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• 模电基础知识总结

  基尔霍夫电流定律：在电路任一节点，流入、流出该节点电流的代数和为零。...

  4373次阅读 · 1评论 三极管滤波器放大电路模电负反馈
  

• MOSFET场效应晶体管设计基础

  MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。...

  5925次阅读 · 0评论 MOSFET场效应晶体管TTL电平电容充放电PMOS管
  

• 晶闸管(可控硅)极性的判断方法

  在讲晶闸管怎么测好坏之前，先给大家讲一下晶闸管（可控硅）极性的判断方法。...

  13348次阅读 · 0评论 可控硅晶闸管极性栅极
  

• 电工基础知识入门详解

  直流电路是指电流方向不变的电路，电源可以是电池或直流发电机。直流电路中的电器元件包括电阻、电容、电感等。 交流电路是指电流方向不断变化的电路，电源可以是交流发电机。...

  4413次阅读 · 0评论 电路图电容电感晶体管电器元件
  

• 研究一个被工程师忽视的二极管钳位保护电路

  二极管，作为一个基本的电子元器件，在许多电子电路系统项目中均有所应用；...

  819次阅读 · 0评论 二极管单片机保护电路连接器GND
  

• 三极管的三区含义介绍

  引言：BJT内部含有两个背靠背，互相影响的PN结，当这两个PN结的偏置条件（正偏还是反偏）不同时，BJT将呈现出不同的特性和功能，对应四种工作状态：放大、饱和、截止、倒置。...

  3007次阅读 · 0评论 三极管二极管NPN晶体管偏置电压BJT管
  

• 如何计算IGBT的损耗和结温呢？

  IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。...

  14454次阅读 · 0评论 电感器IGBT三相逆变器SPWM控制直流母线电压
  

• IGBT通态漂移区少子分布仿真分析

  对于对称IGBT结构，N基区宽度为200μm，通态集电极电流密度为100Acm-2，P+集电区/N基区结处空穴浓度(P0)，计算得到空穴载流子密度。...

  1111次阅读 · 0评论 仿真器IGBT集电极电流
  

• 真双极性输入、全差分输出ADC驱动器电路设计方案

  数据采集和通用测试测量设备中使用的精密信号链必须适应宽广的输入电平范围。信号链可能需要提供高输入阻抗，同时支持增益和衰减，并调整共模电平以确保信号落在ADC的适当输入范围内。...

  1679次阅读 · 0评论 放大器滤波器驱动放大器ADC驱动器
  

• 碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比

  碳化硅的禁带宽度是硅的2-3倍，在高温下电子不易发生跃迁，可耐受更高的工作温度，且碳化硅的热导率是硅的4-5倍，使得器件散热更容易，极限工作温度更高。耐高温特性可以显著提升功率密度，同时降低对散热系统的要求，使终端更加轻量和小型化。...

  20985次阅读 · 0评论 MOSFETSiC碳化硅射频器件碳化硅二极管
  

• 低成本，低功耗仪表放大器AD623电路设计案例

  AD623是一款具有轨至轨功能的仪表放大器。它还以 550nA 的极低电流运行，使其适合电池供电的应用。 仪表放大器：仪表放大器是一种差分放大器，其输入引脚连接有缓冲放大器。这消除了阻抗匹配的需要，从而使其实际上适用于测量和测试设备。...

  5143次阅读 · 0评论 放大器运算放大器晶体管仪表放大器ad623
  

• Littelfuse的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件介绍

  在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。...

  1145次阅读 · 0评论 MOSFET开关电源逆变器电机驱动DCB
  

• 一文解析IGBT结构、原理、电气特性

  IGBT : 是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。 编辑：黄飞...

  2458次阅读 · 0评论 MOS管IGBT晶体管电驱系统
  

• igbt和mos管的区别

  MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上的固态半导体器件，且都属于电压控制器件。...

  5890次阅读 · 0评论 MOSFET驱动器逆变器IGBT电压控制器
  

• 列举一些常见的PMOS管应用

  MOSFET作为OBC，电调，BMS和Charger，各类数字电源的核心功率器件，想必大家是耳熟能详了。...

  7967次阅读 · 0评论 MOSFET正激电源钳位电路PMOS管电池保护器
  

• 氮化硅陶瓷基板生产工艺 氮化铝和氮化硅的性能差异

  氮化铝具有较高的热导性，比氮化硅高得多。这使得氮化铝在高温环境中可以更有效地传导热量。...

  2999次阅读 · 0评论 陶瓷基板氮化铝基板氮化硅

• IGBT模块中NTC的应用指南

  热设计是电力电子系统设计中重要的一环，其中电力电子器件结温是一个最重要的参数。...

  9127次阅读 · 0评论 热敏电阻散热器IGBT模块DCB直流电压源
  

• 高k栅介质NMOSFET远程声子散射对沟道迁移率的影响

  器件沟道长度为1μm，HFO2栅介质厚度为4.88nm；SiO2栅介质厚度为2nm；P衬底掺杂浓度4E15cm^-3；栅电极为铝金属。...

  1638次阅读 · 0评论 晶体管TDD漏电流MOSFET管
  

• 氧化铝和电解铝有什么区别 电解铝和氧化铝的用途

  氧化铝是一种化学化合物，由铝和氧元素组成，化学式为Al2O3。它是一种非导电的陶瓷材料，具有高熔点、高硬度和优异的耐腐蚀性。氧化铝广泛应用于陶瓷制品、磨料、催化剂、绝缘材料等领域。在工业上，氧化铝常用于制备金属铝的原料。...

  20652次阅读 · 0评论 功率器件电解铝氧化铝

• 非对称晶闸管阴极短路点设计

  该产品主要具有正向阻断电压高、高温漏电流小、饱和压降低、开通门限电压高、阳极脉冲峰值电流大、断态阳极电压上升率（dv/dt）高、开通阳极电流上升率（di/dt）高、抗辐射能力强等特点。...

  1172次阅读 · 0评论 三极管晶闸管NPN晶体管漏电流PNP管
  
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