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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作为第三代半导体材料的重要代表，近年来在电子器件领域中备受关注。
Qorvo SiC FET在ZVS软开关技术应用中的卓越表现
从石器时代到信息时代，人类对高效率的追求从未停止。如今，随着人工智能、电动汽车和可再生能源系统等前沿科技的蓬勃发展，电力电子设备面临的挑战与日俱增。开关...
GaN（氮化镓）晶体管和SiC（碳化硅）晶体管作为两种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而，它们在材料...
在电动汽车驱动控制器中，逆变控制器是实现能量交直流转化的关键部件，用于电机的驱动或制动时的能量回收或是提供交流电源。市场对于逆变控制器的能量传输效率、功...
如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高...
引言 人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数，可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域，例...
高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长...
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率...
未来几年将看到电子设备和逻辑板的飞跃式增长。但作为电子产品和半导体渗透到新的行业和产品，设计师和制造商一直在寻找更好、更智能的制造方式这些重要组成部分。
碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作...
过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件...
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。
使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。
为应对 Si、SiC 和GaN 等不断发展的技术，优化功率驱动设计需要适应性强的栅极驱动解决方案。本文重点介绍了可编程输出的隔离型 DC/DC 转换器的...
SiC MOSFET短路时间相比IGBT短很多，Easy模块保证2us的短路时间，因此要求驱动电路和的短路响应迅速而精确。今天，我们来具体看一下这个短而...
UPS的应用场景日趋多样化，每个场景都有其独特的需求，对应不同的方案。UPS系统方案指南继续上新，本文将聚焦UPS设计方案展开讲述。
转眼2024年的第一个周末了，也许只有到了隆冬，我们才会知道，我们身上有着一个不可战胜的夏天。之前在聊到特斯拉减少75% SiC用量的话题时，我们聊了H...
高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能
本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。这种 SiC JFET 适用于任何需要高功率和快速开关速度的应用。然而，它特别适合用于音频...
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