完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
电子发烧友网技术文库为您提供最新技术文章，最实用的电子技术文章，是您了解电子技术动态的最佳平台。
8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和输运效率问题。...
功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。...
该产品主要具有正向阻断电压高、高温漏电流小、饱和压降低、开通门限电压高、阳极脉冲峰值电流大、断态阳极电压上升率（dv/dt）高、开通阳极电流上升率（di/dt）高、抗辐射能力强等特点。...
该产品主要具有正向阻断电压高、高温漏电流小、饱和压降低、开通门限电压高、阳极脉冲峰值电流大、断态阳极电压上升率（dv/dt）高、开通阳极电流上升率（di/dt）高、抗辐射能力强等特点。...
IGBT单胞结构参数：沟道长度4.3μm，沟道宽度2E4μm，多晶硅区半宽度13μm，窗口区半宽度12μm...
在学习运放选型前，我们需要先来透测的学习运放电路的内部结构和原理，对于我们来说是模拟电路中十分重要的元件，它能组成放大、加法、减法、转换等各种电路，我们可以运用运放的"虚短"和"虚断"来分析电路，然后应用欧姆定律等电流电压关系，即可得输入输出的放大关系等。...
同等电流情况下，一是可以选择更低压降的肖特基，可以保证VF稍微低0.2-0.3V，可以保证功耗情况下，比如选择雷卯的SS34LVFA 压降为0.3V。...
具体的锗二极管参数可能会因不同的制造商和型号而有所差异。在选择和使用锗二极管时，建议参考具体型号的规格表，并根据应用需求选择合适的参数。...
切割出片数量方面，以2英寸、5mm的氮化镓晶锭为例，在切割指定厚度为400微米的衬底时，KABRA工艺可切11片，相比之下出片数量增加了37.5%。...
IGBT的开关特性是通过对门极电容进行充放电来控制的，实际应用中经常使用＋15V的正电压对IGBT进行开通，再由-5V…-8V…-15V的负电压进行关断。...
车规级功率器件未来发展趋势 材料方面: SiC和GaN是必然趋势，GaAs在细分领域有可能 ●封装方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●评测方面:多应力综合测试方法、新型结温测试方法和技术 ●进展方面:国产在赶超进口(参数和性能)，可靠性还需要时间沉淀...
前面章节，给大家介绍过运放增益带宽积GBW和-3dB带宽的概念，可以用来初步换算运放电路在某一增益下，所能达到的-3dB带宽是多少。但在实际应用中，为了保证所需带宽内增益尽可能平坦，我们不可能将-3dB带宽设置为我们的截止频率。...
今天我们来讨论一个三极管放大电路的问题，起因是在网上看到了一个“压控电流源模型”比“流控电流源模型”更好的说法...
砷化镓芯片的制造工艺相对复杂，需要使用分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）等专门的生长技术。而硅芯片的制造工艺相对成熟和简单，可以使用大规模集成电路（VLSI）技术进行批量制造。...
采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。...
砷化镓是一种半导体材料。它具有优异的电子输运性能和能带结构，常用于制造半导体器件，如光电器件和功率器件等。砷化镓的禁带宽度较小，使得它在电子和光学应用中具有重要的地位。...
关注我们的微信
下载发烧友APP
机器人发烧友
