/3.5A半桥驱动器是最新发展成果。结合新功能与改进的工作范围，UCC27282具有全新水平的性能表现，以提高电源模块的稳健性，并在优化功率级设计方面提供更大的灵活性。本应用指南将概述UCC27282相对于上一代驱动器的优势，优化设计并增强稳健性。
2019-08-01 07:20:54
AOZ3017的典型应用是高效，简单易用的4A同步降压稳压器。 AOZ3017的输入电压范围为4.5至18V，可提供高达4A的连续输出电流，输出电压可调至0.8V
2020-07-27 09:20:31
NJW4800 - 30V/4A Half Bridge Driver - New Japan Radio
2022-11-04 17:22:44
半桥驱动器IR2103和IR2101S有什么区别吗？可以代替IR2001S吗？
2017-04-28 11:10:05
光耦合隔离器不会产生这种情况。为缓冲器供电的最直观的方法，是为半桥的每一个浮动区域提供专用的隔离式DC-DC转换器。对于多引脚系统，低端栅极驱动器可以共享一个电压源，只要有足够的电流输出即可，如图2中
2018-10-16 13:52:11
电路图显示LTM4604，使用低电压高电流降压稳压器的电源提供2.5V或4A
2020-05-14 09:13:53
为低电压时吸收大电流的可能性。将POT引脚上的电位器（P1）顺时针旋到底，初步设定输出电流约为4A的最小电流。要获得所需电流水平，可将LED+和LED-引脚短接，然后使用电流探头并旋转电位器（P1
2014-04-11 22:20:02
型号参数：产品名称规格型号适配功率额定电流通用型驱动器HVEC-VC-00323H-M-E0.4-0.75KW3A通用型驱动器HVEC-VC-00623H-M-E1.5KW6A通用型驱动器
2021-06-28 09:45:40
描述PMP5739 是通用线路版的 PMP5715。通过 PFC TM 升压和 LLC 级提供 21V...26V @ 4A 恒流，适用于 LED 面板驱动。通过连接至输出绕线的电流互感器关闭环路。灯串开路保护由光耦合器和稳压二级管来实现
2018-12-10 15:37:11
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥
2022-01-04 14:16:57
DC1900A，演示板采用LTM4644四路4A输出，14VIN降压模块稳压器，高性能高效四路输出降压稳压器。 LTM4644EY的工作输入电压范围为4V至14V，每相可提供高达4A的输出电流
2019-07-19 08:57:54
特征 •三个1/2小时桥式驱动器IC –三相无刷直流电机 –电磁阀和有刷直流电机 •高电流驱动能力：2.5-A峰值 •低MOSFET导通电阻 •独立1/2 H桥控制 •非承诺比较器
2020-07-10 14:23:52
) 电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为 350 mA/650 mA，适用于各种各样的半桥和全桥逆变器。广泛应用于SMPS 电机驱动变频器 荧光灯镇流器 HID镇流器等多种领域
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款单片半桥栅极驱动 IC，设计用于高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +1200 V。 HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能
2021-12-20 09:19:25
概述：IR2111是International Rectifier公司生产的一款半桥驱动器，它为双列直插或贴片8脚封装。驱动电压10-20V，电流（IO+/-）200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
集成了过电流检测电路（OCD）。该电路可用于提供对地短路或对地短路的保护桥的两相以及负载电流的粗略调节。用这个内部过电流检测，通常使用的外部电流检测电阻器及其消除了相关的功耗。图9显示了桥A的过电流检测
2020-07-21 15:41:25
编辑：llMB6S-ASEMI高档品质LED驱动器电源适配整流桥型号：MB6S品牌：ASEMI封装：MBS-4电流：1A电压：1000V正向电压：1.10V引脚数量：4芯片个数：4芯片尺寸
2021-12-28 06:32:41
LED驱动器通用要求是什么？LED驱动电源的拓扑结构LED驱动器的校准要求？
2021-04-12 06:21:19
■ 产品概述LN4318 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的 250V高压三相栅极驱动器，具有三路独立的高低边输出，可以用来驱动半桥电路中的高压大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
MP18851 是一款隔离式独立双通道栅极驱动器解决方案，它具有高达 4A 的拉灌峰值电流能力，专用于驱动具有短传播延迟和脉宽失真的功率开关器件。通过利用MPS 专有的电容隔离技术，该驱动器能够以
2022-09-30 13:47:21
的控制。这允许进行高压侧、低压侧和H桥控制。H桥控制提供正向、反向、制动和高阻抗状态。驱动器通过逻辑电平输入进行控制。特性：•睡眠模式下的超低静态电流•电源电压低至5 V•2个高压侧和2个低压侧驱动器
2021-12-20 14:28:27
的上升和下降时间2A / 4A峰值源，灌电流配置门极驱动器马克斯·文（V）半桥频率（MHz）100伏上升时间（ns）33兆赫下降时间（ns）1个传播延迟（ns）1个最小输出脉冲宽度（ns）8停滞时间控制
2021-03-26 16:34:53
*高电压同步降压转换器 *两开关正激式转换器 *有源箝位正激式转换器*D 类音频放大器说明：SLM27211 驱动器是基于广受欢迎的 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高 至 4A 拉电流和 4A 灌
2020-10-19 12:03:41
`SLM27211CA-DG 120V 4A 高压边驱动芯片 代替UCC27211SLM27211是一种高频N通道MOSFET驱动器包含一个120V的自举二极管，低匹配延迟时间2ns. 高低边欠压
2020-12-12 15:34:19
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
下的虚假开关。对于这两个通道，该器件可以提供高达4A的强大栅极控制信号，其双输出引脚为栅极驱动提供了额外的灵活性。有源Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极峰。
2023-09-05 06:59:59
描述型号：TBM410封装：TBM-4特性：小电流、贴片整流桥电性参数：4A 1000V芯片材质：GPP正向电流(Io)：4A芯片个数：4正向电压(VF)：1.1V芯片尺寸：88浪涌电流Ifsm
2021-11-02 16:12:37
/3.5A半桥驱动器是最新发展成果。结合新功能与改进的工作范围，UCC27282具有全新水平的性能表现，以提高电源模块的稳健性，并在优化功率级设计方面提供更大的灵活性。本应用指南将概述UCC27282
2022-11-10 07:04:55
编辑：llKBL410-ASEMI适配高端电源整流桥型号：KBL410品牌：ASEMI封装：KBL-4电性参数：4A 1000V正向电流：4A反向耐压：1000V引脚数量：4芯片个数：4芯片尺寸
