设计，才能既保证器件长期可靠运行，又充分挖掘器件的潜力。而对功率器件及整个系统的热设计，都是以器件及系统的热路模型为基础来建模分析的，本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍，...
2022-08-01 10:07:51
3032 
IGBT 功率模块工作过程中存在开关损耗和导通损耗，这些损耗以热的形式耗散，使得在 IGBT 功率模块封装结构产生温度梯度。并且结构层不同材料的热膨胀系数( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差较大
2022-09-07 10:06:184436 为获得绝缘栅双极型晶体管( IGBT)在工作过程中准确的功率损耗,基于数学模型及测试,建立了 一种准确计算功率逆变器损耗模型的方法。通过双脉冲测试对影响 IGBT 开关损耗的参数( Eon
2023-03-06 15:02:511536 ）是影响键合点寿命的重要因子。传统功率循环寿命试验需采用大量的试验样本，文章采用单根键合引线作为试验独立样本，极大程度地减少了试验所需的样本数，同时通过压降参数 VCE(sat) 的微小变化相对准确地获取到 IGBT 模块内部键合线的脱落趋势，结合寿命模型和威
2023-08-08 10:59:38772 
本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍，所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。
2021-08-20 16:56:497224 
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01:13
，如图6所示，优化的组装技术显著改善了功率循环（PC）周期。这至少能确保在工作结温增大的情况下，输出电流增大，但功率器件寿命不变。 图6：1200V标准模块的功率循环（PC）可靠性图和搭载IGBT
2018-12-07 10:23:42
简单，通态压降低，且具有较大的安全工作区和短路承受能力。 1 IGBT及其功率模块 1.1 IGBT的结构 IGBT采用沟槽结构，以减小通态压降，改善其频率特性，并采用NPT(Non Punch
2012-06-01 11:04:33
图2 热管散热器基板温升随风速变化测试文章来源：中国电力电子网-IGBT论坛IGBT模块散热器 区熔单晶电力电子
2012-06-19 13:54:59
特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。 4.4散热设计 取决于IGBT模块所允许的最高结温(Tj),在该温度下，首先要计算出器件产生的损耗，该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热
2012-06-19 11:17:58
模块)的散热方案 在电子元件的热设计中，散热方式的选择，以及对其进行试验、模拟、分析、优化从而得到一个热效率高、成本低廉的结构，对保证功率器件运行时其内部结温始终保持在允许范围之内显得尤为重要
2012-06-20 14:58:40
·PAV Tjm为器件的最大允许最高工资结温，普通整流管为150℃，普通晶闸管为125℃，快速晶闸管为115℃ Rjc为器件的结壳热阻。 PAV为器件的耗散功率。其计算公式为： PAV
2012-06-20 14:33:52
是IGBT模块控制的平均电流与电源电压的 乘积。由于IGBT模块散热器是大功率半导体器件，损耗功率使其发热较多，加之IGBT模块散热器的结温不能超过125℃，不宜长期工作在较高温度下，因此要采取恰当
2012-06-19 11:26:00
在实际工作过程中通过测量模块的壳温及功率，得到实时工作过程中的结温变化，并将键合引线的损伤作为总体损伤的一部分及时反馈到系统中，从而增加IGBT模块的寿命预测精度。
2020-12-10 15:06:03
IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验系统可对相应的IGBT器件进行适配器匹配。测试标准符合MIL-STD-750，IEC60747。本设备采用计算机自动控制系统
2018-08-29 21:20:11
实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域
2011-11-25 15:46:48
子。另外，应当尽可能减少驱动线或电缆与主功率回路平行，尽可能地远离功率回路，降低互感，避免驱动回路被强磁场干扰。 图15 适配板MA3005.2 散热并联IGBT之间的冷却差异会引起工作结温不同，进而
2018-12-03 13:50:08
IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算IGBT的结温Tj，已成为大家普遍关注的焦点。由最基本的计算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，损耗Ploss和热阻Rth(j-a)是Tj计算的关键。
2019-08-13 08:04:18
计算，直接得出结论如下： 10、二极管反向恢复损耗 11、实际模型计算 实际验证FFR600R12ME4模块损耗步骤如下： 11.1 参数获取 12、IPOSIM验证 英飞凌官方条件下，计算
2023-02-24 16:47:34
电流密度分别为前两者的数十至数倍，这就决定了它的抗浪涌电流能力强，安全工作区宽，并联连接容易。从现有商品化IGBT及其发展趋势看，在高频大功率开关电源、变频调速、电机控制、通信电源、逆变电源、不间断电源
2016-06-21 18:25:29
如果分流器用于测量发射极电流，将会失去隔离且IGBT栅极信号中存在干扰。 对于高性能和大功率半导体模块，一般使用电气隔离的传感器。无补偿电流的纯霍尔效应传感器在误差和温度稳定性方面的性能较差。传感器
2018-10-29 15:35:27
功率模块回收★IGBT回收--------------------高价现金回收工厂欧派克、西门康、三菱、富士等各品牌拆机、原装模块。需要处理此类产品的朋友请联系我，把库存换成现金，为您资金立马回笼
