电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 有在小电流下（10mA程度
2016-11-11 14:24:30
Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）---正向微分电阻。在正向
2020-03-10 10:48:48
我的两个二极管的管子上丝印是V6 71，L4 69（插件），这是什么样的二极管呢？我该怎么确定的，告急。
2013-09-03 14:00:20
防雷过压器件的具体作用二极管的应用二极管是什么原理二极管有哪些分类？
2021-03-16 13:54:35
用数字万用表测量二极管正向电阻与反向电阻，现在有几个疑问请教大家。1：黑表笔接二极管阳极，红表笔接二极管阴极。这个为什么定义为反向电阻，红表笔接的是二极管阳极，黑表接二极管阴极。这个定义又什么定义为
2017-08-25 10:59:34
电容和扩散电容来表示。当二极管两端外加正向电压时，它削弱PN结的内电场，扩散运动加强，漂移运动减弱，扩散和漂移的动态平衡被破坏，扩散运动大于漂移运动，结果导致P区的多子空穴流向N区，N区的多子电子流向P
2021-06-15 17:08:31
当二极管的正向电流变化时，其正向电阻也在发生微小的变化，正向电流愈大，正向电阻愈小，反之则大。在一些控制电路中，在利用这一特性实现电路的控制功能。在电子开关电路中，利用二极管正向电阻和反向电阻相差
2021-01-22 16:10:45
的。二极管热电阻表示了功率耗散和温度间的关系，其计算公式为：θ=(Tjunction-Texternal)/Pdiss (1)，其中，Tjunction 为结温，Texternal 为环境温度，Pdiss
2018-02-27 10:28:52
二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管温度补偿电路及故障处理二极管控制电路及故障处理二极管限幅电路及故障处理二极管开关电路及故障处理二极管检波电路及故障处理继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理
2021-03-10 07:14:45
Boost升压PFC电感上的二极管是做什么的？二极管的作用
2021-02-24 07:49:55
功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。11、PIN型二极管（PIN
2018-08-22 11:36:57
首先，在这里介绍用作硅功率元器件的二极管种类，及堪称硅半导体之基本的二极管最基础内容。Si二极管的分类考虑Si二极管的分类时，根据其用途，有几种分类方法。在这里，主要考虑用于功率转换，对Si二极管
2018-12-03 14:30:32
以上的叫做中功率/大功率二极管。4. 按集成度分类我公司的强点是二极管排列，是指二极管集聚的复合二极管。最近我公司充实齐纳二极管，肖特基二极管的复合品等丰富系列。5. 按形状分类封装，实际安装形状
2019-04-12 00:31:05
二极管的压降与电流有何关系？如何去实现二极管的降压功能？
2021-09-29 07:27:56
，二极管不导电。与正向工作区一起，该工作区反映了二极管的单向电导率，可用于整流和其他场合。4） 反向击穿区二极管也处于反向工作状态，但反向电压较大。尽管二极管的反向工作电流迅速增加，但反向工作电压
2023-02-09 10:33:09
方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用
2016-02-29 14:33:39
在二极管正极加+VCC电源，二极管负极悬空，此时负极的电压是多少？因为二极管是通过PN结形成的结构，和电阻的模型不同，所以想请教一下，有没有可以更好分析的二极管模型，判断负极的电压。如果使用万用表
2018-03-22 09:16:29
时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率
2022-01-25 10:33:57
，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上