2021-12-30 06:19:30
• -40oC 到 125oC 的工作温度范围 SL27517 是单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑
2022-07-26 10:21:31
SL27511是单通道 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流的 高 速 低 侧 栅 极 驱 动 器 ， 可 以 高 效 安 全 地 驱 动MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件。低传播 延
2022-07-26 09:33:06
耦合器相比，具有速度优势。在图3中，采用的是一个脉冲变压器，其工作速度可以达到半桥栅极驱动器应用通常所需的水平（最高1 MHz）。栅极驱动器IC可用于提供容性MOSFET栅极充电所需的高电流。在此，栅极
2018-07-03 16:33:25
介绍了一个完整的 H 桥直流电机驱动器，它使用四个 IR3205 功率 MOSFET 和两个 IR2104 MOSFET 驱动器。理论上，上述 MOSFET 可以处理高达 80A 的电流，但在实践中，如果 MOSFET 温度保持尽可能低，使用大散热器甚至风扇，我们可以预期电流高达 40A。
2022-06-20 07:29:22
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
+下桥)。高耐压42V，大电流4.3A(峰值，实际应用中不超过40V,4A)。具有电源指示、控制输出指示LED灯。双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器实物截图：双全桥MOSFET驱动
2019-11-12 07:00:00
C2充电。当PWM信号保持为低电平时，Q2可保持开通状态，为电机提供刹车回路。 在半桥驱动电路和直流电机之间，串接的电流传感器将流入电机的电流量转换为电压值，提供给DSC的ADCINA0端口进行监测
2018-09-27 15:06:25
STEVAL-VNH5180A，基于VNH5180A的评估板提供专用功率级和控制，适用于电动直流电机驱动。该评估板预装了VNH5180A H桥，属于基于VIPower专有技术的VNH电机驱动器系列
2019-04-12 09:39:01
描述PMP10645 参考设计适合使用反激式电源来驱动半桥的 SM74101 mosfet 驱动器。SM74101 是一款体积很小的 7A mosfet 驱动器，支持 3A 拉电流和 7A 灌电流
2018-12-21 11:39:19
显示了IGBT的理想导通特性以及针对不同类型驱动器的相应栅极电流。在整篇文章中，仅考虑开启特性。 （A） 图片由Bodo的电力系统公司提供 （B） 图片由Bodo的电力系统提供 （C
2023-02-21 16:36:47
承受超过100 kV/μs的共模瞬变，而输出端不会出现数据扰乱问题(图7)。图7. 基于变压器的数字隔离器(CMTI为100 kV/μs，ADuM140x)隔离式半桥驱动器提供4 A峰值输出电流
2018-10-23 11:49:22
1 MHz)。栅极驱动器IC可用于提供容性MOSFET栅极充电所需的高电流。图3中的栅极驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边，该变压器副边有两个绕组，用于驱动半桥的各个栅极。使用脉冲变压器的一个优势
2018-10-16 16:00:23
的传播延迟较低、时序特性更精确，与光耦合器相比，具有速度优势。在图3中，采用的是一个脉冲变压器，其工作速度可以达到半桥栅极驱动器应用通常所需的水平（最高1 MHz）。栅极驱动器IC可用于提供容性
2018-09-26 09:57:10
怎么实现MOSFET的半桥驱动电路的设计？
2021-10-11 07:18:56
纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成 高压自举二极管 ，提供使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
求教各位大佬：MOSFET半桥驱动芯片空载时为什么HO和LO都没有输出波形？最近我在做D类放大，由于是分模块做的，半桥驱动芯片没有与mosfet相连，是空载。当我把pwm波输入半桥驱动芯片后，半桥驱动器HO和LO无输出。调试了半天也没发现问题。各位大佬如果知道的话，请指点下小弟。万分感谢！！！
2018-04-09 23:54:28
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
2021-09-14 07:29:33
驱动器在这些例子中，PWM 频率被设置为20kHz 以上的可听范围。下图显示了栅极驱动器提供的电流与驱动频率之间的关系。图3。通用驱动器 IREG 功能图和在不同 PWM 频率下维持六个35nC
2022-06-13 10:32:19
MS8844是瑞盟科技推出的一款直流驱动电路，提供四个可独立控制的半H桥驱动器。可被用于驱动直流电机，一个步进电机，4个螺线圈或者其他负载。每个输出驱动器通道包含采用半H桥配置的N通道功率
2021-08-25 14:28:12
设计将每个驱动器的接地端接至引脚，用来实现电流检测。内置一个通用比较器，可用来做电流限制电路或者其他功能电路。MS8847每个通道上提高达2.5A峰值电流或者1.75A均方根输出电流。该芯片具有过流保护
2021-09-10 10:04:05
L6390，用于工业应用的高压半桥栅极驱动器。三相功率级三L6390半桥栅极驱动器之一的应用电路
2019-07-08 12:28:25
v 额定 MOSFET 可能有一个总栅极电荷只有35 nC。为了确保支持全功率谱的工具阵容，设计人员必须调节平均 VREG 电流，驱动器可以提供给 MOSFET 的栅极，使 MOSFET 处于通态
2022-04-14 14:43:07
电机驱动器输出电流不够，可能由哪些原因造成，求助大家来指点一下。驱动器档位调节至2A,但实际电机运动时，电流只有0.3A左右。求助大家来讨论指点一下，谢谢啦。
2017-09-01 17:38:56
驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害
2019-12-06 13:13:21
。1EDI20I12MFXUMA1Infineon Technologies18+9800 门驱动器 DRIVER ICUCC27423QDGNRQ1Texas Instruments18+9800 门驱动器 AC Dual 4A
2018-08-02 09:39:35
有大神知道不用集成芯片搭建半桥驱动器的套路吗？最近看电瓶车控制器里的驱动模块没有类似半桥驱动器的芯片，应该是自己搭建的，网上看了看也没有类似的东西，来请教一下
2017-01-14 18:03:50
用的？？还有，如果驱动电机，使用IR的半桥驱动芯片还是用全桥驱动芯片，类似HIP4082，哪个更稳定一点？？谢谢大神们了！！！！
2017-04-20 10:50:47
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？
2021-06-17 06:45:48
