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8英寸！第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展，产业化再进一步

标签：半导体工艺氧化镓 1998 0

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第四代半导体“氧化镓（Ga2O3）”材料的详解

【博主简介】本人系一名半导体行业质量管理从业者，旨在业余时间不定期的分享半导体行业中的：产品质量、失效分析、可靠性分析和产品基础应用等相关知识。常言：...

2025-09-24 标签：半导体氧化镓 3.9k 0

电流密度1 kA/cm²，二极管耐压比SiC大3倍！氧化镓器件商业化！

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近，康奈尔大学孵化的初创企业Gallox semiconductors成功入选 Activate Fellowshi...

2025-09-06 标签：SiC 氧化镓 6.8k 0

氧化镓破局！江苏拓能半导体科技有限公司工业电机驱动系统著作权落地，解锁高效节能新范式

2025年8月25日，江苏拓能半导体科技有限公司（以下简称“江苏拓能”）自主研发的 “氧化镓半导体在工业电机驱动应用系统（V1.0）” 正式获得软件著作...

2025-09-05 标签：芯片 MOSFET 氧化镓 731 0

氧化镓器件的研究现状和应用前景

在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。泰克中国区技术总监张欣与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状...

2025-04-29 标签：半导体氧化镓泰克科技 950 0

我国首发8英寸氧化镓单晶，半导体产业迎新突破！

2025年3月5日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布，成功发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。这一重大突破不仅标志着我国在超宽...

2025-03-07 标签：半导体芯片封装氧化镓 2.2k 0

氧化镓衬底表面粗糙度和三维形貌，优可测白光干涉仪检测时长缩短至秒级！

传统AFM检测氧化镓表面三维形貌和粗糙度需要20分钟左右，优可测白光干涉仪检测方案仅需3秒，百倍提升检测效率！

2025-02-08 标签：表面粗糙度氧化镓白光干涉仪 909 0

中国第四代半导体技术获重大突破:金刚石与氧化镓实现强强联合

2025年2月13日凌晨，中国科技界迎来一则重磅消息：吉林大学刘冰冰教授团队联合中山大学朱升财教授，在国际顶级期刊《Nature Materials》上...

2025-02-18 标签：半导体金刚石氧化镓 4.8k 0

第四代半导体新进展：4英寸氧化镓单晶导电型掺杂

电子发烧友网综合报道最近氧化镓领域又有了新的进展。今年1月，镓仁半导体宣布基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法...

2025-02-17 标签：氧化镓 1.2k 0

镓仁半导体成功实现VB法4英寸氧化镓单晶导电掺杂

VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂 2025年1月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用...

2025-02-14 标签：导电氧化镓 818 0

关于超宽禁带氧化镓晶相异质结的新研究

【研究梗概】在科技的快速发展中，超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUS...

2025-01-22 标签：异质结氧化镓 1k 0

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　　限流电阻是由电阻串联于电路中，用以限制所在支路电流的大小，以防电流过大烧坏所串联的元器件。同时限流电阻也能起分压作用。
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钠离子电池是一种二次电池（充电电池），主要依靠钠离子在正极和负极之间移动来工作，与锂离子电池工作原理相似。钠离子电池使用的电极材料主要是钠盐，相较于锂盐而言储量更丰富，价格更低廉。由于钠离子比锂离子更大，所以当对重量和能量密度要求不高时，钠离子电池是一种划算的替代品。
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