2019-11-06 11:38:02
(1)判断二极管的好坏 判断二极管的好坏常用的方法是测试二极管的正、反向电阻，然后加以判断。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好，即二者相差越大越好。一般正向电阻阻值为几百欧或几百千欧，反向电阻阻值
2021-06-30 16:40:35
组成，如图（a）所示。从P型区引出线为二极管的正极，从N型区引出线为二极管的负极。图（b）为二极管在电路图中的代表符号。二极管的PN结主要有锗材料组成的称锗二极管，由硅材料组成的称硅二极管。
2016-04-11 14:11:02
)Irp与If0及Urp与If0的关系曲线(g)tr0、trr和trf与If0的关系曲线(h)trr和trt与|di0/dt|的关系曲线结论在关断时电流的下降速率不变的情况下, 在较大的范围内,功率二极管
2023-02-14 15:46:54
形成的栅极。这种结构可降低漏源阻值，提高电流容量，高电阻率的漂移区用于提高耐压容量，降低结电容并使沟道长度稳定。实际器件是由许多与此典型结构完全相同的元胞器件集成在一起的。(a)VMOS的结构；(b
2018-01-29 11:04:58
的漏电流与反向电压的关系当快恢复二极管两端加反向电压时，内部电场面积变宽，有较少的漂移电流通过PN结，形成我们所说的漏电流。漏电流也是评价快恢复二极管性能的重要参数。快恢复二极管过大的漏电流不仅会增加其
2021-07-30 14:33:17
和次级保护。三、再选用ESD静电二极管时，更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL，高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C；而选用TVS二极管时，看的是功率和封装形式。静电二极管规格书下载：
2022-05-18 11:23:17
PIN二极管通常作为TV调谐器中的RF信号以及固定通信设备中宽带RF的可变衰减器。这类二极管可以作为分立器件安装在电路板上，或集成到混合GaAs模块。在高频段，PIN二极管的正向电阻随着流过结电流增加而减小。
2019-09-27 06:38:22
电阻率。 碳化硅肖特基二极管的两种内部结构和电路符号如图1所示，在高掺杂N+阴极电极和低掺杂N-外延层之间插入了一个N型掺杂层。这一层叫作电场终止层，主要用器件在阻断状态下承受电场。这使得外延层可以
2019-01-02 13:57:40
•严格控制I层基底宽度•台面和平面芯片设计说明Skyworks CLA系列硅限幅二极管在100兆赫到30兆赫的宽频率范围内提供无源接收器保护。这些器件采用成熟的Skyworks硅技术，产生高电阻率
2020-09-21 18:04:55
TVS二极管，也叫瞬变二极管、瞬态电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态抑制二极管、TVS、TVS二极管、TVS管、二极管TVS等等，叫法很多，不同的客户叫法略有差异，但是东西都是一个东西，是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
;nbsp; 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高
2010-04-09 21:56:24
、迁移率与温度的关系以及电阻与温度的关系，研究表明：pin二极管电阻的温度性能主要依赖于二极管结电容的大小。
2019-06-25 06:06:38
最大空穴电流、p区最大电子电流和耗尽区电荷载流子重组电流之和。准中性区的最大电流出现在耗尽区的两侧。
直流电阻或静态电阻
PN结二极管的静态电阻或直流电阻定义了二极管在连接直流电源时的电阻特性。如果
2024-01-25 18:01:01
的结构和台面的结构，如图2所示。对于Si-pin133结二极管，其中I层的载流子浓度很低（约为10cm数量级）电阻率很高、（约为k-cm数量级），厚度W一般较厚（在10～200m之间）；I层两边的p型
2018-03-19 14:55:53
临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳...
