0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三电平虚拟评估板

英飞凌工业半导体 2025-06-19 17:05 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

新品

采用CoolSiC 400V SiC MOSFET

ANPC三电平虚拟评估板

977bdcf8-4cec-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


该虚拟设计(提供设计文件,不提供实物产品)为3L-ANPC拓扑,是带隔离的三相三电平逆变器板。优化的PCB布局最大限度地减少了换流回路电感,降低了开关损耗和电压过冲。该设计是工程师和研究人员实验、验证和优化工业电机驱动器和光伏组串逆变器3L-ANPC系统的理想选择。


产品型号:

EVAL_10KW_3LANPC_SIC


所用器件:

IMT40R011M2H

BSZ099N06LS5

2EDF7275F

TLI4971-A120T5-E0001

XMC1302-T028X0200 AB

KIT_XMC_LINK_SEGGER_V1

KIT_XMC4400_DC_V1

CURSENSORPROGRAMMERTOBO1


产品特点

3L-ANPC拓扑测试平台

三相三电平ANPC功率板

隔离辅助电源

XMC4400驱动板接口

高精度无芯电流传感器

CoolSiC 400V - 无散热片设计

应用价值


效率高>99.5%,功率密度高

低电磁干扰

降低电压应力,提高使用寿命

灵活的电机控制算法

允许进行2-L修改以进行比较

通过散热器(可选)扩展功率范围


竞争优势


CoolSiC MOSFET 400V G2在3L-ANPC中的价值主张

400V SiC MOSFET用于三电平拓扑(ANPC),耐电压能力达800V(DC)

更高的VBUS电压可提高效率和功率密度,减少PCB铜层,并可以避免并联

多电平拓扑结构固有较低电流纹波可减小电感器尺寸

固有的较低dv/dt更好的电磁干扰性能

热量扩散到18个MOSFET上,实现更好的热管理


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    151

    文章

    10788

    浏览量

    234849
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3847

    浏览量

    70076
  • 评估板
    +关注

    关注

    1

    文章

    1034

    浏览量

    31320
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    SiC半桥模块构建2.5MW 功率输出的ANPC储能变流器 (PCS)

    倾佳杨茜-储能方案:SiC半桥模块构建2.5MW 功率输出的ANPC储能变流器 (PCS)  基本半导体 1200V/540A SiC MOSFET
    的头像 发表于 02-27 22:37 657次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b>半桥模块构建2.5MW 功率输出的<b class='flag-5'>ANPC</b>储能变流器 (PCS)

    新品 | Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC™ 750V MOSFET评估

    新品Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC750VMOSFET评估EVAL_QDPAK_FB_V2_1
    的头像 发表于 01-29 17:07 1365次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | Q-DPAK封装的碳化硅<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 750<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>评估</b><b class='flag-5'>板</b>

    新品 | 碳化硅SiC 5.5kW相交错并联LLC谐振变换器评估

    新品碳化硅SiC5.5kW相交错并联LLC谐振变换器评估EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC
    的头像 发表于 01-26 18:42 628次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> 5.5kW<b class='flag-5'>三</b>相交错并联LLC谐振变换器<b class='flag-5'>评估</b><b class='flag-5'>板</b>

    新品 | CoolSiCMOSFET 400V与440V第二代器件

    新品CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与
    的头像 发表于 12-31 09:05 764次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>400V</b>与440<b class='flag-5'>V</b>第二代器件

    1200V CoolSiCMOSFET评估平台:深入解析与使用指南

    1200V CoolSiCMOSFET评估平台:深入解析与使用指南 在电力电子领域,准确评估MOSF
    的头像 发表于 12-21 10:50 864次阅读

    1200V CoolSiCMOSFET评估平台:设计与应用全解析

    1200V CoolSiCMOSFET评估平台:设计与应用全解析 作为电子工程师,我们总是在寻找性能更优、效率更高的器件和评估平台,以满
    的头像 发表于 12-21 10:45 726次阅读

    EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估:2000V CoolSiCMOSFET的理想测试平台

    Technologies EVAL-COOLSIC-2KVHCC评估.pdf 评估概述 EVAL-
    的头像 发表于 12-19 17:00 749次阅读

    CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2:高性能碳化硅MOSFET的卓越之选

    的作用。今天,我们要深入探讨的是英飞凌(Infineon)的IMYR140R019M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2,这是一款
    的头像 发表于 12-18 13:50 495次阅读

    探索IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2:高性能与多功能的完美结合

    下载: IMYR140R008M2H.pdf 一、产品概述 IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2是一款
    的头像 发表于 12-18 13:50 535次阅读

    Q-DPAK Full Bridge V2.1评估:解锁碳化硅MOSFET性能新可能

    概述 Q-DPAK Full Bridge V2.1评估(ISPN: EVAL_QDPAK_FB_V2_1)是一个专门用于评估英飞凌
    的头像 发表于 12-18 11:50 764次阅读

    英飞凌推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

    及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外,英飞凌还推出了款额定电压为440V
    的头像 发表于 10-31 11:00 547次阅读

    新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

    新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和电平
    的头像 发表于 06-03 17:34 1218次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>高性能DCB的Easy B系列<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 2kV <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模块

    新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

    新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200V
    的头像 发表于 05-29 17:04 1301次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>顶部散热 Q-DPAK封装的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 1200<b class='flag-5'>V</b> G2 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

    新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2
    的头像 发表于 05-27 17:03 1576次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>顶部散热QDPAK的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 1200<b class='flag-5'>V</b> G2 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>半桥产品

    新品 | 储能用1200V 500A NPC2 电平IGBT EasyPACK™ 3B模块

    新品储能用1200V500ANPC2电平IGBTEasyPACK3B模块1200V500ANPC2
    的头像 发表于 05-16 17:08 1085次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 储能用1200<b class='flag-5'>V</b> 500A NPC2 <b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>电平</b>IGBT EasyPACK™ 3B模块