2010-11-26 15:41:42
【作者】：王丹;关艳霞;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01:39
通常用热阻的大小来描述。热阻RT定义为每1W的集电极耗散功率使晶体管的结温升高的度数，即 热阻RT越小，散热条件越好。功率管最大允许的管耗PCM与热阻大小、工作环境温度有关，即 式中，TjM表示PN结的最高允许结温;Tα表示功率管的工作环境温度。
2021-05-13 07:44:08
）可靠性图和搭载IGBT4的EconoPACK模块（Ton≈1秒， I≈Inom）的典型使用寿命这种全新的功率半导体通过提高芯片最高工作结温（ Tvjop=150°C），提高了逆变器输出功率。全新
2018-12-03 13:49:12
普通的高亮度 (HB) LED 仅将约 45% 的应用能量转换给可见光子，其余的则产生热量。 如果产生的这些热量不能从 LED 充分散去，将会导致过热，并可能造成灾难性故障。 即使不出现灾难性故障，LED 结温升高也会造成光输出下降、颜色发生变化和/或预期寿命显著缩短。
2019-08-12 07:57:16
ad8346汽车级最高工作环境温度是125度，最高结温是多少摄氏度？
2023-12-05 07:44:20
Fullpack和TO247）和芯片面积。最终给出了一组完整的公式，来计算结温。利用本文的结果，设计工程师将能够准确而轻松地计算器件的真实结温。导言对于电子器件原型的评估通常包括对功率晶体管和二极管最大结温
2018-12-05 09:45:16
150℃。结温较高的情况下，特别是结温与数据表规格不符时，可能会损坏LED并缩短LED寿命。那么，应如何做来降低LED的结温呢？ 等式1表示每个LED消耗的电功率： 其中：Vf 是LED的正向电压
2019-03-01 09:52:39
℃，最大结温提高至150℃，电流输出能力可提高50%以上。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。关键词:具备更强机械性能高功率IGBT模块3.3kV IGBT3芯片技术[中图分类号] ？？[文献
2018-12-03 13:51:29
请问怎么确定可控硅的结温？？？超过结温时会有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
循环周次能力是有限的。值得注意的是，IGBT模块主要有两个失效机制，下文将对此进行说明。通常情况下，逆变器的结温可采用热模型计算。对于远远超过0 Hz的正弦波形输出电流而言，结温可采用近似值，其中芯片
2018-12-04 09:57:08
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求单独计算。此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。 本文将阐释怎样测量两个元件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。 图1： 贴装在
2018-09-30 16:05:03
模块输出电流能力会约束整个逆变器的功率密度，最大结温是IGBT开关运行的限制因素，本文介绍了PrimePACKTM封装将IGBT工作结温提高到150℃，并给出了在苛刻条件下逆变器性能和电流利用率的情况
2018-12-03 13:56:42
发光二极管进行热流分析及散热优化设计。理论计算结果表明,PN结到环境之间的总热阻为28.67℃/W;当LED耗散功率为1 W、环境温度为25℃时,结温为53.67℃。模拟结果显示,在同样工作条件下,大功率
2010-04-24 09:17:43
大功率开关电源常用元器件知识之 IGBT和IPM及其应用电路资料来自网络资源分享
2021-06-01 18:37:04
我如何计算VIPER37HD / LD的结温 以及频率（60k，115k hz）如何影响结温？
2019-08-05 10:50:11
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法：
2021-03-11 07:53:26
通过电流和电压探头以及标准的示波器进行数据记录和获得。在逆变器运行过程中，芯片的结温很少通过实验方法确定。热处理通常是供应商提供典型值或最差值（如IGBT模块和冷却板的热阻）与仿真产生的损耗情况结合
2018-12-07 10:19:13
专业回收,触控屏,变频器,AB模块。新旧不限,大量上门回收IGBT模块,或个人滞留,或工程剩余模块要处理的主营产品:常年回收igbt功率模块,电源模块,可控硅模块,ipm功率模块,gtr达林顿模块
2021-03-04 13:57:12
测量功率器件的结温常用二种方法
2021-03-17 07:00:20
模块的热可靠性要求。这种计算是基于模块损耗、热仿真模型和模块寿命模型。本文通过将功率模块连接至不同的冷却系统，探讨了主动/被动热应力条件下，诸如IGBT芯片焊接或绑定线连接等键合点1. 导言通常，混合
2018-12-04 09:59:53
的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT模块 IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管
2019-03-05 06:00:00
摘要：本文介绍了分立IGBT和二极管的结和塑封料（MC）之间温度差异的总体相关性。我们以引线架背面为基准，通过分立功率器件的相关参数说明这种差异。这些参数包括封装类型（TO220，To220
2018-12-03 13:46:13
Rg-计算所需的IGBT门极驱动功率-计算所需的门极充电电流英飞凌驱动培训及其使用中的问题-1.pdf (4.73 MB )英飞凌驱动培训及其使用中的问题-2.pdf (3.63 MB )
2018-12-14 09:45:02
芯片和封装、周围环境之间的温度差按以下公式进行计算。其中项目解说θｊａ结温（Ｔｊ）和周围温度（Ｔａ）之间的热阻ψｊｔ结温（Ｔｊ）和封装外壳表面温度（Ｔｃ 1）之间的热阻θｊｃ结温（Ｔｊ）和封装外壳背面
