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• 如何去实现一种肖特基整流二极管的设计？

  肖特基整流二极管具有工作频率高、工作电流大、正向压降低、反向漏电小、可靠性高等特点，广泛用于开关电源及功率变换器中。...

  1404次阅读 · 0评论 开关电源整流二极管变换器肖特基二极管VBR
  

• SCR放电管瞬态特性器件晶格温度

  晶闸管（SCR）由于其深回滞输出特性曲线，低导通电阻，高ESD泄流能力的特点，在ESD保护中得到越来越广泛的应用。...

  1150次阅读 · 0评论 晶闸管ESD保护SCRNPN晶体管触发器
  

• TVS二极管的PCB布局技巧

  今天是关于：TVS二极管的PCB布局技巧。...

  1621次阅读 · 0评论 二极管ESDpcb保护电路TVSPCB布局
  

• IGBT模块的常规检查以及常见故障问题维修方法

  IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；...

  8594次阅读 · 0评论 RCD吸收电路二极管MOSFET变频器IGBT模块

• 模数转换器ADC1001CCJ特性概述

  模数转换器ADC1001CCJ特性概述 ADC1001CCJ是一款12位精度、1MSPS速率的模数转换器。ADC1001CCJ具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够满足各种复杂环境下的应用需求。 其主要技术参数包括： 1. 分辨率：12位 2. 采样速率：1MSPS 3. 工作电压范围：4.5V至5.5...

  1348次阅读 · 0评论 adc模数转换器
  

• BLDC电机常用IGBT：适用各类家电优选IGBT单管

  BLDC电机不管在工业用还是家用领域的渗透率都在持续提升，除传统的电动工具、吸尘器、小家电外，还有汽车、电动两轮车、高速风筒等都是不断在提升的。...

  1098次阅读 · 0评论 电机驱动IGBT驱动电路快恢复二极管BLDC电机
  

• 超结MOSFET开关特性2-理想二极管模型

  寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电，而电容的充放电需要一定时间...

  1586次阅读 · 0评论 MOS管电源电压寄生电容VDS理想二极管
  

• IGBT双脉冲仿真—片内寄生电感的影响

  阶段1(0—t1)：在此阶段，栅极电流开始对栅电容CGE充电，但是VGE<Vth，沟道未开启。...

  1579次阅读 · 0评论 仿真器IGBT续流二极管寄生电感VDD
  

• SCR放电管瞬态特性

  晶闸管（SCR）由于其深回滞输出特性曲线，低导通电阻，高ESD泄流能力的特点，在ESD保护中得到越来越广泛的应用。...

  2360次阅读 · 0评论 电阻器晶闸管SCRNPN晶体管ESD保护电路
  

• SCR低压触发放电管设计

  低压触发区峰值浓度位置对常温IV特性的影响...

  875次阅读 · 0评论 晶闸管SCRPNP晶体管触发器ESD保护电路
  

• 超结MOSFET的开关特性

  寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电，而电容的充放电需要一定时间，其开关速度要受器件的寄生电容限制。...

  1188次阅读 · 0评论 MOS管电源电压VDS电容充放电寄生电容器
  

• IGBT短路特性

  IGBT是双极型三极管和MOS管结合在一起的产物，双极型三极管具有低频（10KHz以下）大电流能力，MOSFET具有高频（100KHz以上）小电流特点。...

  1023次阅读 · 0评论 三极管MOSFETMOS管IGBT续流二极管
  

• IGBT稳态输出特性及其工作原理

  IGBT是双极型三极管和MOS管结合在一起的产物，双极型三极管具有低频（10KHz以下）大电流能力，MOSFET具有高频（100KHz以上）小电流特点。...

  2820次阅读 · 0评论 三极管IC设计MOS管IGBT续流二极管
  

• IGBT开通特性简析

  采用TCAD器件仿真和工艺仿真软件对芯片进行结构仿真、特性仿真、电场分布仿真和工艺仿真。...

  2143次阅读 · 0评论 振荡器emiIGBT单晶硅电池TCAD
  

• 森国科推出最小封装碳化硅二极管 具备高浪涌电流和雪崩能力

  TO-220-2L封装散热效果最佳，但是相对来说占用空间； TO-252-2L封装具备优秀的散热能力，体积上也有一定的优势，在应用场景上的利用率较高。...

  1198次阅读 · 0评论 二极管pcb电解电容碳化硅宽禁带半导体
  

• 达林顿晶体管输出特性仿真过程

  硅双极型晶体管、晶闸管及其衍生器件具有电导调制效应，可改善大电流情况下的饱和压降，降低其通态损耗。...

  873次阅读 · 0评论 晶闸管晶体管达林顿晶体管功率晶体管
  

• 达林顿晶体管仿真设计案例分享

  硅双极型晶体管、晶闸管及其衍生器件具有电导调制效应，可改善大电流情况下的饱和压降，降低其通态损耗。...

  852次阅读 · 0评论 晶闸管仿真器晶体管达林顿晶体管
  

• 功率二极管的正向导通特性

  根据实际电参数指标要求，在25℃室温情况下，当测试电流IR=5μA时，器件反向重复峰值电压（VRRM）需高于1200V。...

  1223次阅读 · 0评论 串联电阻功率二极管电阻器单晶硅片vrrm
  

• 不同类型的二极管介绍

  二极管是用作单向开关的两端电子设备/组件，即它们只允许电流沿一个方向流动。这些二极管使用硅、锗和砷化镓等半导体材料制造。...

  5773次阅读 · 0评论 二极管半导体逆变器小信号PN结
  

• 数字后端基本概念介绍—FinFET Grid

  今天要介绍的数字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一种设计格点。介绍该格点前，我们首先来了解一下什么是FinFET技术。...

  2389次阅读 · 0评论 CMOS技术场效晶体管FinFET技术
  
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