本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制作P型半导体。学习氧化镓仿真初期
2023-11-27 17:15:09
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成国内首条集晶体生长、晶体加工、薄膜外延于一体的氧化镓完整产业线。行业分析人士表示，氧化镓是第四代半导体材料，在市场对性能好、损耗低、功率密度高的功率器件需求不断释放背景下，氧化镓市场发展潜力巨大
2023-03-15 11:09:59
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
的大多数器件不可避免要问的一个问题，而且通常问的是无源器件，比如滤波器、耦合器和天线。但随着微波真空管（如行波管（TWT））和核心有源器件（如硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管和氮化镓
2019-06-21 07:43:10
改进控制技术来降低器件功耗，比如谐振式开关电源。总体来讲，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合，功率电子器件已越来越多
2018-05-08 10:08:40
效率低下，发热严重。GaN HEMT(氮化镓晶体管)可以替代高压高频电动机应用中的MOSFET和IGBT器件，这类参数比较宽的半导体器件为大功率密度电动机开辟了新的应用领域，它们可以处理更高的电压、电流
2019-07-16 20:43:13
本帖最后由 tmm0717 于 2021-5-21 17:51 编辑
1、产品型号：ETA4054-SOT23-52、应用产品：电子玩具、蓝牙耳机、锂电保护3、产品特点：高耐压16V4、联系：***
2021-05-21 17:47:35
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
充电器变得高效起来，发热更低，体积也缩小便于携带，推进了百瓦大功率充电器的普及，也改变了人们对大功率充电器的印象。但是氮化镓器件对栅极驱动电压要求非常敏感，并且对布线要求也很高，这也导致了应用门槛较高
2021-11-28 11:16:55
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
`MACOM以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的射频功率半导体产品，支持频率从DC到6GHz。高功率晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、广播、工业、科研和医疗领域。MACOM的产品线借助于
2017-08-14 14:41:32
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
硅RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，在3.8GHz范围内具有满足WiMAX基础设施的输出功率和线性性能。飞思卡尔面向工业、科学以及医疗(ISM)应用的高电压HV7工艺支持48V工作电压
2019-07-05 06:56:41
硅RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，在3.8GHz范围内具有满足WiMAX基础设施的输出功率和线性性能。飞思卡尔面向工业、科学以及医疗(ISM)应用的高电压HV7工艺支持48V工作电压
2019-07-09 08:17:05
因为，为了应对全球共通的 “节能化”和“小型化”课题，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近经常听到的“功率元器件”，具体来说是基于什么定义来分类的呢？恐怕是没有一个明确的分类的，但是，可按以高电压大功率
2018-11-28 14:34:33
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21:55
相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V～数千V的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成，因此采用SiC可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。理论上
2019-07-23 04:20:21
技术而成功研发，并实现了量产化。 另外，伴随着功率元器件的高耐压化，还开发了外围使用的新系列电阻产品，即高耐压电阻KTR系列。以往在高电压发生部位（例：相机的闪光灯用电压部，使氙气型闪光灯瞬时产生
2018-09-26 09:44:59
作为高等院校脉冲功率技术专业师生的教学参考书。目录绪论0.1高功率脉冲电源的进展0.2能量压缩的基本概念0.3高功率脉冲电源概述参考文献第一章 电容储能高功率脉冲电源1.1引言1.2电容器组放电技术
2018-04-11 19:18:50
简介这篇文章阐述了一种被飞思卡尔使用的高功率射频功放的热测量方法。半导体器件的可靠性和器件的使用温度有很大的关系，因此，建立使用了高功率器件的系统的可靠性模型，这些高功率器件的精确的温度特性非常关键。
2019-06-27 07:52:25
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。氮化镓器件的瞬时
2019-07-08 04:20:32
阻，电容器，肖特基势垒二极管以及电感等少量的外置元器件，可简单地构建高性能的高耐压DC/DC转换器。因为是电流模式控制，所以，相位补偿简单，可获得高速的瞬态响应。开关频率可在50kHz～750kHz