2019-09-20 09:05:08
上一个输错了型号，AD8436BRQZ 的datasheet里没有最大结温
2023-12-05 06:37:12
=111.83℃/W ；计算方式2： θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。两者相差太大，方式2中结温60.7℃小于方式1中表面温度73℃，这个就很难理解
2019-03-25 10:54:06
不同，两个裸片的功率耗散也不同，各自要求单独计算。此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。 本文将阐释怎样量测两个组件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。 功率计算
2018-10-08 14:45:41
的功率耗散也不同，各自要求单独计算。此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。 本文将阐释怎样测量两个元件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。图1： 贴装在
2014-08-19 15:40:52
，LED 结温升高也会造成光输出下降、颜色发生变化和/或预期寿命显著缩短。本文介绍了如何计算结温，并说明热阻的重要性。 文中探讨了较低热阻 LED 封装替代方法，如芯片级和板载 (COB) 设计，并介绍
2017-04-10 14:03:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:55 编辑
大家下午好！我是来自中国北车的张强。随着高速铁路和动车的发展，我们提供车辆数量的增加，大功率IGBT模块作为动车中的主要功率
2012-09-17 19:22:20
的、分立式设备尺寸或额定值数据库中找到。因此，设计人员常常束手束脚，不得已地采用次优器件。图2显示了一个模型跟踪超级结MOSFETS的挑战性缩放CRSS特性并在IGBT中传递特性的能力。
以前
2019-07-19 07:40:05
IGBT损耗计算和损耗模型研究：器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要。损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 ），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达1
2023-01-10 11:29:08
），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达1
2023-01-10 11:33:54
大功率IGBT驱动模块2SD315A 的特性及其应用:介绍了一种适用于大功率IGBT 的新型驱动模块,该模块工作频率高,驱动电流大,具有完善的短路、过流保护和电源监控功能。关键词:模块
2010-01-07 11:04:27195
可控硅、达灵顿、IGBT、MOSFET等大功率模块外形图
（供参考）
2009-07-25 14:45:452146 IGBT和续流二极管的功率模块单元电路
(a)所示为单开关模块; (b)所示为两单元(半桥)模块; (c)所示为H桥(单相桥)模块; (d)所示为不对称H桥模块; (e)所示为三相桥(六单元或逆
2010-02-17 23:12:172894 
M57962L驱动大功率IGBT模块时的应用电路
2010-02-18 11:20:464335 
赛米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半导体模块，该模块目前也可提供三电平拓扑结构。与竞争对手的产品相比，新模块拥有4.9 A/cm2的额定电流
2011-05-06 08:34:24870 器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要遥损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IGBT损耗模型遥对近年来的各种研究
2011-09-01 16:38:4565 本文介绍了大功率电力电子器件I P M 智能功率模块，给出了模块的内部电路结构及功能特点。以通用变频电源的设计为例，介绍了以I P M 智能功率模块为核心的主电路及其控制电路的设
2011-12-22 14:30:11105 带逆阻型IGBT的三电平NPC-2功率模块的门极驱动器应用
2017-02-28 23:14:222 IGBT单管和IGBT模块的控制电路是一样的，它们的作用和工作原理基本一样，IGBT模块可以看成是多个IGBT单管集成的模块。IGBT模块封装技术拓展了IGBT的运用领域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 
在大功率系统中，为了扩大电路的功率等级，开关器件往往会并联使用。为了保证绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块工作在安全范围，需要建立并联器件的瞬态电热模型。首先，重点分析了结温变化对损耗产生
2018-02-01 14:09:060 目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管（ IGBT）行为模型以及仿真软件中的IGBT模型末专门针对中电压大功率IGBT模块搭建，不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性。在已有行为模型基础上，提出
2018-03-08 09:21:360 在一些电力电子应用场合，不仅需要高压IGBT模块有优异的性能，还需要具有相当高的可靠性；为了满足实际需求，希望高压IGBT模块的寿命能达到30年，所以，高压IGBT模块的寿命预估非常重要。
