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氮化镓技术的优势及工作原理

　　氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体。

2023-02-03 标签：半导体功率器件氮化镓 1.1万 0

小编科普一下氮化镓技术

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。

2023-02-03 标签：发光二极管氮化镓 GaN 5.1k 0

浅析氮化镓技术原理及技术突破路线

　通过种种信息，我们应该都能发现，氮化镓充电器目前已经快要与普通充电器市场持平，而且，氮化镓充电器是近几年新开发出来的，从刚开始出现的30W到现在的14...

2023-02-03 标签：充电器氮化镓 GaN 1.2万 0

什么是 GaN 氮化镓？2

对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般...

2023-02-02 标签：半导体充电器氮化镓 586 0

什么是 GaN 氮化镓？1

2023-02-02 标签：充电器功率氮化镓 1.1k 0

氮化镓E-HEMT器件在反激快充应用中的测试对比

随着GaN器件在一线品牌（小米、OPPO、华为、VIVO、联想等）大功率适配器等应用场景的优势展示和产品推出，推动了GaN器件在更广泛的电源领域的使用，...

2023-02-02 标签：适配器 GaN 电源系统 1.8k 0

无线设计LNA和PA的作用和要求及其主要特性

LNA 的作用是从天线获取极其微弱的不确定信号，这些信号通常是微伏数量级的信号或者低于-100 dBm，然后将该信号放大至一个更有用的水平，通常约为0....

2023-02-01 标签：无线 LNA GaN 3k 0

LED芯片主要的三种流派结构介绍

LED是一种半导体，通电即会发光。凭借其高效率、长寿命和其他突出的特点，成为LCD液晶显示模组的核心材料，为LCD的背光模组提供足够的光源；

2023-02-01 标签：LED芯片 LED封装 GaN 4.4k 0

GaN功率HEMT设计+GaN宽带功率放大器设计

2023-01-30 标签：GaN 宽带功率放大器 1.4k 0

GaN如何在电子工程行业掀起一场革命

GaN 的普及根植于其高电源和高电压功能。这些特性使其适用于许多应用，包括微波射频 (RF) 和功率开关应用。

2023-01-29 标签：晶体管氮化镓 GaN 558 0

从原理到实例：GaN为何值得期待？

2022-12-30 标签：MOSFET 半导体电容 1.6k 0

基于模型的GaN PA设计基础知识：内部电流-电压(I-V)波形的定义及其必要性

基于模型的 GaN PA 设计基础知识：内部电流-电压 (I-V) 波形的定义及其必要性

2022-12-26 标签：功率放大器 GaN PA 2.9k 0

IC集成支持平板相控阵天线设计

高度集成的射频收发器芯片有助于提高天线级的集成度。ADRV9009就是这种芯片的一个例子。它提供双发射器和接收器、集成合成器和数字信号处理功能。该器件包...

2022-12-19 标签：adc 微波 GaN 2.5k 0

碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）

一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产...

2022-12-13 标签：晶体管 SiC 氮化镓 1.6万 0

氮化镓的优势特点！

传统上，半导体生产中最常用的材料是硅（Si），因为它丰富且价格合理。但是，半导体制造商可以使用许多其他材料。此外，它们中的大多数还提供额外的好处，例如碳...

2022-12-13 标签：晶体管 SiC 氮化镓 3.8k 0

氮化镓半导体的兴起！

氮化镓（GaN）是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体。基于GaN的功率器件具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的导热性和更低的导通电阻，其性能明显...

2022-12-09 标签：半导体氮化镓 GaN 2.3k 0

如何把GaN的特性完全发挥出来呢

LP88G24DCD内置650V级联型结构的GaN功率器件，采用QFN8*8封装，进一步减小芯片占板面积，底部采用一体化铜基板设计，具有极佳的散热性能。

2022-11-30 标签：串联电阻驱动器 PMIC 1.4k 0

高频高频QR GaN控制器在Flyback拓扑快充产品上的应用

型号LP8843DCD提供一个耐压高达200V的VccH管脚，以及一个耐压35V的VccL管脚；可以很方便的用这两个管脚组成双绕组供电方式，以节约高压输...

2022-11-29 标签：控制器滤波电路 GaN 2.5k 0

基于GaN单晶N极性HEMT器件

这是NEDO关于“加强后5G信息通信系统基础设施研究开发项目”的成果。2020年6月，NEDO发布了该决定，并计划让住友电工从事高频器件高功率、小型化技...

2022-11-23 标签：GaN 毫米波 HEMT 3k 0

GaN功率级设计的散热注意事项

在任何电力电子转换器中，热设计都是一项重要的考虑因素。热设计经优化后，工程师能够将 GaN 用于各种功率级别、拓扑和应用中。此应用手册论述了 TI LM...

2022-11-18 标签：pcb 散热器 FET 1.4k 0

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