2018-12-05 10:00:48
的材料特性，各自都有各自的优点和不成熟处，因此在应用方面有区别 。一般的业界共识是：SiC适合高于1200V的高电压大功率应用；GaN器件更适合于40-1200V的高频应用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
E5270-6- 使用外部直流电源评估高功率器件
2019-09-12 06:47:42
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
基于UC3854B的高功率因数电源的研制
2012-05-21 17:30:37
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
高耐压降压型电源芯片ZCC2451完全替代MP2451 产品特点：·230uA工作静态电流·3.3 V至36 V宽工作电压范围·500mΩ的内部功率MOSFET·2 MHz固定开关频率·无采样电阻的精密电流限制·> 90%的效率·输出从+ 0.8 V到0.8 x Vin可调·低关机模式电流:
2020-01-16 13:40:13
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件，其性能仅为碳化硅（SiC）的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试，该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
射频放大器的首选器件。随着IC集成度的提高及器件特征尺寸的减小，栅氧化层厚度越来越薄，其栅的耐压能力显著下降，击穿电压是射频LDMOS器件可靠性的一个重要参数，它不仅决定了其输出功率，还决定了器件的耐压
2019-07-31 07:30:42
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-05 10:01:25
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
通过低内阻和高开关速度，减小了损耗，降低了散热要求。变压器的缩小，以及无需散热措施，氮化镓的应用大幅减小了充电器的体积。锂电池作为现代便携设备的主要能量来源，出货量非常巨大。随着现在手机和平板大功率快充
2023-02-21 16:13:41
SiC功率器件和高温器件（包括用于喷气式引擎的传感器）。西屋公司已经制造出了在26GHz频率下工作的甚高频的MESFET。ABB公司正在研制高功率、高电压的SiC整流器和其他SiC低频功率器件，用于工业和电力系统。
2019-03-03 07:00:00
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
、开关速度和可靠性都在不断提高。这些器件已成功解决低电压(低于100伏)或高电压容差(IGBT和超结器件)中的效率和开关频率问题。然而，由于硅的限制，因此无法在单个硅功率FET中提供所有这些功能。宽带隙
2018-11-20 10:56:25
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
满足军方对小型高功率射频器件的需求，WBST 计划在一定程度上依托早期氮化镓在蓝光 LED 照明应用中的成功经验。为了快速跟踪氮化镓在军事系统中的应用，WBST 计划特准计划参与方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
不易损伤，不燃性结构涂装3、选用高品质瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型电阻氧化膜电阻的缺点 氧化膜电阻在直流下容易发生电解使氧化物还原，性能不太稳定。耐压较低。用真空镀膜或者阴极溅射工艺，将
2013-07-15 16:49:07
、电流大。IGBT有望用于直流电压为1500V的高压变流系统中。目前，已研制出的高功率沟槽栅结构IGBT(Trench IGBT)是高耐压大电流IGBT器件通常采用的结构，它避免了模块内部大量的电极引线
2017-11-07 11:11:09
（甚至接近GTR的饱和压降）、耐压高、电流大。IGBT有望用于直流电压为1500V的高压变流系统中。目前，已研制出的高功率沟槽栅结构IGBT(Trench IGBT)是高耐压大电流IGBT器件通常采用
2017-05-25 14:10:51
不易损伤，不燃性结构涂装3、选用高品质瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型电阻氧化膜电阻的缺点 氧化膜电阻在直流下容易发生电解使氧化物还原，性能不太稳定。耐压较低。用真空镀膜或者阴极溅射工艺，将
2013-07-15 16:47:00
电子模拟功率负载的研制
2012-08-15 13:57:25
硅效率在该应用中非常差。由于测量到的高缓冲功率水平，超快硅测试仅限于低功率。砷化镓和碳化硅缓冲功率表现出类似的行为，表明砷化镓有限Trr引起的额外损耗在很大程度上被SiC器件较高的原生电容所抵消。图
2023-02-22 17:13:39
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
氧化物半导体（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射频器件更能有效满足5G的高功率、高通信频段
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
