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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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如何实现一种7.5kW电动汽车碳化硅逆变器的设计呢？

第三代功率半导体碳化硅SiC具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点，能显著提高电动汽车驱动系统的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 标签：电动汽车逆变器散热器 3.2k 0

激光与碳化硅相互作用的机理及应用

本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片...

2023-05-17 标签：半导体激光晶圆 3.2k 0

SIC比SI有什么优势？碳化硅优势的实际应用

SiC的导热性大约是Si的三倍，并且将其他特性的所有优点结合在一起。导热率是指热量从半导体结传递到外部环境的速度。这意味着SiC器件可以在高达200°C...

2023-11-23 标签：电动汽车逆变器 IGBT 3.2k 0

三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用（1）

随着市场需求的不断增长，SiC MOSFET在电动汽车中的应用日益广泛，已经成为推动电动汽车高效能的重要技术之一。本章节主要带你探究三菱电机的SiC M...

2025-08-08 标签：电动汽车二极管 MOSFET 3.1k 0

高效氮化镓电源设计方案 GaN在基于图腾柱PFC的电源设计中实现高效率

氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，...

2023-08-01 标签：电源整流器德州仪器 3.1k 0

GAN功率器件在机器人上的应用实践

GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管)，此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中，如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金属氧...

2025-07-09 标签：机器人晶体管 SiC 3.1k 0

碳化硅（SiC）技术取代旧的硅FET和IGBT

所有类型的电动汽车（EV）的高功率、高电压要求，包括电动公交车和其他电子交通电源系统，需要更高的碳化硅（SiC）技术来取代旧的硅FET和IGBT。安全高...

2023-05-06 标签：电动汽车 IGBT SiC 3.1k 0

碳化硅宽带隙的重要性

宽带隙半导体材料（如SiC）与更传统的半导体材料（如Si）相比具有许多优势。考虑带隙随着温度升高而缩小的事实：如果我们从宽带隙开始，那么温度升高对功能的...

2023-05-24 标签：半导体 DC-DC SiC 3.1k 0

如何实现SiC MOSFET的短路检测及保护？

SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设...

2023-06-01 标签：英飞凌变压器 MOSFET 3.1k 0

隔离比较器在电机驱动系统中的应用

功率半导体供应商不断在导通损耗和开关速度上实现突破，推出更高的电流等级、更小的封装尺寸以及更短的短路耐受时间的半导体器件。并且随着宽禁带半导体器件成本降...

2022-10-14 标签：比较器电机电机驱动 3.1k 0

小编科普一下碳化硅的理化性质

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅为应用最广泛、...

2023-02-12 标签：SiC 碳化硅电热元件 3.1k 0

三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用（2）

随着市场需求的不断增长，SiC MOSFET在电动汽车中的应用日益广泛，已经成为推动电动汽车电气化和高效能的重要技术之一。上一篇我们介绍了三菱电机SiC...

2025-08-08 标签：电动汽车 MOSFET 三菱电机 3.1k 0

碳化硅MOSFET的经济高效且可靠的大功率解决方案

碳化硅已被证明是高功率和高电压设备的理想材料。但是，设备的可靠性极其重要，我们不仅指短期可靠性，还指长期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素，但...

2022-08-09 标签：MOSFET 逆变器 SiC 3.1k 0

意法半导体SiC MOSFET的路线图

显然特斯拉用的是意法半导体2018年的第二代SiC MOSFET产品，第四代产品目前还没有推出。沟槽型是发展方向，但意法半导体要到2025年才开始推出。

2023-03-14 标签：MOSFET 特斯拉 SiC 3.1k 0

SiC对电力电子的挑战碳化硅组件的制造过程

由于SiC具有高导热性，因此它比其他半导体材料更快地散发热量。因此，SiC器件可以在极高的功率水平下运行，并且仍然可以散发器件产生的大量多余热量。

2021-05-13 标签：SiC 碳化硅 3.1k 0

三菱电机SiC MOSFET在工业电源中的应用

SiC器件具有低开关损耗，可以使用更小的散热器，同时可以在更高开关频率下运行，减小磁性元件体积。采用SiC器件的工业电源，可以实现高效率和高功率密度。三...

2025-12-02 标签：MOSFET 三菱电机 SiC 3.1k 0

碳化硅技术在电源逆变器上的应用！

碳化硅(SiC)是化合物半导体材料之一，具有独特的材料性能。例如，它具有高电击穿强度(硅的十倍)和导热性(硅的三倍)。这些特性吸引了研究人员和工程师的更...

2022-11-17 标签：SiC 电源逆变器碳化硅 3.1k 0

MOSFET的三重防护（3）

OK，还剩MOSFET的最后一重防护，就是在DS之间加TVS做保护，对应的就是下图TVS3的位置。

2025-12-09 标签：MOSFET 保护电路断路器 3.1k 0

半导体激光器的热耗散功率详解

半导体激光器的热状态和工作方式有关，一般有三种工作方式。

2023-10-18 标签：半导体激光器功率 3k 0

如何通过栅极驱动技术实现SiC性能的最大化

SiC和其他宽禁带器件的基本优势源于它们的带隙，价带顶部和导带底部之间的能量差。电子从低能价带移动到高能导带使材料导电。

2021-02-20 标签：电动汽车 IGBT 电源开关 3k 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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