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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三电平虚拟评估板
新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三电平虚拟评估板该虚拟设计(提供设计文件,不提供实物产品)为3L-ANPC拓扑,是带隔离的三相...
近日,第四届功率半导体产业论坛在苏州召开,作为国际公认的测试、检验和认证机构,SGS受邀出席并发表《车规功率器件可靠性认证与SiC适用性探讨》主题演讲,...
2025 OktoberTech™精彩回顾一: CoolSiC™碳化硅新品发布, 性能指标领跑全行业
近日,英飞凌在上海举办的2025OktoberTech大中华区生态创新峰会在上海顺利落下帷幕。本次活动中,英飞凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新产品,...
近日,在第十八届SNEC PV展,深圳方正微电子(FMIC)首次以“SiC功率专家”的品牌形象成功亮相光储行业,向客户展示了第三代半导体SiC产品在智慧...
第三类半导体碳化矽(SiC)自 2023 年由中系业者打破过往料源产出瓶颈后,不仅打通了整个产业的上下游通道,实现供货顺畅且成本快速下降,同时也如同一面...
突破性能边界:基本半导体B3M010C075Z SiC MOSFET技术解析与应用前景
突破性能边界:基本半导体B3M010C075Z SiC MOSFET技术解析与应用前景 在高效能电力电子系统飞速发展的今天,碳化硅(Si...
SiC 市场的下一个爆点:共源共栅(cascode)结构详解
Cascode简介 碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)相比其他竞争技术具有一些显著的优势,特别是在给定芯片面积下的低导通电阻(称为RDS.A)。...
新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSF...
SiC战场转向国内?三款SiC MOSFET新品齐发,导通损耗再降50%
电子发烧友网报道(文/莫婷婷)碳化硅(SiC)MOSFET已成为功率半导体行业技术演进的重要方向。相比其他现有技术,SiC MOSFET在性能上展现出显...
为什么要选择采用TO-LL封装的意法半导体SiC MOSFET
采用TO-LL封装的意法半导体SiC MOSFET将第3代STPOWER SiC技术的固有特性与TO-LL封装出色的散热和电流性能集于一身。这些设计元素...
热泵与空调全面跨入SiC碳化硅功率半导体时代:能效革命与产业升级
热泵与空调全面跨入SiC碳化硅功率半导体时代:能效革命与产业升级 在“双碳”目标的驱动下,商用空调和热泵行业正经历一场静默却深刻的技术革命。碳化硅(Si...
理想汽车自研SiC团队成果:提高SiC MOSFET可靠性的方式
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)SiC在电动汽车上的大规模应用,到目前为止已经经历8年时间,行业已经称得上成熟。但作为一种半导体功率器件,由于SiC衬...
SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率半导体企业的崛起与技术突破 1.1 ...
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和三电平模块...
国产碳化硅MOSFET行业洗牌:SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰
国产SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰,与其视为行业危机,不如理解为市场机制的自我净化——当参数虚标、低质低价等乱象被清除,真正具备创新能力的企...
国产SiC碳化硅MOSFET功率半导体产业可复制的战略框架与方向指引
国产碳化硅(SiC)功率半导体企业成功验证了国产碳化硅企业从“替代进口”到“全球竞合”的可行路径。随着8英寸量产窗口临近,国产碳化硅(SiC)功率半导体...
中国SiC产业从政策扶持、技术攻坚到资本赋能的缩影。其发展揭示了中国半导体企业的共性路径:以IDM模式突破封锁,以成本优势抢占市场,以资本耐力换取技术时...
基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的产品力分析
从基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的产品力分析,中国SiC碳化硅MOSFET产业已实现显著进步,具体体...
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