。 1.2 有机实心电位器 　　有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。 1.3 金属玻璃铀电位器 　　用丝网印刷法按照一定图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的电位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。 1.4 绕线电位器 　　绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。 1.5 金属膜电位器 　　金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。 1.6 导电塑料电位器 　　用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。 1.7 带开关的电位器 　　有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器 1.8 预调式电位器 　　预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。 1.9 直滑式电位器 　　采用直滑方式改变电阻值。 1.10 双连电位器 　　有异轴双连电位器和同轴双连电位器 1.11 无触点电位器 　　无触点电位器消除了机械接触，寿命长、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。 2、实芯碳质电阻器 　　用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。 　　特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。 3、绕线电阻器 　　用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。 　　绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。 4、薄膜电阻器 　　用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下： 4.1 碳膜电阻器 　　将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。 4.2 金属膜电阻器。 　　用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。 　　金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。 4.3 金属氧化膜电阻器 　　在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。 4.4 合成膜电阻 　　将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。 　　由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。 5、金属玻璃铀电阻器 　　将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。 　　耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。 6、贴片电阻SMT 　　片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。

感谢关注，微信公众号，干货满满：一.电阻器1. 电阻器的含义：在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻。2. 电阻器的英文缩写：R（Resistor）及排阻RN3. 电阻器在电路符号：4. 电阻器的常见单位：千欧姆（KΩ），兆欧姆（MΩ）5. 电阻器的单位换算：1兆欧 = 103千欧 = 106欧6. 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。7. 电阻的作用为分流、限流、分压、偏

题库来源：特种作业模考题库小程序1.晶体管特性图示仪的功耗限制电阻相当于晶体管放大电路的( )电阻。 BA.基极B.集电极C.限流D.降压2.集成运放通常有( )部分组成。 BA.3B.4C.5D.63.固定偏置共射极放大电路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，则ICQ为( )。 CA.2μAB.3μAC.2mAD.3mA4.三相异步电动机的转子由转子铁心、转子绕组、风扇、换向器等组成。 ×5.单结晶体管的结构中有( )个PN结。 CA.

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GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究_黄川

电阻器和电位器的主要特性参数有：标称电阻值和容许偏差（误差）；额定功率；最高工作电压；稳定性，噪声电动势，高频特性等。1、标称阻值和容许偏差（1）线绕和固定

本文通过测试普通电阻与压敏电阻的伏安特性曲线，并将其进行对比从而显示出压敏电阻的电阻值随电压呈非线性变化的特性。在此基础上对该特性的物理机理进行了讨论，并简单介绍了压敏电阻的应用与发展前景。

基于有限元仿真结果对电阻层析成像(ERT) 传感器的“软场”特性作了深入研究。研究结果表明, ERT 传感器的“软 场”特性主要体现在其灵敏场的分布受被测介质的分布及两相介质电

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系统主要包括在线测试、设置参数、查询数据、串口通讯等功能。本文完成了上述功能的软件设计和开发，尤其是在线测试功能中对于伏案特性曲线显示方案的设计，本文在深入研究显示模块的工作原理的基础上，结合系统的显示要求，改进了伏案特性显示方法，从而使得本系统不仅能够实时显示伏安特性曲线，并且能够动态显示测量曲线。

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半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 （1） 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。

`气体放电管是一种开关型保护器件，工作原理是气体放电。当两极间电压足够大时，极间间隙将放电击穿，由原来的绝缘状态转化为导电状态，类似短路。导电状态下两极间维持的电压很低，一般在20～50V，因此可以起到保护后级电路的效果。气体放电管的主要指标有：响应时间、直流击穿电压、冲击击穿电压、通流容量、绝缘电阻、极间电容、续流遮断时间。压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。TVS（Transient Voltage Suppression）是一种限压保护器件，作用与压敏电阻很类似。也是利用器件的非线性特性将过电压钳位到一个较低的电压值实现对后级电路的保护。TVS管的主要参数有：反向击穿电压、最大钳位电压、瞬间功率、结电容、响应时间等。`

研究了一种典型CMOS 源耦合差分对管电路（OTA）的非线性特性，得到非线性失真项。据此，导出了由OTA 构成模拟电阻和模拟电感以及其他一些模拟元件电路的非线性特性解析式，这

SnO2-Ag-SnO2 结构元件室温下对H2S的敏感特性研究 以SnCl4 和O2 为源物质,采用等离子增强化学气相沉积( PECVD) 和浸渍法掺Ag 技术制备了SnO2-Ag2SnO2 结构薄膜,在20 ℃下

片式电磁干扰对策元件的特性及其应用

※电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。※电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）①　主称　②　材料　③　分类　④　序号※电阻器的分类：①线绕电阻器　②薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器　③实心电阻器　④敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。※电阻器阻值标示方法：1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符号文字符号：DFGJKM允许偏差分别为：±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20%当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字，第四位为乘方数，第五位为偏差。