EVAL-CN0196-EB1Z，H桥驱动器评估板，采用隔离式半桥驱动器。 CN0196是由高功率开关MOSFET组成的H桥，其由低压逻辑信号控制。该电路在逻辑信号和高功率电桥之间提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
驱动器。它接收PWM信号，具有高达0.5A或4A的拉/灌峰值电流能力。图 5 显示了 MP18871 的典型应用电路。图5: MP18871典型应用电路MP188xx系列产品优势MP188xx系列均
2022-09-30 14:05:41
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器
2022-12-14 14:43:02
具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 120 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:03
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器
2022-12-14 14:43:04
4-A、600V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
适用于同步降压高频 CPU 的汽车类 4A、28V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 28 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:06
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 110 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:06
适用于同步降压高频 CPU 内核电源应用的 4A、28V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 28 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:07
具有死区控制的 30V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 30 Power switch MOSFET Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:08
具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 27 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:09
具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 110 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:09
具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 110 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:10
具有 8V UVLO、负电压处理能力和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 110 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:10
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 3A、120V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 110 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:11
具有 8V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 24 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:12
具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 24 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:16
具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input VCC
2022-12-14 14:43:17
具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:18
具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:19
用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 30 Power switch MOSFET Input VCC (Min
2022-12-14 14:43:19
具有可调节稳压器、用于同相同步降压的 4A、29V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 29 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:22
4A 半桥双极开关 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V) 8 Input VCC (Max) (V) 35
2022-12-14 14:43:26
具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器
2022-12-20 15:04:43
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器
2022-12-20 15:04:51
UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
2023-02-17 15:33:25
TFB0504是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-19 13:36:17
新日本无线现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800，并已经开始投入生产了。该产品
2010-12-24 09:02:52
1224 LT3952A：带4A开关电流数据表的60V LED驱动器
2021-03-23 10:37:36
2 LT3952：带4A开关电流数据表的60V LED驱动器
2021-04-17 19:40:374 电子发烧友网站提供《汽车类高频 4A 灌电流同步 MOSFET 驱动器TPS28225-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 09:26:560 电子发烧友网站提供《高频 4A 灌电流同步 MOSFET 驱动器TPS28225数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 11:20:230
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