2021-11-12 07:31:57
续流二极管作用及工作原理是什么？续流二极管为什么要反向接个二极管呢？续流二极管在正激开关电源的作用是什么？在变流技术中，续流二极管在电路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
发光二极管与激光二极管在发光原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在工作原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在架构上有何差别？发光二极管与激光二极管在效能上有何差别？
2021-07-28 07:02:48
最近我在做本科论文， 关于隧穿二极管（RTD)。隧穿二极管有负电阻区，论文主题就是对此进行模拟实验，测量不同温度下U-I的变化数据，并对此进行公示的推导。请问论坛的大神们有关于这方面的资料不？
2015-01-05 03:00:06
电路设计中知道这些关系对选择合适的肖特基二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电
2018-10-18 18:19:30
画出发光二极管的电路，说出每个电阻的作用没懂意思求解
2012-05-05 23:26:59
发光二极管原理发光二极管特性发光二极管电阻计算方法发光二极管的限流电阻的计算发光二极管电阻接法
2021-03-04 07:46:09
、音频指示和信息状态显示等。一、发光原理 发光二极管的管芯结构与普通二极管相似，由一个PN结构成。当在发光二极管PN结上加正向电压时，空间电荷层变窄，载流子扩散运动大于漂移运动，致使P区的空穴注入N
2019-06-13 02:40:15
满足发光二极管的正向导通电流为25mA，则限流电阻阻值为120Ω。发光二极管电路发光二极管串联限流电阻接电源。发光二极管和数码管的关系数码管是由8个发光二极管组成，构成8字形，然后在表面贴上显示膜
2018-09-07 21:37:35
直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。它属于电流控制型半导体器件，应用时需串接合适的限流电阻。 通俗单色发光二极管的发光色彩与发光的波长有关，而发光的波长又取决于制造发光二极管所用的半导体材料。红色
2018-04-03 11:33:11
直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。它属于电流控制型半导体器件，应用时需串接合适的限流电阻。 通俗单色发光二极管的发光色彩与发光的波长有关，而发光的波长又取决于制造发光二极管所用的半导体材料。红色
2018-09-07 11:29:24
一、变阻二极管主要特性变阻二极管是利用PN结之间等效电阻可变的原理制成的半导体元器件，它一般是采用轴向塑料封装，主要应用于10--1000MHz高频电路或者开关电源电路当中作可调衰减器，起到限幅
2023-02-23 16:03:01
可以用于判断开基区晶体管或Shockley二极管的正向阻断电压。Miller公式中S参数与掺杂浓度存在着密切关系。此次，我们将基于已有的Miller公式，应用MATLAB对不同漂移区掺杂浓度下的S参数
2019-10-30 13:56:31
碰撞电离率模型进行化简计算。(3)应用准确的Chynoweth碰撞电离率模型，基于已有的Miller公式，对不同漂移区掺杂浓度下的S参数进行了确定，提出了参数S与漂移区掺杂浓度N的拟合公式，并验证了其
2019-10-30 13:22:00
一、PN结：大功率TVS和小功率TVS两者之间的PN结不一样，大功率TVS二极管有很大的散热片，而小功率TVS二极管没有；二、结电容：大功率TVS的结电容可高达上百pF；小功率TVS的结电容可以做到
2022-05-24 16:18:18
、场效应器件和特殊的肖特基二极管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅单载波器件具有薄漂移区和低导通电阻，比硅器件小约100-300倍。由于导通电阻小，碳化硅功率器件的正向损耗小。2）碳化硅功率器件由于其高击穿
2023-02-07 15:59:32
如何识别普通二极管？晶体二极管的参数有哪些？普通二极管怎么使用？
2021-06-08 06:38:05
N型半导体一侧，相对较薄，故其正向导通门槛电压比普通PN结低。但是也是因为肖特基二极管的耗尽区较薄，所以反向击穿电压比较低。 如果是使用的话，TVS有二极管类，和压敏电阻类。个人认为压敏电阻类更有
2023-03-16 17:29:45
一、极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值
2022-05-31 18:21:30
的稳压二极管来更换。可以用具有相同稳定电压值的高耗散功率稳压二极管来代换耗散功率低的稳压二极管，但不能用耗散功率低的稳压二极管来代换耗散功率高的稳压二极管。例如，0.5W、6.2V的稳压二极管可以用1W
2021-07-07 14:58:27
请问一下怎样使用集成二极管和外部二极管呢？
2022-12-05 12:04:41