限压元件类有压敏电阻、TVS管（瞬态抑制二极管）等。它们和稳压二极管一样都具有限压特性。当外加电压小于其导通电压时，它具有很大的内阻，漏电流很小；当外加电压大于其导通电压时，其内阻急剧减小，可以流过很大的电流，而其两端的电压却只有少量的上升。它们的导通电压都有从低压到高压的系列值，便于在各种不同电压的电路中使用。另外，两者的电容都较大（TVS管也有低电容产品），不适于在高频电路中使用。压敏电阻与TVS管的区别在于：压敏电阻能承受更大的浪涌电流，而且其体积越大所能承受的浪涌电流越大，最大可达几十kA到上百kA；但压敏电阻的漏电流较大，非线性特性较差（动态电阻较大），大电流时限制电压较高，且所能耐受的冲击电流的大小随冲击次数的增加而减小（降额特性），较易老化。TVS管的非线性特性和稳压管完全一样，动态电阻较小，限制电压较低，且不易老化，使用寿命长，但通流能力较小（10/1000μs波峰值电流在几A至几百A之间）。再有就是反应速度不同，TVS管的反应速度极快，为ps级，而压敏电阻反应速度稍慢，为ns级。需要注意的是，流过防雷元器件的浪涌电流必须小于其脉冲峰值电流，压敏电阻应按其降额特性选择。压敏电阻的通流容量与其自身尺寸有着直接联系，但由于其制作工艺复杂，内部结构的均匀性差，很难制作出尺寸较大的压敏电阻，故单片的通流容量均较小。电源系统过电压保护的B级和C级浪涌保护器（SPD），其通流容量一般应在10kA~100kA的范围内（冲击电流波形为8/20µS），要达到这样的要求，通常采用两片并联的方法。并联使用时必须选用电气性能基本相同的压敏电阻，目前，主要采用限制电压和动态电阻2个参数进行选片，但这两个参数都不易测量，而且动态电阻值随冲击电流的变化有一定的改变，故研究一个衡量压敏电阻并联特性的电气参数尤为重要。本文由秦晋电子（fuse-tech.com）撰写编辑，如有转载，请注明出处。

1、绪论 KMZ10系列薄膜磁阻元器是一种结构新颖的Ni-Fe合金薄膜磁敏电阻元件，同时也是一种高灵敏度的磁性传感器；它采用Barber结构的桥式电路，内含偏置磁场结构的Ni-Fe合金薄膜磁阻元件。因而具有灵敏度高、线性范围宽、工作频率特性稳定、温度性能优良、抗干扰能力强、体积小和结构简单等特点。可广泛应用于磁性编码器、磁阻齿轮传感器、磁阻接近开关、磁阻电流传感器及无接触电位器等器件。2、原理和结构 铁磁性物质的磁化过程中的电阻值将沿磁化方向随外加磁场的增强而增大，并达到饱和的这种现象称为磁阻效应。按照磁阻效应原理制成的KMZ10系列薄膜磁敏电阻元件采用半导体技术-薄膜工艺和微细加工技术，将Ni-Fe合金用真空蒸镀或溅射工艺沉积到硅片上，再通过微细加工技术制成一定形状的磁敏电阻元件。 KMZ10系列薄膜磁敏电阻采用Barber结构的桥式电路元件结构示意图及等效电路如图1所示。由于磁阻条长度比宽度大得多，且形状各向异性，从而使得磁化强度沿着磁阻条长度的取向，这使得电流流向与磁阻条长度方向不再平行而成45°的结构。从而极大地提高了弱磁场下的灵敏度，改进了磁阻特性，扩大了线性区，并且可以鉴别作用磁场的极性。 当外加磁场Hy与薄膜平面平行，并与电流流向成θ角时，其电阻R（θ）将随角度θ的变化而变化，并同时出现各向异性的变化。其输出表达式为：V（θ）=1/2(ΔR/R0)Vincosθ (1)其中：ΔR=R11-RLR0=1/2(R11+RL) ΔR/R0为各向异性效应的磁电阻比，它是由材料本身所决定的。由公式（1）可知，薄膜磁阻元件具有倍频功能的特性，并且还能用来检测外加磁场的方向。 又因为：R（θ）A+R（θ）B=R(θ)C+R(θ)D=R11+RL （2） 所以无论作用于薄膜磁阻平面的磁场方向如何改变，其桥式电路的总阻值总是保持不变，因而具有达100MHz的较宽频带。 由于薄膜磁阻元件的弱磁场下的灵敏度很高，因而易受外界磁场干扰，尤其是强磁场的干扰。这些干扰将使磁阻工作特性改变。因此，为增强磁阻元件工作特性的稳定性，改善线性度和扩大器件的线性测量范围。KMZ10系列薄膜磁阻元件由于采用了内置的偏置磁场技术，因而可以保证磁阻器件的稳定性，但同时的一定程度上降低了磁阻元件的灵敏度。KMZ10薄膜磁敏电阻元件的灵敏度与辅助偏置磁场（Hy）的关系曲线如图2所示。3、特性 KMZ10系列薄膜磁敏电阻元件所具有的主要特性如下：●的弱磁场下，具有较高的灵敏度；●方向性强，当外加磁场平行于薄膜平面时，器件的灵敏度大；而当外加磁场垂直于薄膜平面时，器件的灵敏度最小且不敏感；利用这一特性可检测外加磁场的大小和方向；●具有饱和特性，磁阻元件的阻值随外加磁场强度的增大而增加，当外加磁场达到一定的值时，KMZ210薄膜磁敏电阻元件的阻值不再增加而达到饱和。利用该特性可以检测磁场方位，因而可用于GPS导航等系统；●内置偏置磁场极大地提高了磁阻元件的抗干扰能力和磁阻特性的稳定性，扩大了磁阻元件线性检测范围；●KMZ210系列磁阻元器具有较高的工作频率特性和倍频特性；●具有较宽的工作温度范围和稳定的工作温度性能。4、技术参数KMZ10系列薄膜磁阻元件的技术参数如表1所列。

本标准详细介绍了无源无线电干扰滤波器和抑制元件特性测量的方法