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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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PCIM2024论文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三电平工业电机驱动

/摘要/400VSiCMOSFET技术商用化弥补了长期存在的200V中压MOSFET与600V超级结MOSFET之间产品和技术空缺。400VSiCMOS...

2024-08-08 标签：MOSFET 电机驱动 SiC 3k 0

GeneSiC的起源和碳化硅的未来

SiC 技术的先驱引领系统效率，高度关注可靠性和耐用性。近 20 年来， GeneSiC 开创了高性能，坚固，和可靠的碳化硅（SiC）用于汽车、...

2023-10-25 标签：二极管驱动器功率器件 3k 0

三菱电机工业用NX封装全SiC功率模块解析

三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块，采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si-IGBT模块相比，显著降低了功率损耗，同时器件内部...

2025-01-22 标签：MOSFET 三菱电机 SiC 3k 0

SiC的发展历程和涂层制备方法

SiC的历史可以追溯到1891年，由爱德华·古德里奇·艾奇逊（Edward Goodrich Acheson）在尝试合成人造金刚石的过程中偶然发现。艾奇...

2024-10-23 标签：半导体晶体 SiC 3k 0

半导体“化学气相沉积（CVD）碳化硅（Sic）”工艺技术详解；

【博主简介】本人“ 爱在七夕时 ”，系一名半导体行业质量管理从业者，旨在业余时间不定期的分享半导体行业中的：产品质量、失效分析、可靠性分析和产品基础应用...

2025-11-09 标签：SiC 碳化硅 CVD 3k 0

第三代双沟槽结构SiC-MOSFET介绍

在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽...

2023-02-08 标签：MOSFET SiC 3k 0

浅谈各种SiC IGBT器件的制作过程与相关性能

通常来讲，全控型半导体器件可以依照其导通状态下的载流子类型分为单极型半导体器件和双极型半导体器件，在每一类中又可以分为电流控制型和电压控制型。

2023-02-13 标签：IGBT SiC 功率半导体 3k 0

SiC外延片制备技术解析

碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。

2023-08-15 标签：晶圆功率器件 SiC 3k 0

功率半导体器件的双脉冲测试方案

我们将高功率SiC器件定义为处理1kV和100A范围内的器件，这相当于100kW的功率。SiC晶体管处理和服务的高电压、高电流和快速开关系统的性质带来了...

2025-01-22 标签：IGBT SiC 功率半导体 3k 0

什么是氮化镓技术指标体系分解

小编在这里给大家分享一下什么是氮化镓技术指标？什么是氮化镓技术指标体系？以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、...

2023-02-16 标签：SiC 氮化镓 GaN 3k 0

电源设计笔记:适用于高性能应用的SiC JFET

本文检查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——这篇文章纯粹是指导性的;此组件不再可用。但是这种简单的方法也可以应用于其他新组件。在接下...

2022-07-29 标签：电源设计 JFET SiC 2.9k 0

SiC MOSFET的设计和制造

首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。

2023-08-06 标签：芯片 MOSFET 晶圆 2.9k 0

一文探究SiC MOSFET的短路鲁棒性

SiC MOSFET具有导通电阻低、反向阻断特性好、热导率高、开关速度快等优势，在高功率、高频率应用领域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面临的...

2025-08-04 标签：MOSFET 半导体 SiC 2.9k 0

如何在使用SiC MOSFET时最大限度地降低EMI和开关损耗

碳化硅（SiC） MOSFET 的快速开关速度、高额定电压和低导通 RDS（on）使其对电源设计人员极具吸引力，这些设计人员不断寻找提高效率和功率密...

2022-11-23 标签：MOSFET emi SiC 2.9k 0

车规模块系列：赛米控SKiN技术介绍

芯片互连技术包括两大类，有绑定线和无绑定线两大类。其中，有绑定线的，我们再熟悉不过了，也是技术最为成熟的一类

2023-10-10 标签：散热器 IGBT SiC 2.9k 0

SiC MOSFET在电源转换器设计中的优化方案

作者：英飞凌科技资深高级工程师René Mente 谈起电源转换器的设计，诸如碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）技术是当今进行器件选择时的现实考虑。65...

2021-03-25 标签：MOSFET 电源转换器 SiC 2.9k 0

用SiC驱动强大的灯或电机

改变大功率灯或电机亮度的最佳技术之一是脉冲宽度调制 (PWM)。在汽车电子系统中，一段时间以来，控制单元使用 PWM 命令控制和管理各种执行器。例如，柴...

2022-07-27 标签：微控制器 MOSFET PWM 2.9k 0

在半导体行业中碳化硅有哪些应用呢？

碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了

2023-02-07 标签：半导体 SiC 碳化硅 2.9k 0

透射电子显微镜中的应变分析技术

季丰电子材料分析实验室配备赛默飞Talos F200i，设备选配有Epsilon应力分析系统，配合精准的TEM样品制备技术、纳米电子衍射收集参数优化和数...

2024-12-31 标签：芯片 SiC 透射电子显微镜 2.9k 0

基于碳化硅（SiC）材料打造的主驱逆变器即将大规模“上车”

在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中，一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驱逆变器。

2024-03-13 标签：新能源汽车 MOSFET 逆变器 2.9k 0

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　　阈值电压（Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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