元件。肖特基二极管与普通二极管从外观上如何区分？括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别
2020-12-15 15:45:54
的变量有哪些呢？除了芯片性能,工艺技术外，温升变化又是非常重要的一个方面。 肖特基二极管正向压降?值大小与温度高低呈现反比关系 ASEMI肖特基二极管MBR60100PT作为半导体功率器件，在实际
2018-12-25 14:04:16
整流二极管并联时：电流成倍耐压不变！整流二极管串联时：耐压成倍电流不变。每个整流二极管后面再串联一个电阻，尽量选择参数一致的整流二极管，然后并联后的电流参数稳妥一点取总电流的0.8倍，其实一般情况下
2020-09-18 15:39:43
整流二极管并联时：电流成倍耐压不变！整流二极管串联时：耐压成倍电流不变。每个整流二极管后面再串联一个电阻，尽量选择参数一致的整流二极管，然后并联后的电流参数稳妥一点取总电流的0.8倍，其实一般情况下
2021-10-29 17:21:23
首先将整流器中的MDD整流二极管全部拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量MDD整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几拾万Ω、而
2021-06-16 11:18:22
普通二极管和肖特基二极管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
正常情况下，要满足稳压二极管的反向电压是等于或者大于整流二极管的方向电压。普通二极管是指工艺材料没有什么特殊的二极管。其性能也就没有特点了。能不能代替整流二极管呢？根据二极管的使用原则，只要其耐压
2021-05-26 16:49:24
时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定的负载条件下正常工作。二极管交流电阻 估算： 二极管的低频小信号模型就是交流电阻 ，它反映了在工作点Q处，二极管的微变电流与微变电压之间的关系。二极管的低频大信号模型
2009-08-21 08:32:49
这是一个供电电路，VCC是输出电压，两个二极管的正极都是电源输入，电池是作为备用电源。请问哪位大神知道图中二极管和电阻并联的作用是什么吗？多谢了。好像是稳压的作用，但二极管和电阻具体怎么稳压的搞不懂，求助。。
2014-05-29 21:48:45
离子注入或扩散在n-漂移区上形成p区，使p区与肖特基结形成网状平面结构。于是由p区、n-漂移区及n+衬底形成了一个pin结构，所以，JBS二极管相当于一个功率肖特基势垒二极管与pin二极管的并联。在反
2019-02-12 15:38:27
（一）判定管脚的排列顺序 将万用表置于R×1K挡，按照检测普通二极管正、反电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以当检测
2021-05-13 07:52:48
基本方程，我们发现结的面积和I层的厚度决定了PIN二极管不导电时的电容(C)和二极管偏置进入导通状态时的串联电阻(R)：I层的介电常数(e)及其电阻率(r)由构成二极管的材料类型决定。厚度（也称为I层的长度
2018-03-22 10:59:54
一．电力二极管的静态特性 i 随着正向电压增大到门槛电压Uto（二极管开启电压），二极管导通。 ii电压Uf为二极管导通时的正向电压降 iii 当承受反向电压时，二极管截至，只有微小的少子漂移运动
2020-04-10 16:41:24
图中电阻、二极管和电容的关系及作用，特别是电容和二极管构成的电路，请大神给与讲解，谢谢！
2020-04-16 08:59:31
较宽，发生碰撞电离的机会较多。
综上所述，相信通过本文的描述，各位对瞬态抑制二极管TVS的工作原理？（下）都有一定了解了吧，有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这，下次给各位讲解些别的内容，咱们下回见啦！
2023-10-20 10:10:21
较宽，发生碰撞电离的机会较多。
综上所述，相信通过本文的描述，各位对瞬态抑制二极管TVS的工作原理？（下）都有一定了解了吧，有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这，下次给各位讲解些别的内容，咱们下回见啦！
2023-10-20 10:07:05
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！TVS二极管规格书下载：
2020-12-24 14:55:58
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！ESD二极管规格书下载：
2021-12-30 17:52:36
一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
）结构示意图，其结构大致可分为四部分，上表面阳极金属、外延层（漂移区+缓冲区）、衬底层和背面阴极金属。 作为单极型器件，碳化硅肖特基二极管优点尤为突出，其“反向恢复为零”的特点让其反向特性相比硅基快恢复
