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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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深度了解SiC材料的物理特性

与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解...

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SiC基DNPC转换器器件电压不平衡问题分析与解决

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沟槽结构SiC MOSFET几种常见的类型

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生...

2023-02-16 标签：电阻 JFET SiC 3.3k 0

Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究

摘要：针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题，给出了Boost电路中功率模块热损耗的估算方法，并提供了具体的估算公式。以30k...

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SiC在电动汽车有哪些应用

尽管电动汽车历史不逊于内燃机车，但它实实在在地被全世界主要国家推广，发生在最近十年。相比于已在市场中接受了数十上百年考验的内燃机车，电动汽车存在许多的不...

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三相1200V/450A SiC MOSFET电动汽车智能功率模块

该智能功率模块是为高热环境的稳定性应用而设计的，额定的最高结温为 175℃。栅极驱动器本身具备在最高环境工作温度为 125℃的情况下、长时间工作的增强...

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安森美半导体的SiC电源解决方案解析

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什么是800V高压架构？800V高压架构的多种方案

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SiC MOSFET和SiC SBD的优势

下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍

2023-11-01 标签：MOSFET 晶圆 SiC 3.2k 0

碳化硅在新能源车中的主要应用

新能源汽车的加速性能与动力系统输出的最大功率和最大扭矩密切相关，碳化硅（SiC）技术允许驱动电机在低转速时承受更大输入功率，且不怕电流过大导致的热效应和...

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宽带隙半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

宽带隙半导体具有许多特性，这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HN...

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高可靠性1700V全SiC功率模块

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用于三相功率转换的桥式拓扑的SiC MOSFET

效率、生产力和立法是当今电力应用的主要市场驱动力。利用更少的能源生产更多的产品，节约能源成本，更加关注更好的转换效率和更小、更轻的系统。在这方面，功率...

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碳化硅器件介绍与仿真

本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。

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使用Wolfspeed碳化硅MOSFET对常见拓扑进行建模

现在，工程师比以往任何时候都更多地选择基于碳化硅（SiC）的产品，因为它们比基于硅（Si）的组件具有更高的效率、功率密度和更好的整体系统成本效益...

2023-05-24 标签：二极管 MOSFET SiC 3.2k 0

如何在中试线上生产一片8英寸碳化硅衬底？

从实际情况上看，目前多数SiC都采用的4英寸、6英寸晶圆进行生产，而6英寸和8英寸的可用面积大约相差1.78倍，这也就意味着8英寸制造将会在很大程度上降...

2023-06-20 标签：半导体晶圆 SiC 3.2k 0

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势

设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有...

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沟槽结构SiC MOSFET常见的类型

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。

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