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FET 的全名是“场效电晶体(Field Effect Transistor,FET)”,先从大家较耳熟能详的“MOS”来说明。...
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)...
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一个主要问题。从下图看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,leakage power仍然在总功耗中占据主导地位。...
根据实际电参数指标要求,在25℃室温情况下,当测试电流IR=5μA时,器件反向重复峰值电压(VRRM)需高于1200V。...
电机控制器的功率模块,即IGBT器件和续流二极管,在开关和导通电流会产生损耗,损失的能量会转化成热能,表现为功率模块发热。...
根据实际电参数指标要求,在25℃室温情况下,当测试电流IR=5μA时,器件反向重复峰值电压(VRRM)需高于1200V。...
导通角:导通角是指在一个周期内,由电力电子器件控制其导通的角度。交流电一般为正弦波形,它的一个周期为360度,正半周占180度,负半周占180度。...
导通角:导通角是指在一个周期内,由电力电子器件控制其导通的角度。交流电一般为正弦波形,它的一个周期为360度,正半周占180度,负半周占180度。...
阶段6(t6—t7):在t6时刻,VCE下降到使IGBT进入饱和状态,栅极反射极电压增加以维持IL,当VCE衰减稳定后,稳定值即为饱和导通压降VCE(sat),到此开通过程完全结束。...
在IGBT开关过程中通常用开通延迟td(on)、关断延迟td(off)、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。图5是IGBT整个开关过程的波形。...
阶段1(0—t1):在此阶段,栅极电流开始对栅电容CGE充电,但是VGE<Vth,沟道未开启。...
阶段1(0—t1):在此阶段,栅极电流开始对栅电容CGE充电,但是VGE<Vth,沟道未开启。...
EVM 提供以下功能: 通过丝印原理图进行直观评估 通过表面贴装测试点轻松访问节点 两个原型区域的高级评估 参考电压源灵活性 方便的输入输出过滤。...
提到FET,学电子的人都比较熟悉,FET就是Field-Effect Transistor,场效应管。...
当晶闸管的门极接收到足够的正向触发脉冲时,晶闸管会从堵塞状态变为导通状态。此时,晶闸管的阳极和阴极之间会形成一个低阻抗通路,允许电流流经晶闸管。...