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通常测试的时候第一步就是验证我们的静态工作点和稳定性，然而我采用NPTB0004N管子设计的时候，由于是GaN的管子，最开始没有注意他的上电顺序，导致管...
氮化镓 （GaN） 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 （EV） 车载充电器和 EV 充电站等设计...
功率半导体供应商不断在导通损耗和开关速度上实现突破，推出更高的电流等级、更小的封装尺寸以及更短的短路耐受时间的半导体器件。并且随着宽禁带半导体器件成本降...
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计...
新能源车的功率控制单元（PCU）是汽车电驱系统的中枢神经，管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。传统 PCU 使用硅基材料半导体制成，强电流与高压...
利用缺陷信息数据库探索界面工程，助力GaN基肖特基势垒二极管的研究
在电力电子器件的外延生长和器件制备过程中，特别是对于具有凹槽结构的GaN基肖特基势垒二极管（TMBS）而言，ICP刻蚀将不可避免地损伤材料的表面，产生大...
GaN 作为第三代半导体材料，具有更高的自发极化系数及更大的压电系数，能承受更高的功率密度，适用于高频、高温大功率电子器件。但随着功率器件向小型化和大功...
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表...
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有...
氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3...
GaN打破壁垒—RF功率放大器的带宽越来越宽、 功率越来越高
摘要 电信行业不断需要更高的数据速率，工业系统不断需要更高的分辨率，这助推了满足这些需求的电子设备工作频率的不断上升。许多系统可以在较宽的频谱中工作，新...
随着5G的推出，新的无线电网络基础设施的一个重要环节是gNodeB基站的功率放大器（PA）。PA需要无故障运行，往往是在极端条件下，而且5G标准提出了更...
GaN产业链按环节分为Si衬底(或GaN单晶衬底、SiC、蓝宝石)、GaN材料外延、器件设计、器件制造、封测以及应用。各个环节国内均有企业涉足,如在射频...
为了降低芯片的工作结温，基本理念是提高芯片有源区近端封装体的热导率，通过热传导的方式将热量迅速传输出去，避免热累积效应引起的局部温度升高。
【导读】众所周知，因为 GaN PA 需要使用特定的偏置时序，所以在某些设计中，GaN 功率放大器的上电和下电可能会具有挑战性。如果处理不当，可能会导致...
近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能...
GaN 功率器件的卓越电气特性正在逐步淘汰复杂工业电机控制应用中的传统 MOSFET 和 IGBT。
基于氮化镓技术 (GaN) 的功率开关器件现已量产，并在实际功率应用中提供高效率和功率密度。本文将探讨如何使用 GaN 技术实施高功率解决方案，并提供应...
从 70 年代下半叶开始，电源管理应用的主导技术是基于 MOSFET(金属氧化物硅场效应晶体管)器件，在效率和成本降低方面不断取得进步和改进。然而，随着...
在本文中，我们将仔细研究氮化镓 (GaN)晶体管，以及这种新的半导体技术如何有望彻底改变 D 类放大器的性能。 凭借其非常低的导通电阻、非常高且干净的开...
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