2018-03-13 16:34:4210729 IGBT模块的原理及测量判断方法 GBT模块的原理及测量判断方法 本文以介绍由单只 IGBT 管子或双管做成的逆变模块及其有关测盈和判断好坏的方法。场效应管有开关速度快、电压控制的优点，但也
2018-05-18 13:12:0014868 
*ΔVge*f或者P=Ciss*5*ΔVge²*f，今天小R就与大家来聊聊IGBT驱动器驱动功率的计算。 关于IGBT的使用，我们在评估完IGBT本身特性参数的时候，可以最重要的就是驱动器的选择
2022-12-01 11:45:084137 IGBT 功率模块基本的封装工艺介绍，给初入半导体芯片制造封装的工程师作为参考资料。
2022-06-17 14:28:4251 诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件，要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注，以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥，并保持很高的可靠性。本文对IGBT
2022-08-06 14:54:531999 诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件，要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注，以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥，并保持很高的可靠性。本文对IGBT的功率和热循环进行了探讨。
2022-12-02 11:46:35968 智能功率模块（IPM）是一种功率半导体模块，可将操作IGBT所需的所有电路集成到一个封装中。它包括所需的驱动电路和保护功能，以及IGBT。这样，可以通过可用的IGBT技术获得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142430 
赛米控近期完成了基于成熟大功率三电平IGBT模块并联的功率模组参考设计与测试验证。本文将详细的介绍这款设计。
2023-02-07 09:12:041555 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是一种功率半导体器件，它是由多个IGBT芯片、反并联二极管、驱动电路、保护电路等组成的集成模块。IGBT模块通常根据结构、电压、电流、功率等参数进行分类。
2023-02-20 17:32:254883 随着电力电子功率模块不断的提高功率密度，缩小封装的体积，提高应用频率。半导体器件，尤其是以IGBT为代表的功率电
子器件面临的散热挑战日益提高，封装和散热成为电子产品设计的热门词汇。
在新能源
2023-02-22 13:53:086 IGBT功率模块是指采用lC驱动，利用最新的封装技术将IGBT与驱动电路、控制电路和保护电路高度集成在一起的模块。其类别从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM.
2023-02-22 15:02:552865 IGBT最常见的形式其实是模块（Module），而不是单管。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
2023-02-22 15:08:141760 
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。
2023-02-22 15:34:002490 
IGBT模块在电力电子变流领域应用尤为广泛，其吸收电容的选型计算成为热点。由于IGBT模块关断时会产生较高的尖峰附加电压，叠加在母线电压上容易导致IGBT模块烧毁（IGBT模块开通时的尖峰附加电压
2023-02-23 09:11:1216 电动汽车驱动电机控制器基本结构可分为：壳体、高低压连接器、电子控制元件、电气控制元件、电气功率元件。 电气功率元件主要为IGBT集成功率模块，是电气控制器关键零部件。 通过电子控制元件与电气控制
2023-07-28 11:03:451569 
到 IGBT 模块内部键合线的脱落趋势，结合寿命模型和威布尔统计方法，对键合点寿命进行统计分析，最终获得功率循环寿命曲线。利用新的功率循环寿命统计方法可将试验成本和试验周期减少 80%。
2023-08-08 10:56:361216 
IGBT功率模块失效的主要原因是温度过高导致的热应力，良好的热管理对于IGBT功率模块稳定性和可靠性极为重要。新能源汽车电机控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度随着对新能源汽车性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23907 
功率半导体器件在现代电力控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是其中两个最为常见的器件类型。它们都可以用于控制大功率负载和驱动电机等应用，但是它们的内部结构和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494679 
IGBT模块的起源可以追溯到20世纪80年代，当时日本的电子工程师们致力于克服传统功率器件的局限性，尤其是普通双极晶体管和场效应晶体管（FET）。IGBT模块的出现正是为了综合这两者的优点，以满足
2023-09-12 16:53:531805 
IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 
提高4.5kV IGBT模块的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
聊聊什么是IGBT的膝电压？ IGBT是一种半导体器件，常用于功率放大和电流控制应用。作为一种开关器件，IGBT能够在低驱动电压下实现较高的电流和电压控制能力。膝电压是其关键的特性之一，本文将对
2024-02-03 16:23:43288
电子发烧友App
工商网监
评论