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本文解释了平面磁件如何在效率、成本、空间要求以及散热方面显著改善电力电子器件的性能。阅读本白皮书后，您应该对平面磁性技术的优势以及自动化工作流程如何轻松...
众所周知，因为 GaN PA 需要使用特定的偏置时序，所以在某些设计中，GaN 功率放大器的上电和下电可能会具有挑战性。如果处理不当，可能会导致组件损坏...
氮化镓 ( GaN) 作为第三代半导体材料的典型代表，具有高击穿电场强度和高热导率 等优异的物理特性，是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”） 功率开关。只...
使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容
本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
数字 GaN 是使用 GaN IC 实现卓越性能的一个很有前途的选择。这是一种颠覆性的数字控制方法。模拟信号块不再“转换”为数字信号块。
从人类的角度来看，几代人过得很慢，在人们的记忆中，从“婴儿潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，现在奇怪的是“A”。我想他们只是用完了字母。然而，在半导体...
氮化镓技术是谁突破的技术 作为支撑“新基建”建设的关键核心器件，氮化镓应用范围非常广泛，氮化镓在数据中心，新能源汽车等领域都有运用。那么这么牛的氮化镓技...
小编在这里给大家分享一下什么是氮化镓技术指标？什么是氮化镓技术指标体系？ 以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、...
氮化镓（GaN）是一种具有半导体特性的化合物，是由氮和镓组成的一种宽禁带半导体材料，与碳化硅（SiC）并称为第三代半导体材料的双雄。GaN具有更宽的“带...
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体即宽带隙半导体，具有高频、高效率、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等优异性能，满足了节能减排等国家重大战略需求，智...
对紧凑但功能强大的电机的需求为设计工程师带来了新的挑战。为了尽可能提高小型电机的功率输出，工程师们开始转向高压和高频工作。硅 (Si) 金属氧化物半导体...
本研究采用PEALD沉积AlN材料作栅绝缘层的同时，利用其作为器件表面钝化层材料，本节即采用脉冲测试方法研究了PEALD沉积AlN钝化器件的电流崩塌特性...
绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温A...
关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...
20世纪40年代后，传统的铝硅酸盐材料被选为无机非金属材料，与有机聚合物材料和金属材料并列为三大材料之一。无机非金属材料是由一些原始氮化合物和卤素灯...
氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更...
氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更...
GaN功率电子器件具有较高的工作电压、较高的开关频率、较低的导通电阻等优点，能够以极低的成本和较高的技术成熟度兼容硅基半导体集成电路工艺，在新一代高...
由于界面固定电荷没有充放电效应，所以利用回滞曲线或变频方法无法提供界面固定电荷信息，平带电压VFB漂移是常用的用于计算界面固定电荷的方法。本文首先结合能...
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