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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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sic技术

如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢？

为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相全桥 SiC 功率模块设计与开发，...

2024-03-13 标签：电动汽车散热器 SiC 3.9k 1

什么是碳化硅？碳化硅的抛光方法主要有哪些？

碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。

2023-02-10 标签：功率器件 SiC CMP 3.9k 0

功率模块纳米银烧结技术研究进展

以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点，非常适合制作应用于高频、...

2023-08-18 标签：芯片半导体材料 SiC 3.8k 0

新能源电机绝缘系统关键参数-PDIV（一）

直奔主题，下图为典型的双电极电压（极性从正极到负极交替变化的电压）冲击图。

2023-07-18 标签：二极管 MOSFET SiC 3.8k 0

SiC共源共栅在困难条件下的性能解析

本文探讨了 SiC 共源共栅在困难条件下（包括雪崩模式和发散振荡）的性能，并研究了它们在利用零电压开关的电路中的性能。

2022-05-07 标签：SiC 电压开关共源共栅 3.8k 0

如何选取SiC门极电压

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未...

2022-06-06 标签：电压 SiC 开关频率 3.8k 0

氮化镓的优势特点！

传统上，半导体生产中最常用的材料是硅（Si），因为它丰富且价格合理。但是，半导体制造商可以使用许多其他材料。此外，它们中的大多数还提供额外的好处，例如碳...

2022-12-13 标签：晶体管 SiC 氮化镓 3.8k 0

碳化硅晶片为什么存在C面和Si面

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。

2024-01-18 标签：半导体 SiC 晶片 3.8k 0

SiC二极管概述和技术参数

SiC二极管，全称SiC碳化硅势垒二极管，也被称为SiC碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一种，属于第三代半导体材料的应...

2024-09-10 标签：二极管 SiC 碳化硅 3.8k 0

CAN SIC收发器助力复杂CAN网络高效可靠通信（2）

SIC的作用机理在CAN总线上，通过CAN_H和CAN_L两根线上的电位差来表示CAN信号。CAN总线上的电位差分为两种：显性电平(DominantVo...

2024-08-09 标签：收发器 CAN 通信 3.8k 0

在正确的比较中了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化

650V SiC MOSFET的拥护者可能会指出，他们发现其他类似器件在Tj =125°C下的该数值通常为+20-25%。这能说明SiC MOSFET比...

2021-01-08 标签：MOSFET SiC 栅极驱动 3.8k 0

工程师两难之氮化镓GaN还是碳化硅SiC？到底该pick谁？

作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为...

2023-06-07 标签：SiC 氮化镓碳化硅 3.7k 0

碳化硅(SiC)二极管的种类及优势

以碳化硅(silicon carbide，SiC)为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC中存在各种多型体(结晶多系)，它们的物性值也各不相...

2023-02-04 标签：SiC 碳化硅宽禁带半导体 3.7k 0

碳化硅功率器件的发展现状及其在电力系统中的应用展望

碳化硅作为一种宽禁带材料，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点，可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率...

2023-01-31 标签：半导体电力系统功率器件 3.7k 0

不同功率的充电桩设计方案总结

电动汽车充电桩作为电动汽车的能量补给装置，充电时间和寿命是关系到其性能的最关键因素。这就对充电桩的充电效率提出了要求。本文针对两电平15KW SIC充电...

2023-10-24 标签：电动汽车 MOSFET 逆变电路 3.7k 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的优点和应用

碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化...

2023-12-08 标签：半导体 SiC 碳化硅 3.7k 0

PFC拓扑比较：交错式升压拓扑与图腾柱拓扑

电子设备越来越多地接入电网，这增加了电网的失真几率，也使配电网络容易产生问题。为缓解这些问题，电源设计需要先进的功率因数校正 (PFC) 电路来满足严格...

2023-08-02 标签：功率因数 PFC SiC 3.6k 0

SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

2023-12-05 标签：SiC 驱动电压 SiC MOSFET 3.6k 0

SiC功率模块的液冷散热设计与节能分析

为综合评估SiC功率模块的液冷冷板散热效果，设计了串联、并联与串并联三种冷板流道结构，从器件温升、系统能效、散热性能三个方面共计10项指标评估了冷板性...

2024-01-04 标签：MOSFET 功率器件 SiC 3.6k 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的优势和应用

碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽...

2023-07-28 标签：半导体 SiC 碳化硅 3.6k 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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