继电保护测试仪用高电压功率放大电路的研制，大功率 高带宽电压！！！
2013-07-16 13:04:25
原理下，随着微细加工技术的发展，实现了开关更加高速、大规模集成化。在功率元器件领域中，微细加工技术的导入滞后数年，需要确保工作电压的极限(耐压)并改善模拟性能。但是，通过微细化可以改善的性能仅限于100V
2019-07-08 06:09:02
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
功率密度33W PD解决方案: MK2787/MK2788特性介绍:高耐压: MK2788 110V Vcc 耐压，无需稳压电路低应力: 专利软驱技术，有效降低原副边功率管应力高集成度: 集成650V
2021-11-12 11:53:21
的晶体管”。 伊斯曼和米什拉是对的。氮化镓的宽带隙（使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量）和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化镓是固态射频功率应用领域
2023-02-27 15:46:36
将功率MOSFET外置的DC/DC转换器控制器IC和高耐压MOSFET相组合，可以构成高耐压DC/DC转换器。然而，非单体元器件、而是作为一个IC实现80V的高耐压，则需要高超的制造工艺技术。用于制造
2018-12-03 14:44:01
功率。导通电阻为30毫欧姆的硅MOSFET或氮化镓HEMT（高电子迁移率晶体管）单元也会耗散相同的功率，正如前面所述。如今，1200 V的器件很容易达到这一数字，比如额定电流为60A、裸片电阻为20毫
2023-02-05 15:16:14
VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一个管芯包括几千个元胞
2009-12-21 10:52:24
40 除了少部分其他应用之外, 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率管理系统中几乎都用作开关。这种应用引发了大量的MOSFET技术创新，并为满足应用的需要推出种类繁多的
2006-03-11 13:44:18611 
一种低高度高耐压继电器的研制 1 引言
根据IEC335《家用及类似用途电器的安全》、IEC730《家用及类似用途电自动控制器的
2009-12-08 09:23:15771 基于LPC2119的微弧氧化电源控制系统的研制
摘 要:本文介绍了一种自行研制的微弧氧化电源控制系统，硬件部分采用philips公司的基于ARM的LPC2119处理器代替传
2010-01-12 09:31:482067 
近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 设计指南-热功率器件设计中的几点思考
2018-06-23 11:00:003239 白板向导-热功率器件设计中的几点思考视频教程
2018-06-26 07:35:004008 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。
2018-09-30 14:36:333921 西安电子科技大学微电子学院周弘副教授总结了目前氧化镓半导体功率器件的发展状况。着重介绍了目前大尺寸衬底制备、高质量外延层生长、高性能二极管以及场效应晶体管的研制进展。同时对氧化镓低热导率特性的规避提供了可选择的方案，对氧化镓未来发展前景进行了展望。
2019-01-10 15:27:1015118 
从器件的角度来看， Ga 2 O 3 的Baliga品质因子要比SiC高出二十倍。对于各种应用来说，陶瓷氧化物的带隙约为5eV，远远高于SiC和GaN的带隙，后两者都不到到3.5eV。因此，这种陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作电压，导通电阻也更低。
2020-10-12 15:58:034956 FLOSFIA 的氧化镓功率器件使用一种称为α-Ga2O3的材料。氧化镓具有不同晶形的β-Ga2O3，结构更稳定。然而，由于α型在带隙等特性方面优越（Si的带隙值(eV) 为1.1，SiC为3.3， Ga2O3为5.3 。
2022-07-28 11:22:551281 功率器件的选择要根据应用环境、工作条件和性能要求等因素进行综合考虑。首先，要考虑功率器件的工作温度范围，以确定功率器件的耐温性能。其次，要考虑功率器件的电压等级，以确定功率器件的耐压性能。此外，还要考虑功率器件的封装形式，以确定功率器件的散热性能。最后，要考虑功率器件的成本，以确定功率器件的性价比。
2023-02-16 14:11:10419 间的气体空隙，减小界面接触热阻，因而在功率器件热管理中发挥着重要的作用。本文综述了近年来国内外热界面材料的研究进展，包括单一基体的热界面材料、聚合物基复合热界面材料和
2022-11-04 09:50:18896 
碳化硅功率器件主要应用于新能源车的电驱电控系统，相较于传统硅基 功率半导体器件，碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备许多明显的优势，有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 三菱电机公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司，氧化镓晶圆是一个很有前途的候选者。三菱电机打算加快开发优质节能功率半导体，以支持全球脱碳。
2023-08-08 15:54:30301 
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