2023-02-28 16:55:45
元件。稳压管在电子电路中一直工作在反向击穿区，所以它的联接方式与普通二极管恰怡相反。由上图可以看出，稳压管在一定的电流范围内，其端电压几乎衡定不变，表现出很好的稳压特牲，因此它广泛应用于电子电路中。稳压二极管规格书下载：
2021-09-10 15:25:03
常用的稳压二极管的外形与普通小功率整流二极管的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时，可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时，可使用万用表电阻挡很准确地将稳压二极管与普通整流二极管区别开来。具体方法
2021-08-16 17:04:51
，稳压二极管不讨论响应时间，而是更关注稳压值。但对于TVS二极管来说，其特性决定了其具有不同的功能。TVS二极管具有瞬态抑制高能的功能，所以需要在短时间内吸收高能，所以这个时间非常短，达到纳秒级;4.功率大小
2021-12-21 11:16:32
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 编辑
稳压二极管属于半导体元件，在工作时稳压二极管中内部电阻与电流变化比例关系不是线性比例变化的，而欧母定律适用与线性变化的电路分析
2012-07-12 15:31:26
具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。稳压二极管怎么看功率 先
2021-11-12 06:42:32
0 引言、 文中针对几种不同结构和钝化材料的pin二极管，对其温度性能进行了研究，包括I区域载流子寿命与温度的关系、迁移率与温度的关系以及电阻与温度的关系，研究表明：pin二极管电阻的温度性能主要
2011-07-17 19:25:41
` 1、开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用开关二极管的这一特性
2019-01-03 13:36:59
值、温度系数及耗散功率等等。所以肖特基二极管与稳压二极管两个完全不一样，肖特基二极管做开关用，特点是正向导通电压低，可工作与高频开关的场合。稳压二极管起稳压作用，应用场合大多为并联在电源、IC器件两端，防止过电压，起保护作用。肖特基二极管规格书：
2020-09-25 15:38:08
直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。肖特基二极管规格书下载：
2022-01-24 11:27:53
肖特基二极管工作原理肖特基二极管的特点肖特基二极管的结构肖特基二极管与普通二极管的区别肖特基二极管的工作状态肖特基二极管和稳压二极管的区别工作原理肖特基二极管是以贵金属（金、银、铝、铂等）为正极，以
2021-11-16 08:08:11
肖特基二极管一种应用电路，这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点，这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载：
2021-04-12 17:25:17
较少的漂移电流通过PN结，形成我们所说的漏电流。漏电流也是评估肖特基二极管性能的重要参数，肖特基二极管漏电流过大不仅使其自身温升高，对于功率电路来说也会影响其效率，不同反向电压下的漏电流是不同的，关系
2018-12-14 14:03:06
影响产生漂移，叫做少子漂移。 慢慢的空间电荷区就稳定了。总结来说多子运动叫做扩散运动，少子运动就是漂移运动，当两种运动达到动态平衡就产生了PN结。在PN结加上相应的电级引线和管壳，就构成了半导体二极管
2023-03-03 17:11:13
我的问题在于功率开关管的外围电路（没有在图上画出）原理希望大家赐教！ 现在我的电路中，一个51欧姆的电阻与一个二极管并联，二极管的正极连接着+40V，二极管的负极（并联节点的外面）还串接一个
2020-04-21 21:29:44
我发现现在大家在选型这个二极管的时候，一般都是采用那种快恢复的二极管，有些场合明明不需要高速的快恢复二极管，但是大家也一样的采用了，看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了？
2019-05-16 00:12:23
请问贴片电阻，贴片电容，贴片二极管，稳压二极管，MOS管，MOSFET和封装形式有那些呢？请一一说明，谢谢各们大师哦！！！
2020-11-13 14:54:46
电压。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。更多的人则了解PN结的伏安特性，即PN结压降与正向电流关系呈对数关系
2019-10-12 15:12:19
测量的电压是齐纳电压。假设反向偏置电流不超过器件的热限制，二极管可以承载大量电流，同时在负载两端保持稳定的电压。六、雪崩击穿和齐纳击穿的差异雪崩击穿是由耗尽区电子之间的碰撞引起的，而齐纳击穿是由高电场
2023-02-02 16:52:23
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